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澳大利亚首都直辖区旅游战略 2023-2030
我们的旅游业促进了我们城市的经济增长，也促进了社区的福祉。我们希望游客在离开时能更加欣赏堪培拉，感到充实、受教益，并愿意向他人介绍这里提供的优质、多样化体验。我们还希望游客认为我们的城市和地区是一个适合居住、学习、工作和投资的好地方，享有进步、包容和欢迎所有人的美誉。
引导的等离子体喷气机，直接在湿表面上
摘要大气压力等离子体射流（APPJS）用于治疗表面（无机，有机和液体）的最佳用途取决于能够控制等离子体生成的反应物种流向表面的流动。典型的APPJ是一种稀有的气体混合物（RGM），该混合物（RGM）流过施加电压的管，产生RGM等离子体羽流，可延伸到环境空气中。由于电离波（IW）需要较高的电场才能传播到空气中，因此RGM等离子体羽流由周围的空气罩引导。将环境空气与RGM等离子体羽流的混合确定活性氧和氮种（RONS）的产生。AppJ通常是垂直于被处理的表面的定向。然而，由于AppJ传播性能的变化和所得的气体动力学，APPJ相对于表面的角度可能是控制反应性物种到表面的一种方法。在本文中，我们讨论了针对两个点的计算和实验研究的结果 - 具有或不具有指导气体罩的Appj中的IWS作为AppJ相对于表面的APPJ角度的函数；并使用该角度控制薄水层的血浆激活。我们发现，从等离子体管中传播到同一气体环境中的APPJ缺乏裹尸布引导的喷气机的任何方向性特性，并且随着等离子管的角度的变化，很大程度上遵循电场线。引导的Appjs随着角度的变化而同轴繁殖，并垂直向表面垂直转动，仅在表面上方只有几毫米。APPJ的角度产生不同的气体动态分布，从而可以对转移到薄水层的RON的含量进行一定程度的控制。
直燃式供暖和通风 - AbsolutAire
L 屋顶路缘，平顶或斜顶（拆下运输） L 服务平台（符合 OSHA 标准） L 水平型号的百叶窗式集气室 L 120 伏 GFI 插座和照明 L TEFC 风扇电机，高效和汽车规格选项 L 电机缺相保护 L 电机皮带护罩 L 振动隔离（外部） L 排气循环（大多数型号） L 蒸发冷却包 L 带冷冻水或 DX 线圈的冷却部分 L 带热水、蒸汽或电线圈的加热部分 L 100% OA 型号的空间温度控制 L DDC 微处理器控制 L 温和天气状态 L 燃烧器警报喇叭 L 清除计时器（30 秒） L 三相电源监视器 L 烟雾探测器 L Magnahelic 和 Photohelic 仪表 L FM 或 IRI 气体歧管 L 天然气转丙烷(LP) 转换开关 L 高气压调节器 L 低气压燃烧器组件（无需额外费用）
直磷酸监测的倾斜和阅读障碍物电化学传感器
DNA2VEC载体。单词嵌入被广泛用于自然语言处理（NLP），可使用固定长度向量有效地将单词映射到高维空间中[19]。这个概念也已应用于DNA序列[20]。在这项研究中，我们利用了预训练的单词向量来嵌入DNA序列。我们通过窗口大小m（m = 3）和步长s（s = 1）进行长度n的DNA样本，然后获得长度m xi∈{x 1，x 2，x 3，...，x n-2}的N-2 DNA序列。每个X I可以在衍生自DNA2VEC的预训练的DNA载体基质中找到[21]。我们使用ei∈Rk来表达缝隙I序列的k（k = 100）维矢量，然后将我们的序列x i转换为e ei∈{e 1，e 2，e 3，...，e n-2}。最后，对于每个长度n的样本，它可以嵌入为：e 1：n -2 = e1⊕e2 e 2 e 2⊕e n -2（1），其中⊕表示串联算子。
变幅疲劳、建模和测试
虽然使用寿命可以像沃勒图一样简单地描述，但是弯曲疲劳的微观损伤效应是由材料不同阶段发生的不同机制组成的？整个生命周期。在光的开始处发生了一种机制，即洒水。在第三阶段，载荷的变化将引起位错运动，最终导致裂纹的形成。这开始了疲劳寿命的第二阶段，即裂纹扩展。此时，成核裂纹将随着每个加载循环而增长，直到应力强度变得如此之大以至于出现残余桥。裂纹扩展阶段可分为两个不同的子阶段：“阶段 I”中裂纹在最大剪应力平面上扩展，“阶段 II”中裂纹在垂直于拉应力方向的平面上扩展。 “阶段 I” 阶段适用于几种晶粒尺寸的顺序（见图 3）。
组合逻辑上的单粒子瞬变
辐射引起的效应对现代 CMOS 技术的可靠性构成威胁。晶体管尺寸的缩小、电源电压的降低和工作频率的提高，已导致单粒子瞬变 (SET) 成为纳米 CMOS 晶体管的主要可靠性问题 [1–3]。质子、中子或重离子等高能粒子可以撞击芯片并产生电流放电。在组合逻辑中观察到的这种电流脉冲称为 SET。当此脉冲到达存储元件并改变其值时，会导致称为单粒子翻转 (SEU) 的错误。瞬变和存储翻转这两种效应在文献中被称为软错误 (SE)，因为它们不是破坏性效应。文献中介绍了几种用于评估数字电路对 SET 和 SEU 的鲁棒性的技术。基于模拟的方法允许在复杂电路的设计流程中进行早期评估，并采用缓解策略来实现应用约束。例如，可以进行 TCAD（技术计算机辅助设计）模拟，以模拟粒子与组成电子设备的材料之间的相互作用。尽管这种方法可以达到最高的精度，但它不是一种可扩展的方法，通常用于研究基本结构（如 pn 结或单个晶体管）中的基本机制。另一种计算成本较低的方法是 TCAD 混合模式方法，其中仅将打击晶体管建模为 TCAD 设备，而其余设备则使用 SPICE 建模进行模拟。在这种情况下，可以研究多个晶体管，从而模拟逻辑门和小电路块。为了提高可扩展性，SPICE 中基于电流的模型可以模拟
协变的stinespring定理-Bristol
使得f（x）= tr e（τxτ†）（在这里tr e：b（k⊗e）→b（e）是环境上的部分跟踪）。cp映射f是轨迹保留的，扩张τ是一个等轴测图。不同的扩张τ1：H→K⊗E1，τ2：H→K⊗E2与部分等距α：E 1→E 2相关。
量子电磁瞬变程序
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