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一种新型低功耗改进型 PPN SRAM 单元设计...
一种基于低功耗改进型 PPN SRAM 单元的存储器阵列的新型设计及其对高速缓存存储器的分析评论 Gavaskar K、Surendar N、Thrisali S、Vishal M 电子与通信工程系 Kongu 工程学院 Perundurai，Erode – 638060，泰米尔纳德邦，印度。邮件 ID：gavas.20@gmail.com 摘要 – 高速缓存存储器是存储重复数据和执行操作的指令所必需的存储空间。现代处理器的速度已经显著提高，但存储器增强主要集中于在更小的空间中存储更多数据并减少延迟的能力。本文提出的基于 PNN 反相器的 10 T SRAM 单元电路由 2 个交叉耦合的 PNN 反相器（1 个 PMOS 和 2 个 NMOS 晶体管）、单端独立读取电路（2 个 NMOS 晶体管）和 2 个存取晶体管（2 个 NMOS）组成。将不同的漏电流控制技术（如 LECTOR 和 KLECTOR）应用于 10T PPN 和 10T PNN SRAM 单元以提高其保持性能，并比较其结果。8X8 存储器阵列由存储器单元、行和列解码器、预充电电路、感测放大器和写入驱动器电路组成。测量了读取、写入和保持操作的各种参数（如延迟、动态功率、功率延迟积、漏功率和静态噪声裕度），并与其他 SRAM 单元进行了比较。CADENCE Virtuoso Tool 用于设计 90 nm 技术中的各种电路。模拟结果表明，与其他单元相比，所提出的 SRAM 单元具有更好的性能，因此它可用于创建阵列结构。与其他阵列结构相比，基于 8X8 10T PNN SRAM 单元的阵列具有更低的功率和更少的延迟。
ISSCC 2024 - 量子技术集成电路
2 Google Quantum AI，加利福尼亚州戈利塔 超导量子处理器是最先进的量子计算技术之一。基于这些设备的系统已经实现了后经典计算 [1] 和量子纠错协议的概念验证执行 [2]。虽然其他量子比特技术采用自然产生的量子力学自由度来编码信息，但超导量子比特使用的自由度是在电路级定义的。当今最先进的超导量子处理器使用 transmon 量子比特，但这些只是丰富的超导量子比特之一；在考虑大规模量子计算机的系统级优化时，替代量子比特拓扑可能会证明是有利的。在这里，我们考虑对 Fluxonium 量子比特进行低温 CMOS 控制，这是最有前途的新兴超导量子比特之一。图 29.1.1 比较了 transmon 和 Fluxonium 量子比特。 transmon 是通过电容分流约瑟夫森结 (JJ) 实现的，是一种非线性 LC 谐振器，其谐振频率为 f 01，非谐性分别在 4-8GHz 和 200-300MHz 范围内。transmon 有限的非谐性约为 5%，限制了用于驱动量子比特 f 01 跃迁的 XY 信号的频谱内容，因为激发 f 12 跃迁会导致错误。以前的低温 CMOS 量子控制器通过直接 [3,4] 或 SSB 上变频 [5,6] 复杂基带或 IF 包络（例如，实施 DRAG 协议）生成光谱形状的控制脉冲；这些设备中高分辨率 DAC 的功耗和面积使用限制了它们的可扩展性。fluxonium 采用额外的约瑟夫森结堆栈作为大型分流电感。这样就可以实现 f 01 频率为 ~1GHz 或更低的量子比特，而其他所有跃迁频率都保持在高得多的频率（>3GHz，见图 29.1.1）[7]。与 transmon 相比，fluxonium 的频率较低且非谐性较高，因此可以直接生成低 GHz 频率控制信号，并放宽对其频谱内容的规范（但需要更先进的制造工艺）。在这里，我们利用这一点，展示了一种低功耗低温 CMOS 量子控制器，该控制器针对 Fluxonium 量子比特上的高保真门进行了优化。图 29.1.2 显示了 IC 的架构。它产生 1 至 255ns 的微波脉冲，具有带宽受限的矩形包络和 1GHz 范围内的载波频率。选择规格和架构是为了实现优于 0.5° 和 0.55% 的相位和积分振幅分辨率，将这些贡献限制在平均单量子比特门错误率的 0.005%。它以 f 01 的时钟运行，相位分辨率由 DLL 和相位插值器 (PI) 实现，而包络精度则由脉冲整形电路实现，该电路提供粗调振幅和微调脉冲持续时间（与传统控制器不同，使用固定持续时间和精细幅度控制）。数字控制器和序列器可播放多达 1024 步的门序列。图 29.1.2 还显示了相位生成电路的示意图。DLL 将这些信号通过等延迟反相器缓冲器 (EDIB) 后，比较来自电压控制延迟线 (VCDL) 的第一个和第 31 个抽头的信号。这会将 CLK[0] 和 CLK[30] 锁定在 180°，并生成 33 个极性交替的等延迟时钟信号。使用 CLK[30] 而不是 CLK[32] 来确保在 PFD 或 EDIB 不匹配的情况下实现全相位覆盖，这可能导致锁定角低于 180°。一对 32b 解复用器用于选择相邻的时钟信号（即 CLK[n] 和 CLK[n+1]），开关和 EDIB 网络用于驱动具有可选极性的 PI。 PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。PI 单元由多路复用器和限流反相器组成。32 个单元并联组合，所选相位之间的权重由驱动多路复用器阵列的温度计编码的 31b 值设置（第 32 个反相器始终由 CLK[n] 驱动）。相位生成电路具有 11b 控制，可提供实现 0.5° 精度的裕度。图 29.1.3 显示了脉冲整形器原理图。它接收相移时钟并应用可编程幅度和持续时间的矩形包络。SW1 用于门控数字 CW 信号。然后，门控信号由一个电路缓冲和衰减，该电路由可变电阻器 R 0（16 个值，从 10 到 170kΩ）组成，通过 2:1 双调谐变压器连接到 50Ω 负载。该电路将可用功率降低了约 17 至 29dB，同时提供 50Ω 输出匹配并过滤脉冲频谱，为信号包络引入几纳秒的指数上升和下降时间，适用于大量子比特非谐性。R 0 、CP 和 CS 通过 SPI 总线进行编程，以进行静态预调谐。但是，提供了一个 0 至 18dB 衰减器电路，步长为 6dB，用于实时粗调幅度。输出端集成了 SW2，以提供额外的开-关隔离。
交流耦合宽带神经记录前端，效率低于 1 毫米 2 × fJ/conv-step，NEF 为 0.97
摘要 — 本信介绍了一种用于多通道宽带神经信号记录的能量和面积高效的交流耦合前端。所提出的单元使用基于反相器的电容耦合低噪声放大器调节局部场和动作电位，然后是每通道 10-b 异步 SAR ADC。单位长度电容器的调整可最大限度地减少 ADC 面积并放宽放大器增益，从而可以集成小型耦合电容器。与最先进的产品相比，65 纳米 CMOS 原型的面积缩小了 4 倍，能量面积效率提高了 3 倍，占位面积为 164 µ m × 40 µ m，能量面积性能系数为 0.78 mm 2 × fJ/conv-step。在 1 Hz 至 10 kHz 带宽内测得的 0.65 µ W 功耗和 3.1 µ V rms 输入参考噪声对应的噪声效率因子为 0.97。
量子细胞自动机
摘要。我们制定了一种由量子设备阵列组成的细胞自动机 (CAS) 计算新范式——量子细胞自动机。这种范式中的计算是边缘驱动的。输入、输出和功率仅在 c 阵列的边缘传输；不需要直接向内部细胞传输信息或能量。这种范式中的计算也是使用基态进行计算。该架构的设计使得阵列的基态配置受输入确定的边界条件的影响，产生计算结果。我们提出了使用由量子点组成的双电子细胞来实现这些想法的具体方法，这在当前制造技术范围内。细胞中的电荷密度沿两个细胞轴之一高度极化（对齐），暗示了双态 CA。一个细胞的极化通过库仑相互作用以非常非线性的方式在相邻细胞中引起极化。量子细胞自动机可以执行有用的计算。我们表明，与门、或门以及反相器可以构建并互连。
活动标题 混合信号 IC D 动手体验
1. 研讨会旨在让学员深入了解 Cadence 工具，这是电子设计和自动化领域使用的领先软件套件，以及它在电子行业领域的应用。 2. 为期两天的研讨会涵盖了 Cadence 的各个方面，从其基本概念到混合信号电路的高级设计。 3. 研讨会旨在让学员熟悉 Cadence，提高他们使用 Cadence 工具进行电子设计的熟练程度，并让学员了解最新发展和最佳实践。 4. 课程第一天以 Cadence EDA 工具的介绍课程开始。随后是关于数字计数器设计、仿真和综合的综合课程。课程以 CMOS 反相器设计及其分析结束。 5. 课程第二天以全面介绍混合设计概念开始，特别是运算放大器和 ADC。本部分包括深入了解使用 Virtuoso 工具进行原理图设计捕获、DC 和瞬态分析。 6. 到本课程结束时，学员将获得有关混合信号集成电路设计概念的全面知识，并提高设计和验证混合信号电路的能力。
晶体管，集成电路的基本元件
晶体管的名称来自“传输”和“电阻”，它是微电子集成电路的基本元件，在纳米电子尺度上经过必要的改变后，它仍将保持原有的地位：它还非常适合放大等功能，它还执行一项基本功能，即根据需要打开或关闭电流，就像一个开关装置（图）。因此，它的基本工作原理可直接应用于逻辑电路（反相器、门、加法器和存储单元）中二进制代码的处理（0，电流被阻止，1，电流通过）。晶体管基于电子在固体中而不是在真空中的传输，就像旧式三极管的电子管一样，它由三个电极（阳极、阴极和栅极）组成，其中两个电极用作电子储存器：源极用作电子管的发射极灯丝，漏极用作集电板，栅极用作“控制器”。这些元件在当今使用的两种主要晶体管类型中以不同的方式工作：先出现的双极结型晶体管和场效应晶体管 (FET)。双极晶体管使用两种类型的电荷载体，电子（负电荷）和空穴（正电荷），并由相同掺杂（p 或 n）的半导体衬底部分组成
基于单层 MoSe2 的隧道场效应晶体管...
摘要 — 本文详细研究了机械应变对过渡金属二硫属化物 (TMD) 材料隧道场效应晶体管 (TFET) 的影响。首先，利用密度泛函理论 (DFT) 的第一原理在元广义梯度近似 (MGGA) 下计算机械应变对 MoSe 2 材料参数的影响。通过在非平衡格林函数 (NEGF) 框架中求解自洽 3D 泊松和薛定谔方程，研究了 TMD TFET 的器件性能。结果表明，I ON 和 I OFF 均随单轴拉伸应变而增加，但 I ON / I OFF 比的变化仍然很小。TMD TFET 中这种应变相关性能变化已被用于设计超灵敏应变传感器。该器件对 2% 的应变显示出 3.61 的灵敏度 (ΔI DS / I DS)。由于对应变的高灵敏度，这些结果显示了使用 MoSe 2 TFET 作为柔性应变传感器的潜力。此外，还分析了应变 TFET 的后端电路性能。结果表明，与无应变 TFET 相比，基于受控应变的 10 级反相器链的速度和能效有显著提高。
用于单片三维集成的高性能原子层沉积氧化铟三维晶体管和集成电路
摘要—本文报告了通过与后端工艺 (BEOL) 兼容的原子层沉积 (ALD) 工艺在鳍片结构和集成电路上涂覆 In 2 O 3 3-D 晶体管的实验演示。通过沟道厚度工程和后沉积退火，实现了具有 113 cm 2 /V · s 高迁移率和 2.5 mA/µ m 高最大漏极电流 (ID) 的高性能平面背栅 In 2 O 3 晶体管。演示了基于 ALD In 2 O 3 的高性能零 V GS 负载反相器，其最大电压增益为 38 V/V，最小电源电压 (V DD ) 低至 0.5 V。还演示了通过栅极绝缘体和沟道半导体的低温 ALD 制备的顶栅氧化铟 (In 2 O 3 ) 晶体管，其 ID 为 570 µ A/µ m，亚阈值斜率 (SS) 低至 84.6 mV/decade。然后演示了具有顶栅结构的 ALD In 2 O 3 3-D Fin 晶体管，其受益于 ALD 的保形沉积能力。这些结果表明，ALD 氧化物半导体和器件具有独特的优势，并且有望实现用于 3-D 集成电路的 BEOL 兼容单片 3-D 集成。
CN-202402003F.pdf
销售商品名称 销售商品可订购零件编号 销售订单客户零件编号 产品类型名称 基本类型描述 封装概要版本描述 封装类型描述 销售商品状态 销售商品客户特定指标 业务线描述 935206890118 74ABT00D,118 74ABT00D,118 74ABT00D 四路 2 输入 NAND 门 SOT108-1 SO14 RFS 否 模拟和逻辑 935206910118 74ABT00PW,118 74ABT00PW 四路 2 输入 NAND 门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 否 模拟和逻辑 935206990118 74ABT04D,118 74ABT04D,118 74ABT04D 六路反相器SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935207010118 74ABT04PW,118 74ABT04PW 六路反相器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935207050118 74ABT08D,118 74ABT08D,118 74ABT08D 四路 2 输入与门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935207100118 74ABT08PW,118 74ABT08PW 四路 2 输入与门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935056850623 74ABT125D,623 74ABT125D,623 74ABT125D 四路缓冲器；3 态 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935201060118 74ABT125PW,118 74ABT125PW,118 74ABT125PW 四路缓冲器；3 态 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935053090623 74ABT126D,623 74ABT126D 四路缓冲器；3 态 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935201070118 74ABT126PW,118 74ABT126PW,118 74ABT126PW 四路缓冲器； 3 态 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935176420118 74ABT244PW,118 74ABT244PW,118 74ABT244PW 八路缓冲器/线路驱动器 (3-SSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935176430118 74ABT245PW,118 74ABT245PW,118 74ABT245PW 带直接 SOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935208700118 74ABT32D,118 74ABT32D,118 74ABT32D 四 2 输入或门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935208720118 74ABT32PW,118 74ABT32PW,118 74ABT32PW 四路 2 输入或门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无 模拟与逻辑 935208740118 74ABT74D,118 74ABT74D,118 74ABT74D 带 s 的双 D 型触发器 SOT108-1 SO14 RFS 无 模拟与逻辑 935208760118 74ABT74PW,118 74ABT74PW 带 s 的双 D 型触发器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无 模拟与逻辑 935262686118 74AHC00D,118 74AHC00D,118 74AHC00D 四路 2 输入 NAND 门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935262687118 74AHC00PW,118 74AHC00PW,118 74AHC00PW 四路 2 输入 NAND 门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935262692118 74AHC02D,118 74AHC02D 四路 2 输入 NOR 门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935262693118 74AHC02PW,118 74AHC02PW,118 74AHC02PW 四路 2 输入 NOR 门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935263040118 74AHC04D,118 74AHC04D,118 74AHC04D 六反相器 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑 935263041118 74AHC04PW,118 74AHC04PW,118 74AHC04PW 六反相器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935262678118 74AHC08D,118 74AHC08D,118 74AHC08D 四路 2 输入与门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑 935262679118 74AHC08PW,118 74AHC08PW,118 74AHC08PW 四路 2 输入与门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 否 模拟与逻辑 935265563118 74AHC123AD,118 74AHC123AD,118 74AHC123AD 双可重触发单稳态SOT109-1 SO16 RFS 无模拟与逻辑 935265564118 74AHC123APW,118 74AHC123APW,118 74AHC123APW 双可重触发单稳态SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟与逻辑 935262762118 74AHC125D,118 74AHC125D,118 74AHC125D 四缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935262763118 74AHC125PW,118 74AHC125PW,118 74AHC125PW 四缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935262768118 74AHC126D,118 74AHC126D,118 74AHC126D 四缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935262769118 74AHC126PW,118 74AHC126PW,118 74AHC126PW 四缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935262989118 74AHC132D,118 74AHC132D,118 74AHC132D 四路 2 输入 NAND Schmi SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935262991118 74AHC132PW,118 74AHC132PW,118 74AHC132PW 四路 2 输入 NAND Schmi SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935262999118 74AHC138D,118 74AHC138D,118 74AHC138D 3 至 8 线解码器/多路分解器 SOT109-1 SO16 RFS 无模拟与逻辑 935263000118 74AHC138PW,118 74AHC138PW,118 74AHC138PW 3 至 8 线解码器/多路分解器 SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟与逻辑 935263565118 74AHC139D,118 74AHC139D,118 74AHC139D 双 2 至 4 线解码器/多路分解器 SOT109-1 SO16 RFS 无模拟与逻辑 935263566118 74AHC139PW,118 74AHC139PW,118 74AHC139PW 双 2 至 4 线解码器/多路分解器 SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟与逻辑 935262758118 74AHC14D,118 74AHC14D,118 74AHC14D 六路反相施密特触发器 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935262759118 74AHC14PW,118 74AHC14PW,118 74AHC14PW 六路反相施密特触发器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935263998118 74AHC157D,118 74AHC157D,118 74AHC157D 四路 2 输入多路复用器 SOT109-1 SO16 RFS 无模拟与逻辑 935263999118 74AHC157PW,118 74AHC157PW,118 74AHC157PW 四路 2 输入多路复用器 SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟与逻辑 935265465118 74AHC164D,118 74AHC164D,118 74AHC164D 8 位串行输入/并行输出 sSOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935265466118 74AHC164PW,118 74AHC164PW,118 74AHC164PW 8 位串行输入/并行输出 sSOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935262002118 74AHC244PW,118 74AHC244PW,118 74AHC244PW 八路缓冲器/线路驱动器；3-sSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935265467118 74AHC257D,118 74AHC257D 四路 2 输入多路复用器；SOT109-1 SO16 RFS 无模拟与逻辑 935265468118 74AHC257PW,118 74AHC257PW,118 74AHC257PW 四路 2 输入多路复用器； SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟和逻辑 935263593118 74AHC273PW,118 74AHC273PW,118 74AHC273PW 八路 D 型触发器，带 SOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟和逻辑 935264186118 74AHC30D,118 74AHC30D,118 74AHC30D 8 输入 NAND 门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑 935264187118 74AHC30PW,118 74AHC30PW,118 74AHC30PW 8 输入 NAND 门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑935262642118 74AHC32D,118 74AHC32D,118 74AHC32D 四路 2 输入或门 SOT108-1 SO14 RFS 否 模拟与逻辑 935262643118 74AHC32PW,118 74AHC32PW,118 74AHC32PW 四 2 输入或门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935262652118 74AHC373PW,118 74AHC373PW 八路 D 型透明触发器；正SOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935262681118 74AHC374PW,118 74AHC374PW 八路 D 型触发器；正SOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935262008118 74AHC541PW,118 74AHC541PW,118 74AHC541PW 八路缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935263072118 74AHC573PW,118 74AHC573PW,118 74AHC573PW 八路 D 型透明 laSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935263081118 74AHC574PW,118 74AHC574PW,118 74AHC574PW 八路 D 型触发器； positSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟和逻辑 935282018118 74AHC594D,118 74AHC594D,118 74AHC594D 8 位移位寄存器，不带 SOT109-1 SO16 RFS 无模拟和逻辑 935282021118 74AHC594PW,118 74AHC594PW,118 74AHC594PW 8 位移位寄存器，不带 SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟和逻辑 935263078118 74AHC74D,118 74AHC74D,118 74AHC74D 双 D 型触发器，带 s SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑935263079118 74AHC74PW,118 74AHC74PW,118 74AHC74PW 带 s 的双 D 型触发器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935263563118 74AHC86D,118 74AHC86D,118 74AHC86D 四路 2 输入 EXCLUSIVE-O SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑 935263564118 74AHC86PW,118 74AHC86PW,118 74AHC86PW 四路 2 输入 EXCLUSIVE-O SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935337254118 74AHC9541APWJ 74AHC9541APWJ 74AHC9541APW 八路缓冲器/线路驱动器; 3-sSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟和逻辑 935262688118 74AHCT00D,118 74AHCT00D,118 74AHCT00D 四路 2 输入 NAND 门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑 935262689118 74AHCT00PW,118 74AHCT00PW,118 74AHCT00PW 四路 2 输入 NAND 门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935262690118 74AHCT02D,118 74AHCT02D,118 74AHCT02D 四路 2 输入 NOR 门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑935262691118 74AHCT02PW,118 74AHCT02PW,118 74AHCT02PW 四路 2 输入 NOR 门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935338676118 74AHCT04APWJ 74AHCT04APWJ 74AHCT04APW 六路反相器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935263038118 74AHCT04D,118 74AHCT04D 六路反相器 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑 935263039118 74AHCT04PW,118 74AHCT04PW,118 74AHCT04PW 六路反相器SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935308212118 74AHCT07APWJ 74AHCT07APWJ 74AHCT07APW 带开漏的六路缓冲器SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935262676118 74AHCT08D,118 74AHCT08D,118 74AHCT08D 四路 2 输入与门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑 935262677118 74AHCT08PW,118 74AHCT08PW,118 74AHCT08PW 四路 2 输入与门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935265561118 74AHCT123AD,118 74AHCT123AD,118 74AHCT123AD 双可重触发单稳态SOT109-1 SO16 RFS 否 模拟与逻辑 935265562118 74AHCT123APW,118 74AHCT123APW,118 74AHCT123APW 双可重触发单稳态SOT403-1 TSSOP16 RFS 否 模拟与逻辑 935262764118 74AHCT125D,118 74AHCT125D,118 74AHCT125D 四路缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935262765118 74AHCT125PW,118 74AHCT125PW,118 74AHCT125PW 四路缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935262766118 74AHCT126D,118 74AHCT126D 四路缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935262767118 74AHCT126PW,118 74AHCT126PW,118 74AHCT126PW 四路缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935262995118 74AHCT132D,118 74AHCT132D,118 74AHCT132D 四路 2 输入 NAND Schmi SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935262996118 74AHCT132PW,118 74AHCT132PW,118 74AHCT132PW 四路 2 输入 NAND Schmi SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935262997118 74AHCT138D,118 74AHCT138D 3 至 8 线解码器/解复用器 SOT109-1 SO16 RFS 无模拟与逻辑935262998118 74AHCT138PW,118 74AHCT138PW,118 74AHCT138PW 3 至 8 线解码器/多路分解器 SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟和逻辑 935263567118 74AHCT139D,118 74AHCT139D 双 2 至 4 线解码器/多路分解器 SOT109-1 SO16 RFS 无模拟和逻辑 935263568118 74AHCT139PW,118 74AHCT139PW,118 74AHCT139PW 双 2 至 4 线解码器/多路分解器 SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟和逻辑 935308206118 74AHCT14APWJ 74AHCT14APWJ 74AHCT14APW 六路反相施密特触发器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935262760118 74AHCT14D,118 74AHCT14D,118 74AHCT14D 六路反相施密特触发器 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935262761118 74AHCT14PW,118 74AHCT14PW,118 74AHCT14PW 六路反相施密特触发器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935264000118 74AHCT157D,118 74AHCT157D,118 74AHCT157D 四路 2 输入多路复用器 SOT109-1 SO16 RFS 无模拟与逻辑 935264001118 74AHCT157PW,118 74AHCT157PW 四路 2 输入多路复用器 SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟与逻辑 935265463118 74AHCT164D,118 74AHCT164D,118 74AHCT164D 8 位串行输入/并行输出 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935265464118 74AHCT164PW,118 74AHCT164PW,118 74AHCT164PW 8 位串行输入/并行输出 sSOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935338682118 74AHCT17APWJ 74AHCT17APWJ 74AHCT17APW 十六进制缓冲施密特触发器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935282629118 74AHCT240PW,118 74AHCT240PW,118 74AHCT240PW 八进制缓冲器/线路驱动器；invSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935308262118 74AHCT244APWJ 74AHCT244APWJ 74AHCT244APW 八进制缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935261959118 74AHCT244PW,118 74AHCT244PW,118 74AHCT244PW 八路缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935307876118 74AHCT245APWJ 74AHCT245APWJ 74AHCT245APW 八路总线收发器； 3-staSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935261962118 74AHCT245PW,118 74AHCT245PW,118 74AHCT245PW 八路总线收发器； 3-staSOT360-1 TSSOP20 RFS 无 模拟与逻辑 935265469118 74AHCT257D,118 74AHCT257D,118 74AHCT257D 四路 2 输入多路复用器；SOT109-1 SO16 RFS 无 模拟与逻辑 935265470118 74AHCT257PW,118 74AHCT257PW,118 74AHCT257PW 四路2输入多路复用器； SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟和逻辑 935263591118 74AHCT273PW,118 74AHCT273PW,118 74AHCT273PW 八路 D 型触发器，带 SOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟和逻辑 935264184118 74AHCT30D,118 74AHCT30D 8 输入 NAND 门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑 935264185118 74AHCT30PW,118 74AHCT30PW 8 输入 NAND 门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935262640118 74AHCT32D,118 74AHCT32D 四 2 输入或门 SOT108-1 SO14 RFS 无 模拟与逻辑 935262641118 74AHCT32PW,118 74AHCT32PW,118 74AHCT32PW 四 2 输入或门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无 模拟与逻辑 935262683118 74AHCT374PW,118 74AHCT374PW,118 74AHCT374PW 八路 D 型触发器；positSOT360-1 TSSOP20 RFS 无 模拟与逻辑 935306647118 74AHCT541APWJ 74AHCT541APWJ 74AHCT541APW 八路缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935261978118 74AHCT541PW,118 74AHCT541PW,118 74AHCT541PW 八路缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935263074118 74AHCT573PW,118 74AHCT573PW,118 74AHCT573PW 八路 D 型透明 laSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935263083118 74AHCT574PW,118 74AHCT574PW,118 74AHCT574PW 八路 D 型触发器； positSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟和逻辑 935282014118 74AHCT594D,118 74AHCT594D 8 位移位寄存器，不带 SOT109-1 SO16 RFS 无模拟和逻辑 935282016118 74AHCT594PW,118 74AHCT594PW,118 74AHCT594PW 8 位移位寄存器，不带 SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟和逻辑 935265559118 74AHCT595D,118 74AHCT595D,118 74AHCT595D 8 位串行输入/串行输出或 SOT109-1 SO16 RFS 无模拟和逻辑935265560118 74AHCT595PW,118 74AHCT595PW,118 74AHCT595PW 8 位串行输入/串行输出或 SOT403-1 TSSOP16 RFS 无模拟和逻辑 935263076118 74AHCT74D,118 74AHCT74D,118 74AHCT74D 带引脚的双 D 型触发器 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑 935263077118 74AHCT74PW,118 74AHCT74PW,118 74AHCT74PW 带引脚的双 D 型触发器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935263554118 74AHCT86D,118 74AHCT86D,118 74AHCT86D 四路 2 输入 EXCLUSIVE-O SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935263555118 74AHCT86PW,118 74AHCT86PW,118 74AHCT86PW 四路 2 输入 EXCLUSIVE-O SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935263042118 74AHCU04D,118 74AHCU04D,118 74AHCU04D 六路无缓冲反相器 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟与逻辑 935263043118 74AHCU04PW,118 74AHCU04PW,118 74AHCU04PW 六路无缓冲反相器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无 模拟与逻辑 935690682118 74AHCV05APWJ 74AHCV05APW 六路反相器施密特触发器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无 模拟与逻辑 935308213118 74AHCV07APWJ 74AHCV07APWJ 74AHCV07APW 带开漏的六路缓冲器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无 模拟与逻辑 935308207118 74AHCV14APWJ 74AHCV14APWJ 74AHCV14APW 六路反相施密特触发器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无 模拟与逻辑935330431118 74AHCV17APWJ 74AHCV17APWJ 74AHCV17APW 十六进制缓冲区施密特触发器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑 935308263118 74AHCV244APWJ 74AHCV244APWJ 74AHCV244APW 八进制缓冲区/线路驱动器；3-sSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935307877118 74AHCV245APWJ 74AHCV245APWJ 74AHCV245APW 八进制总线收发器； 3-staSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟与逻辑 935306648118 74AHCV541APWJ 74AHCV541APWJ 74AHCV541APW 八路缓冲器/线路驱动器； 3-sSOT360-1 TSSOP20 RFS 无模拟和逻辑 935269710118 74ALVC00D,118 74ALVC00D,118 74ALVC00D 四路 2 输入 NAND 门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑 935269711118 74ALVC00PW,118 74ALVC00PW,118 74ALVC00PW 四路 2 输入 NAND 门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935269712118 74ALVC02D,118 74ALVC02D,118 74ALVC02D 四路 2 输入 NOR 门 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑935269713118 74ALVC02PW,118 74ALVC02PW,118 74ALVC02PW 四路 2 输入 NOR 门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935269715118 74ALVC04D,118 74ALVC04D,118 74ALVC04D 六路反相器 SOT108-1 SO14 RFS 无模拟和逻辑 935269714118 74ALVC04PW,118 74ALVC04PW 六路反相器 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟和逻辑 935269716118 74ALVC08D,118 74ALVC08D,118 74ALVC08D 四路2 输入与门 SOT108-1 SO14 RFS 否 模拟与逻辑 935269717118 74ALVC08PW,118 74ALVC08PW,118 74ALVC08PW 四路 2 输入与门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 否 模拟与逻辑118 74ALVC08PW 四路 2 输入与门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑118 74ALVC08PW 四路 2 输入与门 SOT402-1 TSSOP14 RFS 无模拟与逻辑
10T SRAM 存储器单元的设计
1. 简介 当今社会，微电子技术被广泛应用于各种设备中。电子设备在世界范围内的快速普及，促使人们开始审视新技术，尤其是存储器。存储器越来越多地用于生物、无线和可实现设备中。存储器的各个部分在现代 VLSI 系统中组织起来。半导体存储器是 VLSI 架构不可或缺的一部分。RAM（随机存取存储器）有两种形式：SRAM（静态随机存取存储器）和 DRAM（动态随机存取存储器）[2]。动态一词表示理想存储电容器的电荷必须定期刷新，这就是 DRAM 很少使用的原因。为了提高稳定性和功耗，已经提出了许多SRAM单元设计，但传统的6T单元仍然提供了尺寸和性能的良好平衡，因为传统的6T单元具有非常紧凑和简单的结构，但是其操作电压最小并且受到相互冲突的读写稳定性要求的限制，因此它不用于超低电压操作。有几种针对存储器单元的设计提案以提高速度和功率，其中一种技术专注于提高SNM的低功耗（其他存储器配置（7T，8T，9T）各有优缺点）[1]。六个MOSFET组成一个典型的SRAM单元。四个晶体管（PM0，PM1，NM0和NM1）存储一位并形成两个交叉耦合的反相器。有两种稳定状态，用数字 0 和 1 表示。传统的 6T 单元很简单，但在低压下稳定性较差，因此我们努力通过各种方法提高其读写稳定性，例如双轨电源、负位线、带动态反馈管理的单位线等。然而，为了正常运行，6T SRAM 的