Organic electrochemical transistors (OECTs), [16,18–27] is currently one of the most studied organic electronic devices and is explored in various applications, such as in fully printed logic circuits, [16,26] active matrix addressed displays, [17] dis- play driver circuits, [19] sensors, [22,23,28–33] neuromorphics, [24] just仅举几例。可以使用不同的打印技术,例如丝网印刷,[19,21] 3D打印,[30]喷墨打印,[34]和其他流程来通过具有成本效益的协议来制造。[35,36]基于OECT的逻辑门和电路也进行了广泛的研究,[35,37-40],其中逆变器作为任何组合逻辑电路的基本组件都起着关键作用。通过采用基于OECT的逆变器[16,26,35]作为高级电路的基本组成部分,可以实现各种形式的基于OECT的数字电池[16,24,35]。在有机电子设备中,通过考虑针对目标的最终应用,在低电压和低功率下运行的电路是完全需要的。通过降低电路的操作电压率,可以最大程度地减少电压应变和降解风险。[16]然后,这允许长时间的操作寿命,与其他技术平台的简单集成以及与通信基础架构的连接。例如,在物联网(IoT)应用程序中,为了降低使用大量电子组件在紧凑型电路中使用大量电子组件的整体功耗,要求对单个逻辑组件的有效使用来扩展IoT生态系统。要意识到这样的电路,必须降低系统元件的操作电压水平。由于逆变器是逻辑电路的关键要素,因此最终电路的工作电压范围可以在很大程度上降低
摘要:哺乳动物细胞不断受到各种 DNA 损伤事件的影响,从而导致 DNA 修复途径的激活。了解 DNA 损伤反应的分子机制有助于开发针对这些途径元素的治疗方法。双链断裂 (DSB) 对细胞活力和基因组稳定性特别有害。通常,使用 DNA 损伤剂(例如电离辐射或基因毒性药物)研究 DSB 修复。这些会在难以控制损伤剂量的非预测基因组位点处引起随机损伤。此类干预不适合研究特定 DSB 位点如何根据局部染色质状态调用不同的 DNA 损伤识别和修复途径。RNA 引导的 Cas9(CRISPR 相关蛋白 9)核酸内切酶是介导靶向基因组改变的强大工具。基于 Cas9 的基因组干预是通过在感兴趣的基因组区域形成 DSB 来实现的。在这里,我们利用基于计算机预测的定制设计的混杂向导 RNA,在人类基因组的特定数量和位置诱导 DSB。这是通过重组 Cas9-向导复合物的电穿孔实现的,它提供了一种通用、低成本且快速的方法,用于在细胞培养模型中诱导受控 DNA 损伤。
一种使用 CRISPR/Cas9 的靶向和可调节 DNA 损伤工具。Ioannis Emmanouilidis 1、Natalia Fili 2、Alexander W. Cook 2、Yukti Hari-Gupta 1 $、Ália dos Santos 2、Lin Wang 3、Marisa Martin-Fernandez 3、Peter JI Ellis 1* 和 Christopher P. Toseland 2 * 1 肯特大学生物科学学院,坎特伯雷,CT2 7NJ,英国。2 谢菲尔德大学肿瘤和代谢系,谢菲尔德,S10 2RX,英国。3 中央激光设施,哈威尔研究中心,科学和技术设施委员会,卢瑟福阿普尔顿实验室,哈威尔,迪德科特,牛津,OX11 0QX,英国。$ 当前位置:MRC LMCB,伦敦大学学院,伦敦,WC1E 6BT,英国。 * 通讯地址:pjiellis@kent.ac.uk 和 c.toseland@sheffield.ac.uk 关键词:DNA 损伤、Cas9、双链断裂、DNA 修复 摘要 哺乳动物细胞不断遭受各种 DNA 损伤事件,从而导致 DNA 修复途径的激活。了解 DNA 损伤反应的分子机制有助于开发针对这些途径元素的治疗方法。双链断裂 (DSB) 对细胞活力和基因组稳定性特别有害。通常,DSB 修复是使用 DNA 损伤剂(例如电离辐射或基因毒性药物)来研究的。这些会在非预测性基因组位点诱发随机损伤,而这些位点的损伤剂量难以控制。此类干预措施不适合研究不同 DNA 损伤识别和修复途径如何根据局部染色质状态在特定 DSB 位点被调用。 RNA 引导的 Cas9 (CRISPR 相关蛋白 9) 核酸内切酶是介导靶向基因组改变的有力工具。基于 Cas9 的基因组干预是通过在感兴趣的基因组区域形成 DSB 实现的。在这里,我们利用基于计算机预测的定制设计的混杂引导 RNA,在整个人类基因组中诱导特定数量和位置的 DSB 的能力。这是通过重组 Cas9-引导复合物的电穿孔实现的,该复合物提供了一种在细胞培养模型中诱导受控 DNA 损伤的通用、低成本和快速方法。引言生物体最关键的过程之一是使用 DNA 损伤监视和修复机制来维持基因组完整性。这些机制可阻止细胞通过细胞分裂进展,从而将有缺陷的基因组传播给子细胞 1。如果病变得不到修复,突变就会积累,导致细胞衰老和癌症等疾病的发作。在人类细胞中每个细胞周期大约会发生 10-50 次双链断裂 (DSB) 2,3 。
均匀的粒子网格已经以这种方式生成,但是该技术将基材限制为浅层凹坑,很容易被不同的沉积厚度破坏。详细介绍了扩展ELD和包含其他底物结构的替代固态易碎趋势。通过我们小组与硅纳米线的合作(SINWS),25 - 27,可以观察到金属薄的lms很容易在圆柱纳米线的顶部形成颗粒。这被怀疑是由于Sinw表面几何形状对金属薄LM表面能的影响。假设调整SINW参数将导致对纳米线顶上金属颗粒形成的高度控制。尽管纳米线结构上的金属颗粒通常是在反向过程中生长的,但通过将颗粒沉积在表面上,然后蚀刻或生长