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洒水器和ESS
3.0米至7.6 m，天花板结构应具有最低一个小时的火灾。此类LFP系统的保护建议应包括： +没有火灾保护：与ESS的任何部分的最小空间分离应为1.2 m，与不可固化的对象和1.8 m的可燃物体（包括相邻的ESS架子）相距1.8 m。+带有洒水保护：与ESS的任何部分的最小空间分离均应为0.9 m，与非固体对象和1.5 m的可燃物体相距0.9 m。洒水系统的供水应设计至少230平方米的需求区域，持续时间至少为90分钟。对这种类型的NMC系统的保护建议： +没有火灾保护：与ESS的任何部分的最小空间分离应为2.4 m，与非耐燃物体和4.0 m的可燃物体（包括相邻的ESS架子）相距4.0 m。+带有洒水保护：与ESS的任何部分之间的MI最多空间分离应为1.8 m，与可燃物体相距2.7 m。洒水系统的供水应针对ESS所在的总房间区域设计，
在您的植入心脏扭曲器除颤器（ICD/sicd/...
可以通过移动应用程序或必须插入并连接到ICD的移动应用程序或设备对您进行远程监视。这将与您以及植入物之后给出的适当信息讨论。可以在帖子中将监视器发送给您。这使我们能够远程监视您的设备，可以在医院进行快速审查，而无需亲自参加，并建议在国家准则（BHRS 2024）中使用此情况，如果需要，必须将其插入。您无需度假。它不能使您的设备上的设置远程更改。
可植入的心脏扭曲器解纤器（ICD）
版权所有©2014年，科罗拉多大学的摄政员代表其员工：Daniel D Matlock MD MPH；丹尼·维吉尔（Danny Vigil）；艾米·詹金斯MS；卡伦·梅利斯（Karen Mellis）； Paul Varosy MD；弗雷德·马苏迪（Fred Masoudi）医学博士，MSPH； Angela Brega博士；大卫·马吉德（David Magid）医学博士，美国国立衰老研究所（K23AG040696）和以患者为中心的结果研究所（PI000116-01）的MPH资助。利益冲突：所有开发人员 - 无。上次更新08/13/2024。保留一些权利。未经出版商的明确书面许可，本出版物的任何商业开发或努力都不得使用。 未经出版商的许可并提供其确认的任何衍生作品，本出版物的任何部分都不得使用。 科罗拉多大学违反了与本文提供的信息的使用或采用相关的所有责任。 用户应对依赖此信息造成的任何损害负责。 内容仅是作者的责任，不一定代表资金机构（NIH，PCORI）或医疗中心的官方观点。 此信息图上提供的材料仅用于信息目的，并且不作为医疗建议提供。 任何人都应在确定ICD是否适合他或她的情况下咨询自己的医生。 这项工作是根据创意共享归因，非商业，无衍生物4.0国际许可证获得许可的。未经出版商的明确书面许可，本出版物的任何商业开发或努力都不得使用。未经出版商的许可并提供其确认的任何衍生作品，本出版物的任何部分都不得使用。科罗拉多大学违反了与本文提供的信息的使用或采用相关的所有责任。用户应对依赖此信息造成的任何损害负责。内容仅是作者的责任，不一定代表资金机构（NIH，PCORI）或医疗中心的官方观点。此信息图上提供的材料仅用于信息目的，并且不作为医疗建议提供。任何人都应在确定ICD是否适合他或她的情况下咨询自己的医生。这项工作是根据创意共享归因，非商业，无衍生物4.0国际许可证获得许可的。
用于电子结构计算的量子比特耦合簇单和双变分量子特征求解器假设
摘要 用于电子结构计算的变分量子特征值求解器 (VQE) 被认为是近期量子计算的主要潜在应用之一。在所有提出的 VQE 算法中，酉耦合团簇单双激发 (UCCSD) VQE 拟定实现了高精度并引起了很多研究兴趣。然而，基于费米子激发的 UCCSD VQE 在使用 Jordan-Wigner 变换时需要额外的宇称项。这里我们引入了一种新的基于粒子保留交换门的 VQE 拟定器来实现量子比特激发。对于全到全连接，所提出的 VQE 拟定器的门复杂度上界为 O(n4)，其中 n 是哈密顿量的量子比特数。使用所提出的 VQE 假设对简单分子系统（如 BeH 2、H 2 O、N 2、H 4 和 H 6）进行数值计算，可以得到非常准确的结果，误差约为 10 − 3 Hartree。
变幅疲劳、建模和测试
虽然使用寿命可以像沃勒图一样简单地描述，但是弯曲疲劳的微观损伤效应是由材料不同阶段发生的不同机制组成的？整个生命周期。在光的开始处发生了一种机制，即洒水。在第三阶段，载荷的变化将引起位错运动，最终导致裂纹的形成。这开始了疲劳寿命的第二阶段，即裂纹扩展。此时，成核裂纹将随着每个加载循环而增长，直到应力强度变得如此之大以至于出现残余桥。裂纹扩展阶段可分为两个不同的子阶段：“阶段 I”中裂纹在最大剪应力平面上扩展，“阶段 II”中裂纹在垂直于拉应力方向的平面上扩展。 “阶段 I” 阶段适用于几种晶粒尺寸的顺序（见图 3）。
组合逻辑上的单粒子瞬变
辐射引起的效应对现代 CMOS 技术的可靠性构成威胁。晶体管尺寸的缩小、电源电压的降低和工作频率的提高，已导致单粒子瞬变 (SET) 成为纳米 CMOS 晶体管的主要可靠性问题 [1–3]。质子、中子或重离子等高能粒子可以撞击芯片并产生电流放电。在组合逻辑中观察到的这种电流脉冲称为 SET。当此脉冲到达存储元件并改变其值时，会导致称为单粒子翻转 (SEU) 的错误。瞬变和存储翻转这两种效应在文献中被称为软错误 (SE)，因为它们不是破坏性效应。文献中介绍了几种用于评估数字电路对 SET 和 SEU 的鲁棒性的技术。基于模拟的方法允许在复杂电路的设计流程中进行早期评估，并采用缓解策略来实现应用约束。例如，可以进行 TCAD（技术计算机辅助设计）模拟，以模拟粒子与组成电子设备的材料之间的相互作用。尽管这种方法可以达到最高的精度，但它不是一种可扩展的方法，通常用于研究基本结构（如 pn 结或单个晶体管）中的基本机制。另一种计算成本较低的方法是 TCAD 混合模式方法，其中仅将打击晶体管建模为 TCAD 设备，而其余设备则使用 SPICE 建模进行模拟。在这种情况下，可以研究多个晶体管，从而模拟逻辑门和小电路块。为了提高可扩展性，SPICE 中基于电流的模型可以模拟
协变的stinespring定理-Bristol
使得f（x）= tr e（τxτ†）（在这里tr e：b（k⊗e）→b（e）是环境上的部分跟踪）。cp映射f是轨迹保留的，扩张τ是一个等轴测图。不同的扩张τ1：H→K⊗E1，τ2：H→K⊗E2与部分等距α：E 1→E 2相关。
量子电磁瞬变程序
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