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World File Search System发射极
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
温度对双极晶体管特性影响的研究
摘要。电子电路板的温度升高会对电子电路产生明显的影响，从而导致电路元件的基本参数发生一些变化。本文旨在研究和分析高温对双极晶体管静态和动态特性的影响。这项研究是通过在不同温度下研究和分析 NPN BJT 晶体管 2SC2120 的几个参数进行的实验。结果表明，随着温度从 25 °C 升高到 130 °C，集电极电流从 0.19 A 显著增加到 0.23 A，电流增益从 0.14 显著增加到 0.22。至于阈值电压，发现其值从 0.6 伏降低到 0.4 伏。结果还表明，对于动态特性，随着温度升高到 130 °C，发射极-基极结的扩散电容从 10.1 nF 增加到 45.02 nF。最后发现，在相同的温度范围内，栅漏结的反向电容从41.4 pF增加到47.3 pF。
学习目标：课程内容
ISBN：9788120351424。 实际作业清单：1。 在带有和不进行引导的情况下，实现BJT Darlington发射器追随者，并确定增益，输入和输出阻抗。 2。 使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器，并根据其频率响应确定增益带宽产品。 3。 绘制JFET的转移和排水特性，并计算其漏极性，相互电导和扩增因子。 4。 设计，设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。 5。 绘制N通道MOSFET的转移和排水特性，并计算其参数，即；排水阻力，相互电导和扩增因子。 6。 设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。 7。 使用FET设计和设置RC相移振荡器，并计算输出波形的频率。 8。 使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路，并确定振荡的频率。 （a）哈特利振荡器（b）colpitts振荡器9。 设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率ISBN：9788120351424。实际作业清单：1。在带有和不进行引导的情况下，实现BJT Darlington发射器追随者，并确定增益，输入和输出阻抗。2。使用有或没有反馈的电压分隔线偏置设计并设置BJT公共发射极放大器，并根据其频率响应确定增益带宽产品。3。绘制JFET的转移和排水特性，并计算其漏极性，相互电导和扩增因子。4。设计，设置和绘制常见源JFET/MOSFET放大器的频率响应并获得带宽。5。绘制N通道MOSFET的转移和排水特性，并计算其参数，即；排水阻力，相互电导和扩增因子。6。设置和研究互补对称性B类推动功率放大器的工作并计算效率。7。使用FET设计和设置RC相移振荡器，并计算输出波形的频率。8。使用BJT设计和设置以下调谐振荡器电路，并确定振荡的频率。（a）哈特利振荡器（b）colpitts振荡器9。设计和设置晶体振荡器并确定振荡的频率
硅中腔增强单个人工原子
固体中的人造原子是量子网络、可扩展量子计算和传感的主要候选者，因为它们将长寿命自旋与移动光子量子比特结合在一起。最近，硅已经成为一种很有前途的主体材料，其中可以可控地制造具有长自旋相干时间并发射到电信波段的人造原子。该领域利用硅光子学的成熟度将人造原子嵌入到世界上最先进的微电子和光子学平台中。然而，目前的一个瓶颈是这些原子天生较弱的发射率，这可以通过耦合到光腔来解决。在这里，我们展示了在电信波长下腔增强的硅中单个人造原子（G 中心）。我们的结果表明它们的零声子线强度增强以及高纯度的单光子发射，而它们的寿命在统计上保持不变。我们提出可能存在两种不同类型的 G 中心，这对硅发射极的特性提供了新的见解。
一种用于快速IGBT De-...的自适应消隐时间电路
摘要 提出了一种用于快速检测IGBT去饱和短路的自适应消隐时间（SABT）电路。在IGBT正常开通或发生负载故障（FUL）时，通过检测IGBT集电极-发射极电压V CE 的变化来实现消隐时间的确定；而当IGBT发生硬开关故障（HSF）时，通过检测栅极电压V GE 来确定消隐时间。利用UMC 0.6μm 700V工艺进行仿真表明，提出的SABT电路能够快速检测FUL和HSF。与传统消隐时间电路相比，SABT电路可以将FUL的故障检测时间从1.3μs缩短到35.5ns，而HSF条件下的故障检测时间从2.329μs缩短到294ns。 关键词：消隐时间，IGBT，去饱和短路保护 分类：功率器件与电路
用于对流层臭氧监测的准分子激光雷达
摘要。预先指出了基于KRF和XECL准分子激光器的臭氧差异吸收激光雷达（DIAR），用于对流层中的白天和夜间测量。XECL激光用作“ OFF”波长发射极，而KRF激光的辐射在氢化代和氘池中被拉曼移位，以获得277 nm和292 nm“ ON”波长。用于范围0的测量值。5–4。5 km，使用了277 /308 nm，并且在4-10 km范围内使用了292 /308 nm。与弹性反向散射的同时，监测了氮气和水蒸气的XECL激光的拉曼反向散射。氮拉曼信号用于计算气溶胶反向散射和灭绝系数的计算，这些信号与Klett方法的结果与XECL弹性反向散射的结果进行了比较。获得的气溶胶纤维用于校正臭氧浓度。给出了LIDAR应用昼夜和季节性臭氧变化的一些例子。
wrt-pulse
此设备仅专为国内使用而设计。任何不适当的使用或不符合这些说明的使用可能会损害设备提供的保护，并使制造商的责任并保证无效。不要将设备接近热源。仅使用状况良好的电缆。为了您自己的安全，切勿自己拆除设备；请联系批准的服务中心进行维修，请参阅故障排除部分。仅使用指定的传感器。设备描述WRT-Pulse是169 MHz VHF发射器，专门通过Wize网络执行与智能计量相关的所有操作。WRT-Pulse具有本地NFC接口，可允许对集成软件进行配置，安装，维护和软件升级。集成的软件允许连接到不同的脉冲发射器：3或4条线，欺诈或背流检测。无线电传输是通过Wize远程固定网络远程阅读系统进行的。WRT-Pulse由以下元素组成一组电子组件，允许阅读脉冲发射极，数据处理和存储：
加拿大农业的气候变化：上下文和...
气候变化的幽灵困扰了加拿大政治和经济，并且在农业中，加拿大总温室气体排放的很大比例已成为对农业政策的重要影响。在农业政策讨论中，与气候变化相关的冲突维度有很多。加拿大的农业是温室气体的重要发射极（包括在内的农场加热时约10％）；它也是碳的主要隔离剂。农业在很大程度上免于碳税；然而，与加拿大竞争对手相对于没有碳税的竞争力负担的任何碳税（直接与农场建筑物的谷物干燥或加热，或间接使用），这列出了成本竞争力负担的前景，并且在农业社区中具有敏感性。即使没有征收碳税，我们也有自愿目标 - 例如肥料GHG排放，或最近提出的牲畜甲烷方案。