概念思想:1.) 确定 ℏ𝜔 的光电发射状态。2.) 计算每对状态的光电发射概率。3.) 计算本征发射率作为光电发射状态的加权平均值 4.) 对新的 ℏ𝜔 重复上述操作。
铅卤化物钙钛矿纳米晶体是经典和量子光发射的有前途的材料。要了解这些出色的特性,需要对带边的激子发射进行彻底的分析,这是由于扩大效果而在整体和室温研究中无法达到的。在这里,我们报告了中间量子限制方案中单个CSPBBR 3 NC的光致发光的低温温度研究。我们揭示了观察到的光谱特征的尺寸依赖性:亮点激子能量分裂,TRION和BIEXCITON结合能以及光学声子复制频谱。此外,我们表明明亮的三重能量分离与纯交换模型一致,并且可以简单地考虑发射偶极子和发射状态的种群的方向来合理化所记录的极性特性和光谱。
在计算神经科学的许多领域中,神经元通常被分析为二元电化学开关(DeWeese 等人,2003 年;Victor,2006 年;Jensen 等人,2013 年;Mayfield,2013 年;Sterling and Laughlin,2015 年;Gupta and Bahmer,2019 年)。在这个抽象层次上,脉冲神经元可以被视为具有两个稳定位置的记忆系统。神经元可能正在发射,在这种情况下,其状态通常标记为 1,或者神经元可能正在静止,在这种情况下,其状态通常标记为 0。由于神经元发射动作电位的概率受到许多不同的未知因素的影响(例如神经元的温度、其发射阈值、其与突触前输入的连接程度等),因此,在香农的通信理论中,可以将发射状态和静止状态之间的区别作为二元随机变量进行研究。因此,通常隐含地假设单个动作电位的香农熵为
摘要:掺杂灯笼的纳米晶体(NCS)能够有效的光子上转换,即吸收长波长光和发射较短的波长光。启用上转换的内部过程是一个复杂的电子过渡和掺杂中心之间的能量转移网络。在这项工作中,我们研究了从β -nayf 4 NCS上的上升转换发射的上升和衰减动力学,并用ER 3+和YB 3+编码。红色和绿色上流排放的上升动力学是非线性的,反映了上转换的非线性性质,并揭示了填充发射状态的机制。激发状态衰减动力学是不符合的。我们使用光子实验揭示了潜在的衰减途径。这些在视觉上揭示了不同上转换途径的贡献,因为每个途径对光学状态的局部密度的系统变化都有明显的响应。此外,光学态的局部密度对仅核心NC的局部密度在质量上与核心 - 壳NC的作用在质量上不同。这是由于产生向上发射的电子水平的喂食与衰减之间的平衡所致。对此处提供的上转换动力学的理解可能会导致更好的成像和传感方法依靠上转换寿命或指导掺杂剂浓度的合理优化以使其更明亮。关键字:胶体纳米晶体,上转换,灯笼离子,激发状态动力学,光学状态的局部密度
石墨烯量子点(GQD)的荧光性能,即小型单层或多层石墨烯含量[1,2,2,2,3,4,5,6,6,7,7,7,8,9,10,11,12]光伏[3,10],传感[5,9]或光催化[2,5,10]设备。在这些特性的核心上,发射状态的性质受到了多种自上而下和自下而上的可用合成技术的阻碍。可能的候选物可能范围从固有的π -π∗转变(在固定的SP 2系统中)到包括e在内的边缘状态。 g。富含氧气的官能团或碳样锯齿形位点。结果,影响发射波长的主要因素仍在争论。原始的GQD特性已在密度功能理论(DFT)和时间依赖性的TD-DFT水平上探索,并清楚地强调了通过量子结合的量子和降低GQD大小的量子的开放和光学间隙[13,14]。进一步的工作证明了功能化[15、8、14、16、17、18]和/或掺杂[14、19、20、21、22]可以显着影响GQD的电子和光学特性。这些研究阐明了可以在经过实验上观察到的各种光致发光特性,鉴于所选的合成途径和边缘处理,但据报道了原始GQD的一些有趣的特性[23,24,25,26,27,28]。特别是发现最低激发的光学过渡偶极子。这可以在吸收峰和发光峰之间的较大的stokes移动中表现出来,或者,如果存在有效的非辐射衰减通道,则在光致发光的淬灭中。这些特性与所考虑的理想拟光的高几何对称性相关[24,26,28]。在本研究中,我们表明,原始GQD中的低谎言深度激发的存在是植根于基础石墨烯格子和电子孔手性对称性的六边形对称性的一般特性。此外,此属性也保留给与高对称形状显着偏离的结构。这些结论是由从头算在现实的GQD上进行的多体绿色功能计算来确认的。我们认为,手性对称性施加了一定的能量量表,即使空间对称为