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World File Search System变带
1带人去公园
1 Andros West Side National Park 2 Crab Replenishment Reserve 3 Blue Holes National Park 4 North Andros Marine Park 5 South Andros Marine Park 6 Rand Nature Centre 7 Peterson Cay National Park 8 Lucayan National Park 9 Walker's Cay National Park 10 Black Sound Cay National Reserve 11 Fowl Cays National Park 12 Pelican Cays Land & Sea Park 13 Tiloo Cay National Reserve 14 Abaco National Park 15 Primeval Forest National Park 16 Harrold & Wilson Ponds National Park 17 Bonefish Pond National Park 18 The Retreat 19 Exuma Cays Land & Sea Park 20 Moriah Harbour Cay National Park 21 Leon Levy Native Plant Preserve 22 Conception Island National Park 23 Southern Great Lake National Park 24 Pigeon Creek and Snow Bay National Park 25 Graham's Harbour Iguana & Seabird National Park 26 West Coast Marine Park 27 Green's Bay National Park 28 Great Hope House 29 Marine Farm 30 Little Inagua National Park 31 Union Creek Reserve 32 Inagua国家公园33 Seahorse国家公园位于Sweetings Pond and Hatchet Bay
带ETD和XDR
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MIL-PRF-55339C 带修正案 3
1.1 范围。本规范涵盖系列间和系列内射频 (RF) 同轴连接器适配器的性能要求和测试。1.2 分类。适配器由以下类别组成，并带有指定的零件识别号 (PIN)（见 3.1）。a.第 1 类 – 第 1 类适配器旨在在指定频率下提供卓越的 RF 性能，并且所有 RF 特性均已完全定义。b.第 2 类 – 第 2 类适配器旨在在提供指定 RF 性能的 RF 电路内提供机械连接。1.2.1 PIN。PIN 由字母“M”和基本规格表编号组成。零件编号中的第一位数字表示适配器主体（外壳）的材料和表面处理；即，“0”表示镀银黄铜，“3”表示钝化耐腐蚀钢，“4”表示镀金铜铍，“6”用于 SMA 系列和其他系列之间（SMA 主体为耐腐蚀钢，其他系列为黄铜），或“7”表示镀镍黄铜。后续数字将分配用于指定前一个“UG”编号或无意义的数字（如适用）。例如：M55339/ 01 - XXXXX 通用规格 规格表中的零件编号 规格表 AMSC N/A FSC 5935
变幅疲劳、建模和测试
虽然使用寿命可以像沃勒图一样简单地描述，但是弯曲疲劳的微观损伤效应是由材料不同阶段发生的不同机制组成的？整个生命周期。在光的开始处发生了一种机制，即洒水。在第三阶段，载荷的变化将引起位错运动，最终导致裂纹的形成。这开始了疲劳寿命的第二阶段，即裂纹扩展。此时，成核裂纹将随着每个加载循环而增长，直到应力强度变得如此之大以至于出现残余桥。裂纹扩展阶段可分为两个不同的子阶段：“阶段 I”中裂纹在最大剪应力平面上扩展，“阶段 II”中裂纹在垂直于拉应力方向的平面上扩展。 “阶段 I” 阶段适用于几种晶粒尺寸的顺序（见图 3）。
组合逻辑上的单粒子瞬变
辐射引起的效应对现代 CMOS 技术的可靠性构成威胁。晶体管尺寸的缩小、电源电压的降低和工作频率的提高，已导致单粒子瞬变 (SET) 成为纳米 CMOS 晶体管的主要可靠性问题 [1–3]。质子、中子或重离子等高能粒子可以撞击芯片并产生电流放电。在组合逻辑中观察到的这种电流脉冲称为 SET。当此脉冲到达存储元件并改变其值时，会导致称为单粒子翻转 (SEU) 的错误。瞬变和存储翻转这两种效应在文献中被称为软错误 (SE)，因为它们不是破坏性效应。文献中介绍了几种用于评估数字电路对 SET 和 SEU 的鲁棒性的技术。基于模拟的方法允许在复杂电路的设计流程中进行早期评估，并采用缓解策略来实现应用约束。例如，可以进行 TCAD（技术计算机辅助设计）模拟，以模拟粒子与组成电子设备的材料之间的相互作用。尽管这种方法可以达到最高的精度，但它不是一种可扩展的方法，通常用于研究基本结构（如 pn 结或单个晶体管）中的基本机制。另一种计算成本较低的方法是 TCAD 混合模式方法，其中仅将打击晶体管建模为 TCAD 设备，而其余设备则使用 SPICE 建模进行模拟。在这种情况下，可以研究多个晶体管，从而模拟逻辑门和小电路块。为了提高可扩展性，SPICE 中基于电流的模型可以模拟