• 独特的破裂算法,比传统的信号导数更强大 • 用于 EPD 处理的大量高级算法 • 一键式概念,轻松生成算法 • 可扩展平台(单腔或集群工具) • 快速配方配置,实现强大的端点创建 • 高级设备控制 (AEC) / 过程控制 (APC) (wafer2wafer、Run2Run、Lot2Lot、Clean2Clean) • SQL 数据库,方便进行数据比较和解释 • 不同的用户级别 • 再处理功能以验证过程(EPD) • 统计工具 • 灵活的工具远程连接
在光发射的一步模型中报告了一种用于角度分辨光发射光谱(ARPES)计算的多功能方法。初始状态是使用投影仪调节波(PAW)方法从重复slab计算获得的。arpes最终状态是通过将正能量的重复标记特征状态与满足时间转移的低能量电子衍射边界条件相匹配的。匹配方程的非物理解(不尊重频道保护)被丢弃。该方法应用于石墨烯的表面正常光发射,这是光子能量从阈值到100 eV的函数。将结果与独立执行的多个散射计算进行了比较,并获得了非常良好的一致性,前提是使用从爪子伪载体重建的全电子波来计算光发射矩阵元素。但是,如果直接使用了伪瓦,则通过数量级,σ-和π频带发射之间的相对强度是错误的。石墨烯ARPES强度具有强大的光子能依赖性,包括共振。来自π带的正常发射光谱在31 eV的光子能量下显示了迄今未报告的尖锐共振。共振是由于二维间互间跃迁引起的,并突出了最多的矩阵元素效应的重要性,而不是最终状态平面波近似。
美国环境保护局(美国EPA)危险空气污染物(HAP)包括涉嫌或与癌症发展有关的有毒金属。用于检测和量化大气中有毒金属的传统技术不是实时的,可以阻碍来源的识别,或者受仪器成本限制。火花发射光谱是一种有前途且具有成本效益的技术,可用于实时分析有毒金属。在这里,我们开发了一种具有成本效益的火花发射光谱系统,以量化美国EPA靶向的有毒金属的浓度。具体来说,将CR,Cu,Ni和Pb溶液稀释并沉积在火花发射系统的接地电极上。最低绝对收缩和选择算子(LASSO)被优化并使用,以检测来自火花生成的等离子体排放的有用特征。优化的模型能够检测原子发射线以及其他功能,以构建回归模型,该模型可预测观察到的光谱中有毒金属的浓度。使用检测到的特征估算了检测的极限(LOD),并与传统的单特征方法进行了比较。lasso能够检测输入频谱中的高度敏感特征。但是,对于某些有毒的金属,单功能的LOD略优胜于套索。低成本仪器与高级机器学习技术用于数据分析的组合可以为数据驱动的解决方案铺平道路,以实现昂贵的测量。
使用微聚焦 MeV 质子束 (micro-PIXE) 的质子诱导 X 射线发射是一种强大的分析工具,可用于定量分析样品中微量和痕量元素的空间分布,分辨率可达微米。位于卢布尔雅那的 Jo ˇ zef Stefan 研究所 (JSI) 微分析中心的离子探针光束线 1 通常用于执行 micro-PIXE 映射。由于其出色的功能(例如对冷冻水合组织进行 micro-PIXE 分析 2),它吸引了广泛的用户群,尤其是来自生物学和医学领域的用户 3 – 5 我们的微探针分析的最大总表面积限制为 ∼ 1 mm 2 。后者,再加上对真空样品环境的需求,带来了一些重要的实验限制。因此,我们最近升级了我们的外部光束线,现在可以与微探针光束线互补使用,以中等横向分辨率(几十毫米)对较大的物体进行空中微 PIXE 分析。6
科学技术学院的卡梅利诺大学,通过麦当娜·德尔·普里索(Madonna Delle Priso)9,62032卡梅利诺(Camerino),MC,意大利。e-mail: roberto.gunnella@unicam.it B Department of Physical and Chemical Sciences (DSFC), University of L'Aquila Studies, Via Vetoio 10, 67100 L'Aquila, Italy C Institute of Structure of the Matter-Cnr (ISM-CNR), S.S. 14, km 163.5, 34149 Trieste, Italy d faculty of applied physics and数学和高级材料中心,Gdansk技术大学,UL。narutowicza 11/12,80-233 GDANSK,波兰,波兰和物理系科学技术部拉合尔大学拉合尔大学,巴基斯坦Jauharabad校园,巴基斯坦F CN-Spin us l'aquila,Via Vetoio 10,67100 l'aquila via vetoio l'aquila,意大利vetoio 10,67100 l'aquila,意大利g iffn-ifnyaly g infn-g infn-sez。Perugia,通过意大利Pascoli Perugia†电子补充信息(ESI)。参见doi:https://doi.org/ 10.1039/d2cp04586a
摘要:锂镍锰钴(LiNi x Co y Mn z ,NCM)复合材料在先进电子器件和材料/合金中的应用十分广泛,其杂质成分分析是评价其质量的重要领域。本文提出了采用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP-OES)测定NCM复合材料中硫的方法。研究了Si、Fe、Mn、Mg、Ca、Ni、Cr及主基体共存杂质的影响。在优化的条件下,硫在0~10 mg/L(±0.9999)范围内呈现良好的线性关系,加标回收率为98.11~102.07%,RSD为3.69%,共存杂质含量低于5.0%对硫的测定无明显干扰。该方法可以作为NCM复合材料中痕量硫含量的可靠测定。
摘要:直接金属沉积(DMD)可用于表面的覆层以及修复零件和功能的修复和增材制造。过程监视和控制方法可确保制造过程中的质量一致。通过光发射光谱进行过程辐射进行监测可以提供有关过程条件和沉积层的信息。这项工作的目的是使用光谱仪从过程中测量光学排放,并识别光谱中的元素线。单光谱已从该过程中记录下来。基于CO的粉末(METCOCLAD21)的单个轨道在S235碱基材料上被覆盖。已经研究了各种过程参数对元素线发病率和强度的影响。此外,已经对光谱排放的激光束,粉末射流和底物之间的相互作用进行了单独检查。结果表明元素线不经常发生。因此,单光谱被分类为包括元素线(A型)和不包括元素线(B型)的光谱。此外,只能检测到非离子元素,铬经常出现。表明,增加激光功率会增加A型光谱的发生率和特定CR I线的强度。,元素线仅在激光束与沉积层的熔体池相互作用中经常发生。
摘要:稳态的视觉诱发电位(SSVEP)是脑电图中与事件相关的潜力(EEG),已应用于大脑 - 计算机接口(BCIS)。基于SSVEP的BCIS目前在各种BCI实施方法中在信息传输率(ITR)方面表现最好。规范组件分析(CCA)或频谱估计(例如傅立叶变换及其扩展)已用于提取SSVEP的特征。但是,这些信号提取方法在可用的刺激频率上有限制。因此,命令的数量有限。在本文中,我们提出了一个复杂的有价值的卷积神经网络(CVCNN),以克服基于SSVEP的BCI的限制。实验结果表明,所提出的方法克服了刺激频率的限制,并且表现优于常规的SSVEP特征提取方法。
随着相关应用领域的扩大,人们对 AlN 基 III 族金属氮化物半导体合金(如 (Al,Ga)N 和 (Al,In,Ga)N)的关注度也与日俱增。首先,人们之所以对它们感兴趣,是因为它们具有可调特性,可用于发光二极管 (LED) 和其他光电应用 [1],并且具有宽带隙 (WBG) 半导体特性,可用于射频 (RF) 和电力电子应用中的高电子迁移率晶体管 (HEMT)。[2] 2009 年,首次有报道称在 AlN 中添加钪可显著提高压电响应 [3],并很快被用于压电薄膜器件,如手机中的薄膜体声波谐振器 (FBAR)。 [4] 最近有关 Al 1-x Sc x N(x ≥ 0.1)的铁电性的报道,作为第一种纤锌矿铁电材料,引起了进一步的科学兴趣[5,6],也引起了作为混合逻辑存储器设备候选者的重大技术兴趣。