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World File Search System发射极
doi：10.29026/oea.2024.230194超高性能被动辐射辐射冷却通过混合极性介电介电元素呈热发射器
现实世界被动辐射冷却需要高度发射，选择性和全向热发射器，以将辐射冷却器保持在一定温度以下的一定温度下，同时最大程度地提高净冷却能力。尽管已经证明了各种选择性的热发射器，但由于控制多维中光子结构的热发射的极端困难，达到这些条件仍然具有挑战性。在这里，我们证明了与机器学习逆设计的混合极性介电交层热发射器，在8-13μm的大气透明度窗口中，高发射率约为0.92，大光谱选择性〜1.8，较大的发射范围为80度，高达80度。这种选择性和全向热发射极导致在〜800 w/m 2的强太阳照射下，温度降低至〜15.4°C的新记录，这显着超过了最新的结果。设计的结构在应对城市热岛效应方面还具有巨大的潜力，建模结果表明节能和部署区域减少。这项研究将对被动辐射冷却，热能光子学和应对全球气候变化产生重大影响。
使用等离子体元面的单个半导体量子发射器的发射模式的可逆切换
在过去的几十年中，量子技术领域一直在迅速扩展，产生了许多应用，例如量子信息，量子通信和量子网络安全。在这些应用的核心上是量子发射极（QE），这是单个光子或光子对的确切可控的发电机。半导体QE，例如钙钛矿纳米晶体和半导体量子点，作为纯单个光子的发射器表现出很大的希望，当用等离子体型纳米腔杂交时，具有产生光子对的潜力。在这项研究中，我们开发了一个系统，在该系统中，可以以可控的方式与外部等离子跨表面进行交互之前，期间和之后，可以追溯到单个量子发射器及其集合。将外部等离质元面耦合到量化量阵列后，单个QES从单光子发射模式切换到多光子发射模式。值得注意的是，该方法保留了QE的化学结构和组成，使它们可以在与等离子次曲面解耦后恢复至初始状态。这显着扩大了半导体QE在量子技术中的潜在应用。
晶体管，集成电路的基本元件
晶体管的名称来自“传输”和“电阻”，它是微电子集成电路的基本元件，在纳米电子尺度上经过必要的改变后，它仍将保持原有的地位：它还非常适合放大等功能，它还执行一项基本功能，即根据需要打开或关闭电流，就像一个开关装置（图）。因此，它的基本工作原理可直接应用于逻辑电路（反相器、门、加法器和存储单元）中二进制代码的处理（0，电流被阻止，1，电流通过）。晶体管基于电子在固体中而不是在真空中的传输，就像旧式三极管的电子管一样，它由三个电极（阳极、阴极和栅极）组成，其中两个电极用作电子储存器：源极用作电子管的发射极灯丝，漏极用作集电板，栅极用作“控制器”。这些元件在当今使用的两种主要晶体管类型中以不同的方式工作：先出现的双极结型晶体管和场效应晶体管 (FET)。双极晶体管使用两种类型的电荷载体，电子（负电荷）和空穴（正电荷），并由相同掺杂（p 或 n）的半导体衬底部分组成
明智的杂种掺杂会产生高性能的深蓝色/近紫外的多滋养热激活的延迟荧光OLED
提出了两个多弹性热激活的延迟荧光（MR-TADF）发射器，并显示了如何进一步的深蓝色MR-TADF Emitter（didobna-n）的blueShifts，blueshifts，并缩小产生新的近乎UV的MR-TADDF EMitter，MESB-DIDOBNA-N，MESB-DIDOBNA，MESB-DIDOBNA-N。didobna-n发出明亮的蓝光（𝚽 pl = 444 nm，fwhm = 64 nm，𝚽 pl = 81％，𝝉 d = 23 ms，tspo1中的1.5 wt％）。基于此扭曲的MR-TADF化合物的深蓝色有机发光二极管（OLED）显示，CIE Y的设备为0.073的设备的最大最大外部量子效率（EQE MAX）为15.3％。融合的平面MR-TADF发射极，MESB-DIDOBNA-N显示出近量的较小和窄带（𝝀 pl = 402 nm，fWHM = 19 nm，𝚽 pl = 74.7％，𝝉 d = 133 ms，TSPO1中的1.5 wt％）。掺有共同主持人的MESB-DIDOBNA-N最好的OLED显示出近紫外OLED的最高效率为16.2％。以0.049的CIE坐标为0.049，该设备还显示了迄今为止MR-TADF OLED的最蓝EL。
![arxiv：2311.02949v2 [Physics.optics] 2024年3月7日](/simg/g:\will\search\icon\source\a\a7391110e63e2b12ce7f9c506525c993c3a011e9.webp)
arxiv：2311.02949v2 [Physics.optics] 2024年3月7日
控制集成光子电路中组件的控制对于实现可编程功能至关重要。等离子设备的操作带宽通常一旦制造就无法调整，尤其是在可见的方向上。在这里，我们演示了可见式示例的这种设备的电气控制，以进行外径光学传输（EOT）。（i）EOT设备的操作频率可以通过通过纳米线施加的偏置电压调节。（ii）或在给定频率下，可以连续调整EOT信号（标准化为入射场），例如10-4至0之间。4。这对应于3个幅度调制深度。我们利用嵌入到纳米骨中的量子发射极（QE）引起的FANO共振。外部偏置电压调音量量子量量子的共振。我们还讨论了表面等离子体极化子的寿命延伸，以响应超短脉冲。我们提出的方法提供了对EOT信号的主动电子控制，这使其成为集成光子电路中的可行且紧凑的元素，用于生物感应，高分辨率成像和分子光谱应用。
基础电子学的目标
单元 1：组件 14 小时 组件简介 – 无源组件和有源组件 – 电阻器、标准化、颜色编码技术、电阻器类型 – 电容器、电容器类型 – 电感器、电感器类型、特性和规格、变压器、变压器类型。 二极管 - 原子理论 – 硅和锗的结构 – 导体、半导体、绝缘体的能带图 – 本征和非本征半导体 – PN 结二极管 – 正向和反向偏置 PN 结的特性。 单元 2：特殊二极管及其应用 8 小时 特殊二极管 – 齐纳二极管 – 发光二极管 (LED) – 光敏二极管 (LDR)。 整流器 – 半波和全波（桥式和中心抽头）整流器 – 纹波系数 – 整流器的效率和滤波电路。第 3 单元：晶体管和偏置方法 17 小时 双极结型晶体管 – 晶体管结构 – PNP 和 NPN 晶体管 – 工作模式 – 共基极配置 (CB)、共发射极配置 (CE)、共集电极配置 (CC) – 晶体管参数 – α 和 β 之间的关系 – 偏置方法 – 固定偏置 – 集电极-基极偏置 – 发射极偏置场效应晶体管 – FET 的分类 – BJT 和 JFET 的比较研究 – FET 的优点和缺点 – JFET 的结构 – JFET 特性 – MOSFET（增强和耗尽）
硼、氮和氧掺杂的 𝝅 延伸螺旋
窄带发射多谐振热激活延迟荧光 (MR-TADF) 发射器是一种有前途的解决方案，无需使用光学滤光片即可实现当前行业针对蓝色的色彩标准 Rec. BT.2020-2，旨在实现高效有机发光二极管 (OLED)。然而，它们的长三线态寿命（主要受其缓慢的反向系统间穿越速率影响）会对器件稳定性产生不利影响。在本研究中，设计并合成了螺旋 MR-TADF 发射器 (f-DOABNA)。由于其𝝅 -离域结构，f-DOABNA 拥有较小的单重态-三重态间隙𝚫 E ST ，同时显示出异常快的反向系统间穿越速率常数k RISC ，高达 2 × 10 6 s − 1 ，以及非常高的光致发光量子产率𝚽 PL ，在溶液和掺杂薄膜中均超过 90%。以 f-DOABNA 为发射极的 OLED 在 445 nm 处实现了窄深蓝色发射（半峰全宽为 24 nm），与国际照明委员会 (CIE) 坐标 (0.150, 0.041) 相关，并显示出较高的最大外部量子效率 EQE max ，约为 20%。
美国安装的公用事业规模太阳能光伏系统的最新生命周期评估
AB 避免的负担 ac 交流电 BOS 系统平衡 CED 累积能量需求 CO 2 e 二氧化碳当量 CPBT 碳回收时间 dc 直流电 DOE 美国能源部 EOL 使用寿命结束 EPBT 能量回收时间 EVA 乙烯醋酸乙烯酯 g 克 GHG 温室气体 GW 吉瓦 GWP 全球变暖潜能 IEA-PVPS 国际能源署光伏发电系统计划 IPCC 政府间气候变化专门委员会 kg 千克 kWh 千瓦时 kW dc 千瓦、直流电 LCA 生命周期评估 MJ 兆焦耳 MW 兆瓦 NETL 国家能源技术实验室 NPCC 东北电力协调委员会 nr-CED 不再生累积能量需求 NREL 国家可再生能源实验室 oil-eq 油当量 PERC 钝化发射极和背面电池 PV 光伏电池 PVF 聚氟乙烯 SETO 太阳能技术办公室 Si 硅 STC 标准测试条件 UPV 公用事业规模光伏电池 W 瓦
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在过去的几十年中，量子技术领域一直在迅速扩展，产生了许多应用，例如量子信息，量子通信和量子网络安全。在这些应用的核心上是量子发射极（QE），这是单个光子或光子对的确切可控的发电机。半导体QE，例如钙钛矿纳米晶体和半导体量子点，作为纯单个光子的发射器表现出很大的希望，当用等离子体型纳米腔杂交时，具有产生光子对的潜力。在这项研究中，我们开发了一个系统，在该系统中，可以以可控的方式与外部等离子跨表面进行交互之前，期间和之后，可以追溯到单个量子发射器及其集合。将外部等离质元面耦合到量化量阵列后，单个QES从单光子发射模式切换到多光子发射模式。值得注意的是，该方法保留了QE的化学结构和组成，使它们可以在与等离子次曲面解耦后恢复至初始状态。这显着扩大了半导体QE在量子技术中的潜在应用。
侧向双极PNP晶体管的设计和制造...
图1所示的垂直NPN设备制造的标准过程始于P类型基板。基板在将制造NPN设备设备的区域中植入N型掺杂剂（例如砷）。该植入物被称为埋藏层，因为下一步是N型硅的外延生长。掩埋层的板电阻远低于外延层的电阻。AR分离扩散是用诸如硼的P Tyne掺杂剂进行的。这会产生由P型隔离所包围的N型材料的电隔离岛。是这些N型区域，它们是侧向NPN设备的收集器。直接在这些区域的下方将是先前讨论的埋藏层。掩埋层通过为电流流动创造低电阻路径来降低收集器电阻。这是产生所需的电气设备特性所需的。进入N型岛群体被扩散为P型硼基。当将N型掺杂剂（如磷）扩散到碱基中时，发射极会形成。垂直NPN结构现在很明显。