摘要:单层过渡金属二硫属化物 (TMD) 为研究二维 (2D) 极限下的激子态提供了平台。TMD 中激子的固有属性,例如光致发光量子产率、电荷态甚至结合能,可以通过静电门控、选择性载流子掺杂或基底电介质工程进行有效控制。本文,为了实现激子态的非挥发性电可调性,从而实现 TMD 的光学属性,我们展示了一种具有单层 MoSe 2 和超薄 CuInP 2 S 6 (CIPS) 的二维铁电异质结构。在异质结构中,CIPS 的电极化导致单层 MoSe 2 中出现连续、全局和大的电子调制。利用 CIPS 的饱和铁电极化,可以在单个器件中实现电子掺杂或空穴掺杂的 MoSe 2。异质结构中载流子密度可调性高达 5 × 10 12 cm − 2 。还表征了这些器件长达 3 个月的非挥发性行为。我们的研究结果为低功耗和长期可调的光电器件提供了一种新的实用策略。关键词:激子、MoSe 2 、CuInP 2 S 6 、铁电性、2D 铁电异质结构■引言
在胶体纳米晶体中,2D 纳米片具有一组独特的特性,具有极窄的发光和低激光阈值。此外,它们的各向异性形状扩大了异质结构复杂设计的范围,可以设计光谱和散射率。仍然存在的挑战是将使 NPL 稳定的壳生长与光谱可调性结合起来。事实上,由于量子限制的损失,大多数报道的带壳纳米片最终都成为红光发射体。在这里,探索了单个异质结构内横向和平面限制的组合。生长出一种能够发射黄光的 CdS/CdSe/CdS/CdZnS 核-冠-冠壳结构,该结构可响应各种激发,包括可见光子、X 射线光子、电子束和电激发。k.p 模拟预测,在理想结构中可以获得高达几百 meV 的发射可调性。这种材料还显示出由低阈值双激子发射引起的受激发射。一旦集成到 LED 堆栈中,这种材料就与亚带隙激发兼容并表现出高亮度。还研究了通过缩小像素尺寸来缩放电致发光特性。
摘要在这项工作中,我们在t = 2 k的温度下实验研究了电应力对P型硅MOSFET中单孔传输性能的可调性的影响。这是通过从三个基于疾病的量子量表中的频道 - 氧化物界面上的三个基于疾病的量子点监测的库仑块来实现的,这些氧化通道界面缺乏可调性,这些点缺乏可调节性,因为这些点缺乏其稳定性。我们的发现表明,当在-4 V和-4.6 V之间施加栅极偏置时,附近的电荷捕获会增强库仑阻滞,从而导致更强的量子点限制,在执行热周期后,可以将其逆转为初始设备状况。重新施加应力产生了可预测的响应量子点充电特性的可再现变化,并且观察到一致的充电能量增加到≈50%。我们达到了-4.6 V的门偏置上方的阈值,由于设备降解作为大规模陷阱的产物,因此性能和稳定性降低。结果不仅将压力作为一种有效的技术来增强和重置充电性能,而且还提供了有关如何利用标准工业硅设备用于单一电荷运输应用的洞察力。
AURA 1.0耳机的设计被执行,以解决研究人员和参与者报告的现有基于研究的MEG系统的当前耳机的关键问题。参与者确定的主要问题是佩戴舒适性,传感器产生的热量以及耳机稳定。虽然与数据收集有关的研究人员报告的问题包括扫描噪声(由运动伪影引起),传感器宽松,传感器记录,传感器干扰,耳机可调性和电缆管理。
个人用途,单或双重包括:(2)24毫米乳房屏蔽,(2)28mm乳房盾,2个阀门,2个回流保护器,2瓶,1个电源适配器,2个管子内置可充电电池(大约3小时)每侧具有预设循环水平的独立真空可调性。每个乳房分开电动机。提供更有效和富有成效的泵送会话,超级,LCD触摸屏
提供多种选项,帮助您管理与孩子护理相关的日常活动。脚部释放倾斜执行器消除了裸露的电缆。位于后手杖上的按钮式轮毂锁结构紧凑、易于访问且易于任何护理人员操作。角度可调婴儿车手柄标配高度可调推手柄,具有 260° 角度可调性,以适应不同身高的护理人员,并允许从倾斜位置推动。
众所周知,折纸超材料会根据其折叠状态显示出高度可调的泊松比值。关于可部署折纸镶嵌中的泊松效应的大部分研究都局限于理论和模拟。要通过实验实现折纸超材料中所需的泊松效应,需要特别注意边界条件,以实现可部署的非线性变形,从而实现可调性。在这项工作中,我们提出了一种新颖的实验装置,适用于研究在施加方向和横向同时发生变形的 2D 折纸镶嵌中的泊松效应。该装置包括一个夹持机构(我们称之为圣维南夹具),以消除单轴测试实验中的圣维南端部效应。使用此装置,我们对 Morph 折纸图案进行泊松比测量,该图案的配置空间结合了 Miura-ori 和 Eggbox 母图案的特点。我们通过实验观察到了 Morph 图案的泊松比符号切换能力,以及它通过拓扑变换显示泊松比的完全正值或完全负值的能力。为了证明新装置的多功能性,我们还对标准 Miura-ori 和标准 Eggbox 图案进行了实验。我们的结果表明,在折纸超材料中泊松比测量及其可调性方面,理论、模拟和实验是一致的。所提出的实验技术可用于研究折纸超材料在静态和动态状态下的其他可调特性,例如有限应变泊松比、弹性热膨胀和波传播控制。
引言硅光子学在过去几十年中已成为高性能光子集成电路(PIC)的成熟技术。标准化的硅光子技术平台受益于公认的制造工艺,基于CMOS Electronics Microfrication的体验,并助长了PIC设计师作为标准图书馆组件的大量高性能设备。中,基于光圈谐振器的附加电源过滤器已证明成功地在波长分层多路复用(WDM)电路中操纵光谱通道。标准硅光子平台中的主动加载过滤器通常会利用热形或等离子体分散效应。热控制的附加电源过滤器提供多种可调性(> 10 nm),但MS响应时间缓慢[1]。他们的高功耗和热串扰限制了可以集成在单个电路中的组件的数量。附加滤波器提供了NS响应时间,没有实质性的串扰[2]。然而,此类过滤器通常具有有限的调谐范围,并且由于组件的活性区域中的光子载体散射而导致过多的光学损失。最近,微机电系统(MEMS)技术已被认为是增强标准硅光子学的绝佳途径。好处包括低功率运行,大型指数可调性以及与标准硅光子平台制造过程的兼容性[3]。迄今为止,通过实现可移动的波导和环/磁盘谐振器[4] - [6]来实现硅光子磁极加载滤波器。尽管如此,此类先前的演示需要定制的光子技术。
首次将HES 1500和1600系列电动罢工的行业领先功能与Aperio®无线技术配对,以提供更便宜的访问控制改造装置,用于远程控制和监视。在方便(非监控)和安全(受监视)模型选项中可用。与大多数圆柱形和弯曲闩锁锁定锁定的型号兼容,包括1英寸的螺栓。简单地说,ES100系列电动罢工是负担得起的通用改造解决方案,它提供了灵活的配置选项和动态可调性,而无需为每扇门运行电线。