摘要:在电线和弧添加剂制造(WAAM)和融合焊接中,在制造过程中可能会发生各种缺陷,例如孔隙度,裂纹,变形和融合。这些对机械性能有很大的影响,也可能导致服务过程中的制造零件失败。可以使用非破坏性测试(NDT)方法识别这些缺陷,以免受到检查的工件受到损害。本文提供了有关WAAM和融合焊接各种NDT技术的全面概述,包括带有空气式光学麦克风,光学发射光谱,激光诱导的分解光谱的激光 - 声学发射,激光摄影的监测和示例均可探测,还可以触发何处。示波器。此外,还提供了新的研究,其操作原理和执行这些技术所需的设备。可以通过NDT方法识别的最小缺陷大小是从先前的学术研究或公司进行的测试中获得的。在WAAM和融合焊接应用中使用这些技术使检测缺陷并迈出一步迈向高质量最终组件的生产。
确定样品化学成分的最重要信息是,分析物元素的凝聚相和原子化物会发射出从可见光到 X 射线波长范围内的辐射。在大多数情况下,都会观察和分析来自外层电子轨道的激发态发出的原子发射,因为它可以使定量分析更准确、更精确。等离子体发射光谱法,例如射频电感耦合等离子体发射光谱 (ICP-OES),是用于测定钢中除气态元素外的合金元素和杂质元素的典型分析工具,浓度范围从几十% 到几 ppm。1,2) ICP-OES 为钢铁制造业开发先进产品做出了贡献。 3,4) 另一方面,使用火花放电等离子体的等离子体发射光谱法 (SD-OES),通常称为 QuantVac (QV),5) 已用于钢铁生产中的现场/在线分析,并且特别适用于钢铁产品的质量和过程控制。6) ICP-OES 通常需要对样品进行预处理,包括酸分解和水溶解,而 SD-OES 可直接测定固体钢样品中的元素,这是该分析方法具有广泛应用的主要原因。
图3。径向极化的QD激光是从杂种W TM -SLR纳米腔实现的。(a)在线性尺度上针对不同输入泵脉冲能的正常检测角度收集的发射光谱。插图:输出发射强度是对数字尺度上输入泵脉冲能量的函数。(b)激光发射光束的远场图案。白色箭头显示输出激光模式的极化方向。(c)在选定的极化方向下的光束轮廓。白色箭头在检测器前显示线性偏振器的偏振方向。(d)在p偏振光下的小波vector上模拟带结构。黑色圆圈指示k x = 0的w tm -slr模式。红色圆圈表示在非零K x处的W TM -SLR边带。(E)在W TM -SLR边带处模拟电场(| E | 2,单位为V 2 /M 2)。在模拟中将入射光E 0的电场设置为1 V/m。
铜是维持体内平衡所需的必需微量元素,并且由于其氧化还原活性,参与多种酶的功能。尽管如此,有迹象表明它参与了神经退行性疾病的发展,特别是在铜过量的情况下。因此,本研究研究了铜对秀丽隐杆线虫(蛔虫)炎症的影响。由于秀丽隐杆线虫没有适应性免疫系统,氧化应激可作为炎症的标志。此外,由于线虫与人类的遗传同源性,许多机制(例如 MAP 激酶途径)是保守的。对秀丽隐杆线虫野生型和各种缺失突变体的行为进行了检查。为此,首先使用电感耦合等离子体发射光谱 (ICP-OES) 测定铜的生物利用度。为了确定活性氧和氮物种 (RONS) 引起的氧化应激,在铜孵育后进行了羧基-DCFH 2 -DA 测定(DCF 测定)。此外,使用 daf-16::GFP 菌株记录了 FOXO 直系同源物 daf-16 的易位性。daf-16 基因存在于秀丽隐杆线虫和其他物种中参与对氧化应激的反应,可以使用荧光显微镜在秀丽隐杆线虫中进行光学检测。除了硫酸铜之外,还检查了作为炎症介质的脂多糖 (LPS),以显示对 RONS 的反应与经典炎症介质之间的联系。
图片标题 图 S1 C9 和 C12 变体的 EP-PCR 文库。 图 S2 对 mCherry 家族进行诱变努力以实现寿命进化的总结。 图 S3 空间远距离替换对光物理特性的作用。 图 S4 寿命和酵母细胞共同进化轨迹。 图 S5 哺乳动物细胞的细胞亮度。 图 S6 大肠杆菌的光漂白趋势。 图 S7 比较大肠杆菌在激发速率标准化条件下的光稳定性。 图 S8 归一化的吸收和发射光谱。 图 S9 变体的荧光各向异性衰减和旋转时间常数(τ r)。 图 S10 变体的荧光衰减和平均寿命(τ)。 图 S11 变体的荧光量子产率()。 图 S12 mCherry 变体的辐射速率常数分析。图 S13 总非辐射速率常数与能隙的拟合。图 S14 相关可观测量的示意图。图 S15 波数尺度上的吸光度和荧光光谱。图 S16 方程 S2 中的分子和分母函数。补充数据表列表
通过金属-绝缘体-金属隧道结的非弹性隧穿 (LEIT) 发光是一种超快发射过程。它是在集成电路上实现从电信号到光信号的超快转换的有前途的平台。然而,现有的 LEIT 器件制造程序通常涉及自上而下和自下而上的技术,这降低了它与现代微加工流程的兼容性并限制了其在工业扩大规模中的潜在应用。在这项工作中,我们通过使用原子层沉积生长的多层绝缘体作为隧道屏障来解除这些限制。我们首次完全通过微加工技术制造 LEIT 器件,并在环境条件下表现出稳定的性能。在整个有源区域上观察到均匀的电致发光,发射光谱由金属光栅等离子体形成。在 LEIT 中引入多层绝缘体可以为设计隧道屏障的能带景观提供额外的自由度。所提出的制备稳定的超薄隧道势垒的方案也可能在广泛的集成光电器件中找到一些应用。
电化学基因传感器技术的发展与纳米科学一起成为科学界最令人兴奋的领域之一,实验发展受到对新技术应用的迫切需求的推动。开发用于灵敏和特异性检测生物分子的高效电化学基因传感器对于基础生物医学研究和临床诊断都至关重要。由于零维量子点具有优异的性能,例如比高维结构(即块体、量子阱和量子线)具有更高的态密度、[1] 优异的传输和光学特性、[2,3] 异常高的表面体积比、[4] 窄且尺寸可调的发射光谱、多功能表面改性、连续吸收光谱和独特的电化学活性,[5–7] 零维量子点被认为是开发具有高灵敏度、良好特异性和简单性的高效基因传感器的一种有利且有前途的替代方案。这意味着可以用一系列传感元件(如 DNA、肽和抗体)轻松修饰量子点表面,以构建有用的量子点标记探针/传感器。该传感器主要由通过连接器固定在电极上的 QD 组成,因此当受到激发时,
如此高度蓝色的SIV发射线提出了有关其起源的审讯。到目前为止,有人建议这些蓝线可能起源于新的基于硅的缺陷[1]。我们认为它们起源于受到强量子电动力效应的SIV中心。为了支持这一主张,我们研究了在SIV发光光谱中观察到的声子侧带。图s1a,我们比较了单个SIV缺陷的室温发射光谱(蓝色曲线),并在k(粉红色曲线,[2]中获取的数据8)中获得的室温(蓝色曲线)[2-7]。引人注目的相似性,并且可以绘制振动模式之间的直接对应关系。根据在实验曲线上执行的分解多洛伦兹拟合,侧带特征位于MEV,MEV,MEV,MEV,MEV,MEV和〜43 〜43 〜75 〜92 〜92 〜92 〜143 〜143 〜156 MEV相对于ZPL(见图。s1b)。频谱显示出与大约166个幅度和宽度相同的模式,但由于应变诱导的变形而在位置移动。
色量热法引入了一种新颖的方法,用于通过将量子点(QD)技术集成到传统的均质量热计中,以实现高能物理(HEP)的热量计设计方法。QD的可调发射光谱为能量重建和均匀设备中的粒子识别提供了新的可能性。本文介绍了旨在验证基于QD基于QD的量量热法的可行性的色量热仪的初始概念设计。该研究通过详细的模拟评估了其预期性能,将结果与现有的量热技术进行了比较。通过嵌入闪烁体中具有不同排放特性的QD,我们旨在改善定时分辨率和纵向分割,从而为将来的HEP实验开辟了新的途径,以进行精确测量。尽管需要进一步的开发和验证,但QD增强检测器可能代表了将来的HEP实验的可行选择,为解决不断发展的粒子检测需求提供了附加的工具。
我们提出了一种旨在在四级原子光耦合系统中与携带轨道角动量(OAM)相互作用的四级原子光耦合系统中自发发射系统中的时尚控制的方案。原子包含一个地面和两个激发态,并与两个激光场相结合,形成了一个V子系统,其中上部状态仅通过两个通道腐烂到共同的第四个状态。通过研究原子的各种初始状态,并考虑自发发射通道中的量子干扰的存在或不存在,我们分析了如何在发射光谱上携带OAM的涡流束烙印的特征。光学涡流与量子系统(包括其环境模式)之间的相互作用会引起各种各样的时尚行为,包括二维光谱狭窄,光谱峰增强,光谱峰抑制和空间azimuthal平面中的自发发射或淬火。我们的发现阐明了原子 - 涡流光束相互作用的动力学,并提供了对量子水平上发射特性操纵的见解。