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![arxiv：2410.21202v1 [Quant-ph] 2024年10月28日](/simg/g:\will\search\icon\source\7\72cd6594149717c401794225e88d9ec41aead13e.webp)
arxiv：2410.21202v1 [Quant-ph] 2024年10月28日
我们建模并研究了弱耦合到单模波导的两级发射器的集合的集体非线性光学响应。我们的方法概括了这样的见解，即光子光子相关性是由单个两级发射极散射的光子的相关性，这是由于两光子干扰对许多发射器的情况而产生的。使用我们的模型，我们研究了不同的配置，以探测合奏的非线性响应，例如通过波导或通过外部照明，并为二阶量子相干函数G（2）（τ）而得出分析表达式，以及在波导量中的输出光中的挤压光谱，s sume）。为了传播共鸣的引导光，我们在分析有关G（2）（τ）的实验结果时恢复了与以前相同的预测，涉及的理论模型更加涉及的预测（Prasad等人[1]）和sθ（ω）（Hinney等人[2]）。我们还研究了从两级发射极过渡中引起的光的传播，我们最近在实验中研究了这种情况（Cordier等人。[3]）。我们的模型预测表明，如何利用弱耦合发射器的集体增强的非线性响应，以使用从几个到许多发射器的合奏来生成非经典的光状态。
辐射缓解技术（针对混合信号电路）
在 BJT 中，TID 对氧化物电介质的损坏会导致：• 基极电流过大（通过与陷阱的复合增强和 β 退化）• 由于发射极面积增加（通过 N ot 的表面反转）导致 npn 器件中的集电极电流增加• 由于 CB 结中的载流子生成增加（通过陷阱），导致从集电极到基极 (CB) 的反向漏电流增加
太阳能电池
太阳能电池市场由硅光伏电池主导，约占整个市场的 92%。硅太阳能电池制造工艺涉及几个关键步骤，这些步骤在很大程度上影响电池效率。这包括表面纹理化、扩散、抗反射涂层和接触金属化。在关键工艺中，金属化更为重要。通过优化接触金属化，可以减少或控制太阳能电池的电和光损耗。本文简要讨论了传统和先进的硅太阳能电池工艺。随后，详细回顾了传统硅太阳能电池中用于前接触的不同金属化技术，例如丝网印刷和镀镍/镀铜。背面金属化对于提高钝化发射极背接触电池和交错背接触电池的效率非常重要。本文回顾了钝化发射极背接触 (PERC) 电池中局部 Al 接触形成的当前模型，并讨论了工艺参数对局部 Al 接触形成的影响。此外，本文还简要回顾了交错背接触 (IBC) 电池中的接触机制和金属接触的影响。对传统丝网印刷太阳能电池的金属化研究重点与 PERC 和 IBC 电池进行了比较。
碳材料的一般掺杂化学 - UTS的作品
六角硼硝化硼（HBN）作为固态，范德华的载体寄主是芯片量子光子光子学的单个光子发射器的宿主。在436 nm处发射的B-中心缺陷特别引人注目，因为它可以通过电子束照射产生。然而，发射极生成机制尚不清楚，该方法的鲁棒性是可变的，并且仅成功地应用于HBN的厚层（≫10 nm）。在这里，它用于原位时间分辨的阴极发光（CL）光谱法来研究B-中心产生的动力学。表明，B中心的产生伴随着在≈305nm处的碳相关发射的淬灭，并且这两个过程都是由HBN晶格中缺陷的电气迁移来限制的。它确定了限制发射极生成方法的效率和可重复性的问题，并使用优化的电子束参数和HBN预处理和后处理处理的组合来解决它们。在HBN液体中达到了B-Center量化的量子，以8 nm的形式阐明了负责电子束在HBN中的电子束重组的机制，并获得了识别b-Center量子量子量子发射机原子结构的识别的洞察力。
Crisil基础设施年鉴2025
作为国家争取脱碳的国家 - 去除或减少进入大气的CO 2输出，至关重要的是要认识到全球排放的不均匀分布，这强调了净零净的途径取决于多样和复杂的因素。尽管有进展，但在最大的发射器中，快速行动的责任仍然不成比例。中国，美国，印度，俄罗斯和巴西排名前五的发射极国家在2023年贡献了57％的排放量，高于2003年的48％，强调了更快的行动和全面策略的紧迫性。
室温下电气可调的单极量子点
两级发射器与光腔耦合的两层发射器取决于与状态周围密度的相互作用[1]。与弱耦合方案形成鲜明对比的是，发射器表现出percell增强的自发发射[2,3]，发射异常的发射极强度g超过了发射机衰变速率（γ）和空腔损失速率（κ）与量子的量化量的量子和量子均与Emtrent的量子交换。它产生了光学响应中的狂犬病分裂，例如散射或光致发光（PL）光谱[4-8]。在这种强烈的耦合系统中，量子杂交状态的操作会诱导多种量子光学响应，从而导致量子光学设备的广泛应用[9-12]。在介电腔中，衍射量最大的模式体积分别需要高质量（Q）因子（Q）和低温才能实现强耦合，分别在κQ-1和γk b t之后[13-15]。高Q空腔导致发射极和腔之间的狭窄光谱重叠，即狭窄的呼声条件，以保持强耦合。这些约束显着构成了量子杂交状态的可控性，因此限制了强耦合方案中量子电动力现象的研究。最近，即使在室温下，由于其纳米级模式的体积，等离子腔的平台也达到了等离子和激子之间有效的强耦合[5,7,16]。
泌尿生殖器癌的自适应免疫
更改。[1]这需要将太阳能电池的生产提高到Terawatt量表[2]，同时降低生产成本。激光处理已成为生产太阳能电池的估计工具。[3 - 5]目前，它主要用于生产钝化发射极后细胞（PERC）的激光接触开口（LCO）过程。[6]由于有限的可用性，银消耗是大规模制造的挑战。[7]未来的无银方法，例如电镀[8]或铝制金属，[9]也需要激光开口。在大多数应用中，激光消融过程仅需很少的消耗品。因此，对LCO系统的所有权成本（COO）的主要贡献包括收购，劳动力和方面的成本，其成本超过75％。[10]因此，增加吞吐量是降低每个细胞处理成本的非常有效的方法。对于诸如化学批处理处理之类的前端过程，对于晶圆尺寸M10（182毫米），晶圆吞吐量预计将从10 200增加到16 700 wph。[6]这增加了70％以上。对于激光过程，例如激光掺杂的选择性发射极（LDSE）和LCO，预计吞吐量增益仅为约7000至10 000 wph，即约为42％。[6]这种错误匹配也是由于以下事实：基于批处理的过程（例如湿化学碱性纹理或炉子扩散和氧化）可以通过增加批处理大小来有效地扩展。[11]
利用激光写入器进行局部光漂白染料微结构化获得选择性光栅
1. 简介光学活性有机材料的图案化是众多涉及有机发射极的应用的关键特征。有机材料的图案化通常使用软光刻工艺实现 [1,2]，因为微电子领域中使用的传统光刻技术通常与敏感材料不兼容 [3]。尽管如此，软光刻通常需要复杂的层转移和表面化学，这取决于预想的器件结构。染料光漂白代表了一种替代的结构化方法。通常，光漂白被认为是有机发射极的限制 [4,5]。但是，可利用此特性来抑制染料的发射和吸收 [6]，这可用于控制染料特性以实现强耦合应用 [7]。在本文中，我们提出了一种基于染料层局部光漂白 [7,8] 的新方法，从而无需复杂的光刻处理即可获得微结构有机材料。此外，我们利用工业激光写入器对材料进行局部光漂白。与所有无掩模光刻方法（例如基于空间光调制器的光刻 [9,10]）一样，这种用途广泛的技术可以轻松制造任何类型的微结构平面几何形状。此外，光漂白方法的主要兴趣之一是它只改变吸收波长范围内的光学指数 [7]。因此，获得的结构强烈依赖于波长。为了验证我们方法的效率，我们建议将这一概念应用于制造不同形状和周期的波长选择性光栅。这种简单的加工技术可以作为先前描述的选择性波长光栅制造方法 [11–15] 的便捷替代方法，例如多重干涉 [11–13]、胆甾液晶 [14,15] 或等离子体系统 [16,17]。