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业界精英调查其它要点（ 2024 年 7 月进行） - 74% 的受访者认为，曲线形状的 逆向 光刻技术（ curvilinear ILT ）对非 EUV 的 193i 前沿节点有 用 —— 其中 29% 的人强烈同意这一说法，而去年这一比例为 24% 。 - 55% 的受访者表示，前沿节点的一些关键层已经在使用 逆向 光刻技术（ ILT ），这一比例较去 年的 46% 和两年前的 35% 有所上升。 - 光罩制造中的软件基础设施仍然是生产曲线形状光罩的最大挑战。 - 对深度学习应用的预测有所延迟，今年有 54% 的受访者预测深度学习将在 2025 年之前成为 光罩制造过程中任何环节的竞争优势，而去年这一预测为 2024 年。 “ 我们期待在 SPIE 光罩技术会议期间度过激动人心的一周，届时 eBeam Initiative 将举办第 15 届年度光罩会议，展示半导体生态系统对这一合作论坛的持续支持， ”eBeam Initiative 的 的主办 管理公司 D2S 的首席执行官 藤村 (Aki Fujimura) 表示。 “ 现在是加入光罩行业的绝佳时机，近年 来该行业取得了强劲增长 —— 这证明了光罩社区内杰出人才的贡献，也彰显了该行业在推动半 导体创新方面的重要性。今年 eBeam Initiative 业界精英 调查的绝大多数参与者 —— 他们代表了 行业内顶尖的商业和技术专家 —— 都认为这一增长趋势将在 2024 年继续，这无疑是个好消息。 ” About The eBeam Initiative 关于 eBeam Initiative （电子束倡议团） eBeam Initiative 是一个致力于推广和倡导电子束技术在半导体制造全新应用的团体；为有关 电 子束技术的教育和促进活动 提供相应的论坛。 eBeam Initiative 的目标是增加电子束技术应用在 半导体制造各领域中的投资；降低电子束技术应用的障碍，能够使更多集成电路设计完成，并 且更快投进市场成为可能。会员公司 , 涵盖整个半导体生态系统，包括 : aBeam Technologies; Advantest; Alchip Technologies; AMD; AMTC; Applied Materials; Artwork Conversion; ASML; Averroes.ai; Cadence Design Systems; Canon; CEA-Leti; D 2 S; Dai Nippon Printing; EQUIcon Software GmbH Jena; ESOL; EUV Tech; Fractilia; Fraunhofer IPMS; FUJIFILM Corporation; Fujitsu Semiconductor Limited; GenISys GmbH; GlobalFoundries (GF); Grenon Consulting; Hitachi High-Tech Corporation; HJL Lithography; HOLON CO., LTD; HOYA Corporation; IBM; imec; IMS CHIPS; IMS Nanofabrication AG; JEOL; KIOXIA; KLA; Micron Technology; Multibeam Corporation; NCS; NuFlare Technology; Petersen Advanced Lithography; Photronics; QY Mask; Samsung Electronics; Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation (SMIC); Siemens EDA; STMicroelectronics; Synopsys; TASMIT; Tokyo Electron Ltd. (TEL); TOOL Corporation; Toppan Photomask Corporation; UBC Microelectronics; Vistec Electron Beam GmbH and ZEISS. eBeam Initiative 面向和欢迎所有电子工业的公司和协会加盟。细节请查看 www.ebeam.org .
氧化铈基复合电解质材料研究进展
单相电解质的低离子电导率已不能满足600 ˚C以下的使用要求，制备高离子电导率的复合电解质成为发展方向。本文综述了掺杂CeO 2 无机盐(碳酸盐、硫酸盐)、掺杂CeO 2 金属氧化物以及掺杂CeO 2 钙钛矿复合电解质，分析了第二相对CeO 2 基电解质性能的影响。由于独特的H + /O 2−共导电性，无机盐的加入可以提高掺杂CeO 2 无机盐复合电解质的电导率。掺杂CeO 2 钙钛矿体系总电导率的提高可能是由于晶界电导率提高引起的。在掺杂CeO 2 金属氧化物体系中加入氧化物可以降低烧结温度，提高晶界电导率。以期为制备性能优异的二氧化铈复合电解质提供理论指导。
用于元件抛光的CeO2基复合材料的研究进展
Figure 7. Morphologies and surface roughness values of (a) the initial surface and the polished surface under conditions of (b) without UV-light, (c) TiO 2 film electrode with UV-light, (d) TiO 2 film electrode with UV-light and anodic bias, (e) CeO 2 -TiO 2 composite-film electrode with UV-light and (f) CeO 2 -TiO 2 composite-film elec- trode with UV-light and anodic bias [31] 图 7. (a) 初始表面； (b) 无紫外光条件下抛光表面； (c) 有紫外光并使用用 TiO 2 薄膜电极抛光下表 面； (d) 在有紫外光和阳极偏压的 TiO 2 薄膜电极下抛光表面； (e) 有紫外光并使用 CeO 2 -TiO 2 复合 膜电极下抛光表面； (f) 有紫外光和阳极偏压的 CeO 2 -TiO 2 复合膜电极抛光表面的形貌和表面粗糙 度值 [31]