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World File Search System发射极
通过锥形光纤发射极对单个神经元的非生成光声刺激
高空间分辨率下的抽象神经调节在促进神经科学领域的基本知识和提供新颖的临床治疗方面提高了重要意义。在这里，我们开发了一个锥形光声发射极（TFOE），该发射极（TFOE）产生了一个高空间精度为39.6 µm的超声场，从而使单个神经元或亚细胞结构（例如轴突和轴突）的光声激活能够进行光声激活。在时间上，由TFOE从3 ns的单个激光脉冲转化的亚微秒的单声脉冲显示为迄今为止成功的神经元激活的最短声刺激。TFOE产生的精确超声可以使光声刺激与单个神经元上高度稳定的贴片钳记录集成。已经证明了单个神经元对声学刺激的电反应的直接测量，这对于常规超声刺激很难。通过将TFOE与离体脑切片电生物学耦合，我们揭示了兴奋性和抑制性神经元对声学刺激的细胞型特异性反应。这些结果表明，TFOE是一种非遗传单细胞和亚细胞调制技术，它可能对超声神经刺激的机制有了新的见解。
利用发射极电容/电阻衰减的宽带 InP 跟踪保持放大器
摘要 — 在本信中，我们介绍了一种适用于高速采样系统的基于磷化铟 (InP) 双异质结双极晶体管 (DHBT) 技术的 24 GSa/s、> 20 GHz 宽带跟踪保持放大器 (THA)。在所提出的方法中，输入级的输出极点被发射极电容/电阻衰减产生的零点抵消，从而扩展了带宽而没有压降。引入了输出级 V be 调制补偿技术以减少失真。单片微波集成电路 (MMIC) 原型仅占用 0.69 mm 2 ，实验结果表明它具有从直流到 22.3 GHz 的 0.112–f T 带宽，比使用 InP 技术的任何报道的紧凑型 THA 解决方案都要宽。此外，在 24 GSa/s 采样率下，无杂散动态范围 (SFDR) 优于 42 dB，总谐波失真 (THD) 小于 − 25 dBc。THA 功耗仅为 374 mW，是 InP 技术中报告的最低直流功耗之一。
ris辅助无线链接签名，用于特定发射极标识：初步
摘要 - 特定的发射极标识（SEI）是一项有希望的技术，可以在不久的将来增强大量设备的访问安全性。在本文中，我们提出了一个可重构的智能表面（RIS）辅助SEI系统，其中合法发射器可以通过控制RIS的On-Off状态来自定义SEI期间的通道指纹。在不失去通用性的情况下，我们使用基于接收的信号强度（RSS）欺骗检测方法来分析所提出的体系结构的可行性。具体来说，基于RSS，我们得出了SEI的统计属性，并提供了一些有趣的见解，这些见解表明RIS辅助SEI理论上是可行的。然后，我们得出最佳检测阈值，以最大程度地提高呈现的性能指标。接下来，通过RIS辅助SEI原型平台上的概念验证实验验证了所提出系统的实际可行性。实验结果表明，当传输源分别在不同的位置和同一位置时，性能提高了3.5％和76％。
具有强系统 - 环境耦合的耗散拓扑相变
研究拓扑问题的主要动机是对拓扑顺序侵害环境的保护。在这项工作中，我们研究了与电磁环境耦合的拓扑发射器阵列。光子发射极耦合会在发射器之间产生非局部相互作用。使用周期性的边界条件为环境诱导的相互作用的所有范围，保留了发射极阵列固有的手性对称性。这种手性对称性保护了哈密顿量，并在林德布拉德操作员中诱导了平等。拓扑相变发生在与发射极阵列的能谱宽度相关的临界光子发射极耦合处。有趣的是，临界点非试图改变边缘状态的耗散速率，从而产生耗散性拓扑相变。在受保护的拓扑阶段，边缘状态从环境诱导的耗散范围内，用于弱光子发射极耦合。然而，强耦合可在发射极间距处的窗口带来稳健的无耗散状态。我们的工作显示了通过电磁环境操纵拓扑量子物质的潜力。
硫化氢钝化P型钝化
摘要 - 这项工作报告了硫的应用 - 钝化发射极和后接触（PERC）太阳能电池的应用。发射极表面被硫化氢（H 2 s）气相反应钝化，并用氢化的非晶硅（A-SIN X：H）层盖住。在对称的N+扩散的发射极上的硫钝化显示导致发射极饱和电流密度（J 0N+）在R板，n+≈100Ω/sq处的30 fa/cm 2。在PERC细胞结构中，S-钝化在发射极表面上的应用，后表面被氧化铝（Al 2 O 3）/A-Sin X：H堆栈钝化，在金属化前显示了有希望的隐含敞开电压（IV OC）为686 mV。该IV OC高于A-SIN X：H或SIO 2 /A-SIN X：H钝的发射极表面（分别为675和674 mV），在同一运行中处理的PERC细胞上。然而，在用激光图案，屏幕打印的金属接触沉积和射击的设备制造后，观察到S-Papsiviving Perc细胞的细胞V OC显着下降。尽管如此，用硫的发射极表面实现了〜20％的效率和〜650 mV的V OC。我们确定760 O C接触触发过程降低了S-抑制质量。研究了表面形态，并进行了详细的表面分析以研究S-PASSITITIVIVITINED表面降解的原因。索引项 - N +扩散的发射极，硫化氢反应，丝网印刷金属接触射击，X射线光电子光谱，P-PERC细胞。
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发射极-基极击穿电压 V(BR)EBO IE =10uA, IC =0 5 V 集电极截止电流 I CBO V CB =30V, IE =0 100 nA 发射极截止电流 I EBO V EB =5V, IC =0 100 nA h FE(1) V CE =2V, IC =5mA 40 h FE(2) V CE =2V, IC =150mA 63 250 直流电流增益 h FE(3) V CE =2V, IC =500mA 25 集电极-发射极饱和电压 V CE(sat) IC =500mA, IB =50mA 0.50 V 基极-发射极电压 V BE V CE =2V, IC =500mA 1.00 V 转换频率 f TV CE =5V, IC =10mA,f=100MHz 130 MHz h 的分类FE(2) 等级 BCX54 BCX55 BCX56
PBRN113Z 系列 NPN 800 mA、40 V BISS RET - Nexperia
图 9. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系；典型值 图 10. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系；典型值
PBRN123Y 系列 NPN 800 mA、40 V BISS RET - 所有产品
图 9. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系；典型值 图 10. 集电极-发射极饱和电压与集电极电流的关系；典型值
用于热光伏能量转换的具有尖锐截止特性的半导体选择性发射极
半导体发射极有可能实现陡峭的截止波长，这是由于它固有的带隙吸收和几乎为零的亚带隙发射，而无需掺杂。本文研究了一种基于锗晶片的选择性发射极，该发射极具有正面抗反射和背面金属涂层，用于热光伏 (TPV) 能量转换。光学模拟预测波长为 1 至 1.85 µ m 时，光谱发射率高于 0.9，亚带隙范围内的光谱发射率低于 0.2，且在带隙附近具有陡峭的截止波长，表明其具有优异的光谱选择性行为。间接测量的 Ge 基选择性发射极样品的光谱发射率与此高度一致，证实了这一点。此外，还从理论上分析了不同温度下将 Ge 基选择性发射极与 GaSb 电池配对的 TPV 效率。这项工作将促进基于半导体的选择性发射极的开发，以提高 TPV 性能。