我们最初的努力旨在满足各军种和作战指挥官的迫切需求。然而,随着 sUAS 技术和扩散继续以挑战国防部在当前范式下有效响应的能力的速度发展,显然我们不能仅仅依靠物资解决方案。相反,我们必须重新审视如何应对 sUAS 给联合部队带来的日益严峻的挑战,方法是考虑和开发涵盖整个条令、组织、培训、物资、领导和教育、人员、设施 - 政策 (DOTMLPF-P) 范围的解决方案。该战略为解决本土、东道国和应急地点的危险和威胁等各种 sUAS 问题提供了框架。随着技术和系统的发展,该战略将需要持续评估以确保国防部跟上步伐。成功需要国防部所有利益相关者的共同努力。各军事部门、作战司令部、联合参谋部和其他国防部部门将持续警惕 sUAS,确保美国及其盟友和伙伴国家采取最有效的应对措施。
训练图分类器能够区分健康的大脑和功能障碍的大脑,可以帮助识别与特定认知表型相关的子结构。然而,图形分类器的仅预测能力是神经科学家的兴趣,这些神经科学家有很多用于诊断特定精神疾病的工具。重要的是对模型的解释,因为它可以提供新颖的见解和新假设。在本文中,我们提出了反事实图作为对任何黑盒图形分类器进行局部事后解释的一种方法。给定图形和一个黑框,反事实是一个图形,虽然与原始图具有很高的结构相似性,但在其他类别中由黑框分类。我们提出并进行了反对反事实图搜索的几种策略。我们针对具有已知视觉反事实的白盒分类器的实验,表明我们的方法虽然启发式,但可以产生非常接近最佳的方法。最后,我们展示了如何使用反事实图来构建全局解释,从而正确捕获了不同黑盒分类器的行为并为神经科学家提供有趣的见解。
我们最初的努力旨在满足各军种和作战指挥官的迫切需求。然而,随着 sUAS 技术和扩散继续以挑战国防部在当前范式下有效响应能力的速度发展,显然我们不能仅仅依靠物资解决方案。相反,我们必须重新审视如何应对 sUAS 给联合部队带来的日益严峻的挑战,方法是考虑和开发涵盖整个条令、组织、培训、物资、领导和教育、人员、设施政策 (DOTMLPF-P) 范围的解决方案。该战略为解决本土、东道国和应急地点的危险和威胁等各种 sUAS 问题提供了框架。随着技术和系统的发展,该战略将需要持续评估以确保国防部跟上步伐。要取得成功,国防部所有利益相关方必须齐心协力。各军事部门、作战司令部、联合参谋部和其他国防部部门将持续关注 sUAS,确保美国及其盟友和伙伴国家采取最有效的应对措施。
仔细研究支持 EUV 开发的研究界对于当今的政策制定者和半导体行业尤其重要。EUV 研究始于 20 世纪 80 年代,当时美国半导体行业在双方政府的大力干预下试图抵御崛起的日本公司。与此同时,该行业认识到,新一代光刻光源对于制造未来的先进芯片以维持摩尔定律是必不可少的。今天也存在类似的情况,美国、欧洲和亚洲的政策制定者都在进行千载难逢的努力来保护和促进各自的半导体行业,而崛起的中国公司则试图挑战行业领导者。与此同时,整个半导体行业都认识到一场缓慢发展的生存危机:人工智能的快速发展必须由相应的计算能力的快速发展来维持。然而,摩尔定律的终结就在眼前,即使是 EUV 也无法拯救它。4
目录 章 页码 1. 介绍................................................................................................................ 1 2. 理论................................................................................................................... 6 2.1 直轴和交轴................................................................................................... 6 2.2 等效电路................................................................................................... 8 2.3 功率角特性................................................................................................... 9 3. 设计参数...................................................................................................... 11 3.1 气隙...................................................................................................... 11 3.2 磁通密度...................................................................................................... 12 3.3 定子和励磁绕组...................................................................................... 12 3.4 波形...................................................................................................... 13 3.5 电抗...................................................................................................... 13 3. 转子设计............................................................................................................. 15 4.1 机械...................................................................................................... 15 4.1.1 励磁绕组.
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