抽象的主要激发是固体材料中Majorana fermions的准粒子类似物。典型的示例是Majorana零模式(MZM)和分散的Majorana模式。通过扫描隧道光谱进行探测时,前者表现为明显的电导峰,可精确定位在零能量处,而后者的表现为恒定或缓慢变化的状态密度。MZM遵守非亚伯统计,被认为是拓扑量子计算的基础,它高度免疫环境噪声。现有的MZM平台包括混合结构,例如拓扑绝缘子,半导体的纳米线或1D原子链,在传统的超导体顶部以及单个材料,例如铁基超导体(IBSS)和4HB – TAS 2。最近,在IBS Lifes中也实现了有序且可调的MZM晶格,为将来的拓扑量子计算提供了可扩展且适用的平台。在这篇综述中,我们介绍了最近对MZM的局部探测研究的概述。由材料平台分类,我们从feTe 0.55 SE 0.45和(li 0.84 Fe 0.16)Ohfese的feTe feete超导体中的MZM开始。然后,我们回顾了Iron-Pnictide超导体的主要研究以及IBSS以外的其他平台。我们进一步审查了有关有序和可调的MZM晶格的最新作品,表明菌株是调整拓扑超导性的可行工具。最后,我们就未来的Majorana研究提供了摘要和观点。
两级发射器与光腔耦合的两层发射器取决于与状态周围密度的相互作用[1]。与弱耦合方案形成鲜明对比的是,发射器表现出percell增强的自发发射[2,3],发射异常的发射极强度g超过了发射机衰变速率(γ)和空腔损失速率(κ)与量子的量化量的量子和量子均与Emtrent的量子交换。它产生了光学响应中的狂犬病分裂,例如散射或光致发光(PL)光谱[4-8]。在这种强烈的耦合系统中,量子杂交状态的操作会诱导多种量子光学响应,从而导致量子光学设备的广泛应用[9-12]。在介电腔中,衍射量最大的模式体积分别需要高质量(Q)因子(Q)和低温才能实现强耦合,分别在κQ-1和γk b t之后[13-15]。高Q空腔导致发射极和腔之间的狭窄光谱重叠,即狭窄的呼声条件,以保持强耦合。这些约束显着构成了量子杂交状态的可控性,因此限制了强耦合方案中量子电动力现象的研究。最近,即使在室温下,由于其纳米级模式的体积,等离子腔的平台也达到了等离子和激子之间有效的强耦合[5,7,16]。
在本研究文章中,讨论了抛物线表面上的2D非牛顿Sutterby纳米流体流动的行为。在表面浮力驱动流动的边界区域发生,这是由于反应发生的相当大的温度差异发生在Sutterby Nanofluid和表面的催化剂之间。在抛物线表面上很容易看到的自由对流是通过在催化剂表面上的反应引发的,该反应模拟了一阶激活能。抛物线表面的应用是子弹,汽车帽子和空气工艺品的上部盖。在讨论流下进行数学建模,通过实施微生物的浓度,动量,质量和热量来建模。系统的管理方程是非线性PDE的形式。通过使用相似性变换,理事PDE的转换为非二维颂歌。通过内置函数MATLAB软件包(称为“ BVP4C”)在数值上求解了非尺寸ode的最终系统。图形表示显示了系统浓度,速度,微生物和系统的温度曲线的影响。在温度曲线中,我们检查了嗜热系数NT(0.1、0.5、1.0),prandtl Number pr(2.0、3.0、4.0)和Brownian运动变量NB的影响(0.1、0.3、0.5)。速度轮廓取决于非二维参数,即(Deborah Number de&Hartmann Number ha),发现这些数字(de,ha)会导致个人资料倒塌。此外,还计算出传质,皮肤摩擦和传热速率。该研究的目的是列举抛物线表面对热和质量通过生物相关的Sutterby Nanofluid流动的重要性。
导电氧化物界面引起了广泛关注,这既是因为基础科学的原因,也是因为氧化物电子设备的潜力。这种设备技术成熟的一个重要差距是可扩展性和控制电子特性的途径,这可能会缩小设备工程空间。在这里,我们展示并解释了高度可调的导电氧化物界面的机制。我们使用可扩展且与行业兼容的原子层沉积 (ALD) 技术合成了非晶态-结晶态 Al 2 O 3 /SrTiO 3 界面。在 ALD 室中使用 NH 3 等离子体预处理,并将其持续时间用作电性能的调整参数,其中在室温下观察到三个数量级的薄层电阻跨度。对于导电性最强的样品,我们的结果与使用最先进的外延生长技术(例如脉冲激光沉积)制备的全晶态氧化物界面的最高载流子密度值相当。我们将导电性的起源确定为 NH 3 等离子体预处理引起的 SrTiO 3 还原引起的氧空位。这些结果提供了一种实现导电氧化物界面的简单、可扩展且与工业兼容的途径,具有广泛的参数空间,为氧化物器件工程提供了多功能且灵活的工具包。
导电氧化物界面引起了广泛关注,这既是因为基础科学的原因,也是因为氧化物电子设备的潜力。这种设备技术成熟的一个重要差距是可扩展性和控制电子特性的途径,这可能会缩小设备工程空间。在这里,我们展示并解释了高度可调的导电氧化物界面的机制。我们使用可扩展且与行业兼容的原子层沉积 (ALD) 技术合成了非晶态-结晶态 Al 2 O 3 /SrTiO 3 界面。在 ALD 室中使用 NH 3 等离子体预处理,并将其持续时间用作电性能的调整参数,其中在室温下观察到三个数量级的薄层电阻跨度。对于导电性最强的样品,我们的结果与使用最先进的外延生长技术(例如脉冲激光沉积)制备的全晶态氧化物界面的最高载流子密度值相当。我们将导电性的起源确定为 NH 3 等离子体预处理引起的 SrTiO 3 还原引起的氧空位。这些结果提供了一种实现导电氧化物界面的简单、可扩展且与工业兼容的途径,具有广泛的参数空间,为氧化物器件工程提供了多功能且灵活的工具包。
摘要 - 内部内容可寻址内存(TCAM)一直是缓存,路由器等的关键组件,其中密度,速度,功率效率和可靠性是主要的设计目标。使用了非胆汁记忆(NVM)设备,具有常规的低维能力,但基于SRAM的TCAM设计,但也很密集,但较差,但可靠性较差或更高的功率TCAM设计。同时,还提出了一些使用动态记忆的TCAM设计。尽管动态设计TCAM比CMOS SRAM TCAM更密集,并且比NVM TCAM更可靠,但传统的逐行刷新操作在正常的TCAM活动的干扰瓶颈上升起。因此,本文提出了使用纳米电机力学(NEM)继电器设备的自定义低功率动态TCAM,该中继设备利用一声刷新来解决内存刷新问题。通过使用拟议的新细胞结构来利用独特的NEM继电器特性,提出的TCAM占据了仅3个晶体管的小占地面积(通过后端过程中的两个NEM继电器在顶部集成了两个NEM继电器),这显着超过了基于SRAM-SRAM-SRAM-SRAM-基于SRAM的TCAM的密度。此外,评估表明,拟议的TCAM分别超过了SRAM,RRAM和FEFET TCAM,将写入能效分别提高了2.31倍,131倍和13.5倍。 SRAM,RRAM和FEFET TCAMS分别提高了搜索能量固定产品的12.7倍,1.30倍和2.83倍。
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自 2004 年以来,随着二维 (2D) 材料的迅猛发展,这些纳米材料在许多应用领域引起了广泛关注,包括储能、[1] 催化、[8] 柔性电子 [9] 和摩擦纳米发电机。[12] MXenes 于 2011 年被发现,是几原子厚的层状二维过渡金属碳化物、氮化物和碳氮化物。[13] MXene 单片的化学式为 M n +1 X n T x (n = 1 至 4),它描述了交替的过渡金属层(M:元素周期表的第 3 – 6 族)与具有键合终端的碳/氮(X)层(T x:-O 2 、-F 2 、-(OH) 2 、-Cl 2 或它们的组合)交错在外部过渡金属表面上。 [6, 14, 15] MXenes 的晶体结构和化学式来源于其 3D
超导电子设备的发展需要仔细表征化妆电子电路的组件。超导弱环节是大多数超导电子组件的构建块,其特征是高度非线性的电流到相位关系(CPRS),通常不完全知道。最近的研究发现,约瑟夫森二极管效应(JDE)可能与嵌入超导干涉仪中的弱环节的弱环节的高谐波含量有关。这使JDE成为探索单谐波CPR以外的弱环节的谐波内容的天然工具。在这项研究中,我们介绍了双环超导量子干扰装置(DL-squid)的理论模型和实验特征,该设备嵌入了全金属超导型金属 - 金属 - 超导 - 超导体连接。由于三个弱连接的超电流的干扰,该设备在并联的三个弱环上的干扰而表现出JDE,并且可以通过两个磁通量调节该功能,这些磁通量充当实验旋钮。我们根据干涉仪臂的相对重量以及有关通量可调性和温度的实验表征进行了对设备的理论研究。