Si 基光子集成电路 (PIC) 将光学活性元件单片集成在芯片上,正在改变下一代信息和通信技术基础设施 1。在寻找基本的直接带隙的过程中,人们对 IV 族半导体合金进行了深入研究,以获得电泵浦连续波 Si 基激光器。沿着这条路径,已经证明可以通过化学计量和应变工程将新开发的 GeSn/SiGeSn 异质结构的电子带结构调整为直接带隙量子结构,从而为激光提供光增益 2。在本文中,我们介绍了一种多功能电泵浦激光器,它在低温下发射近红外波长为 2.35 µm 的低阈值电流为 4 mA(5 kA/cm 2)。它基于 6 周期 SiGeSn/GeSn 多量子阱结构,沉积在具有弛豫 Ge 缓冲层的 Si 衬底上。通过定义一个圆形台面结构来制作小尺寸微盘腔激光器,该结构蚀刻穿过层堆栈直至 Si 衬底。随后,通过去除此区域的 Ge 缓冲层,将盘的边缘蚀刻 900 nm。剩余的 Ge 基座用作 p 接触区以及激光器的散热器(图 1 a、b)。在这个简单的结构中,由于 SiGeSn 的导热性较差,有源区的实际晶格温度比热浴 T b 高约 60K。但是,激光器在 T b =40K 以下以连续波 (CW) 模式工作,但也可以在 T b =77K 时以直接调制模式高效工作至 ns 脉冲。
• 疫苗制造以及治疗剂、设备、用品或个人防护设备的制造 • 第 1b 阶段第 6 组中未包括的其他食品和农业,包括牧场、饮料制造、苗圃、花园中心、农场用品商店、兽医服务、渔业和狩猎、林业 • 杂货店和零售(任何)商店,包括食品市场、药店、便利店、零售服装和专卖店 • 社区学院、学院、大学、职业康复、贸易和专业学校以及相关的教育支持服务、教育项目管理 • 美国邮政服务 • 公共交通,包括农村、城际和城市公交和铁路运营商、学校和员工巴士交通、特殊需求交通 • 制造业,包括木材、纸张、石油、煤炭、沥青、屋顶、化学品、塑料、金属、工业机械、计算机、电子产品、交通运输、橱柜和台面、医疗设备、维修和保养、工业设计服务 • 第 1b 阶段包含的任何行业的运输和物流,包括航空、铁路、水路、卡车、出租车、豪华轿车、包车、其他交通交通运输、驾校、批发商、仓储、储存和配送服务、包装和标签、机动车及零部件经销商、电子购物和零部件经销商、交通运输租赁和保养、相关服务• 食品服务,包括餐馆和酒吧、小卖部、社区食品服务• 能源,包括公用事业、石油和天然气开采、采矿、加油站、燃料经销商、燃料配送、环境咨询、公用事业• 水和废水、固体废物管理和回收,包括公用事业• 住房,包括建筑、承包商、房地产、社区住房服务、经济适用住房计划、旅行者住宿、商业住宿、室内设计、建筑、工程和相关服务。
DBIC - 第 1A 阶段概述:以下指南基于 EHS 为实验室和研究机构提供的信息,旨在帮助确定和实施经批准的工作区域和设备 COVID-19 消毒方法。根据 CDC 指南,达特茅斯脑成像中心 (DBIC) 的研究人员至少应在扫描仪套件中每次扫描开始和结束时执行消毒方案,但不少于每两小时一次。扫描套件内所需的清洁和消毒是研究人员的责任,应按照 CDC 建议执行,如下所述。工作班次期间可能被多人接触的设备和表面必须每两小时消毒一次。高接触位置和设备:以下是 DBIC 中需要消毒的、处理和接触频率高的位置和设备。 o 台面、扫描仪控制台 o 门把手、橱柜把手 o 扫描仪龙门架上的扫描仪台控件 o 内部和外部线圈、电缆、按钮盒、紧急挤压球 o 幻影 o 灯开关和面板 o 电话、计算机键盘和计算机鼠标 o 控制台区域和受试者等候区的椅子扶手 o 更衣室的门把手、灯开关和抽屉 o 钢笔、记号笔、铅笔、订书机、胶带分配器 o 复印机控件 o 清洁产品容器 o 系统开/关按钮 o MRI 对讲系统 o MRI 套件的门铃 批准的消毒剂: DBIC 将提供经 EPA 认证可有效对抗 COVID-19 冠状病毒的消毒剂。 Terry Sackett 和 Courtney Rogers 将负责验证消毒剂是否在 EPA 注册清单上。
摘要:在内华达大学雷诺分校的地震工程实验室,对一座由预制构件组装而成的大型双跨桥梁模型进行了一系列双轴地面运动模拟试验。在试验前,使用 OpenSees 软件开发的三维计算模型估算了桥梁的响应。试验后,将测量到的关键地震响应与计算模型预测的地震响应进行比较,以评估建模假设。观察到桥梁的位移、底部剪力和滞回响应存在较大的误差。本文讨论了地震荷载、材料、预制构件的连通性和计算模型中的边界条件对误差的影响。提出了未来的建模方向以减少这些误差。关键词:预制桥,计算模型,OpenSees,振动台试验。简历:Un puente de gran escala, de dos vanos, construido con varios elementos prefabricados fue ensayado bajo sismos biaxises en una mesa sísmica del Laboratorio de Ingeniería Sísmica de la Universidad de Nevada, Reno.通过使用 OpenSees 软件中的数字模型三维解集来估计预期的预测结果。在对数字模型的预测结果进行比较期间,重要的是要考虑模型的设计有效性。 La comparación reveló diferencias relativamente grandes en desplazamientos, cortante basal, y respuesta histerética.对西斯米卡的兴奋、材料、预制元件的连接、以及在文章中讨论的错误的前沿条件和错误的影响。不同的模型指导可以减少错误。参数:预制构件、计算模型、OpenSees、台面结构。
第10 26 26 1.00常规1.01描述A.范围:本节中的工作包括所有劳动力,材料,设备,工具和服务附带的家具,并安装完整的项目,如图所示,并在此指定。B.的工作包括:可操作的墙壁,包括面板,操作硬件,轨道,周边装饰,面板饰面材料,由制造商或授权代理完成,如图所示,并在此处指定。C.其他人的工作:台面结构的装饰和冲孔,地板水平为±3/16英寸,以10英尺的非功能性,以及需要的地方(1)(1)填充,染色或绘画,(2)声音屏障从顶部延伸到天花板的顶部到屋顶或地板的底面,(3)for Floes depter to Floor dorter to for Floor tor tor tor tor tor tor tor tor tor tor tor tor tor tor and tor tor tor(4),或者(4)电动机启动器和钥匙开关。电动连接和脱机开关,接线和限制开关的导管。(仅当此处指定的墙壁设计时,电气工作才适用。)1.02质量保证A.经验:符合这些规格的产品制造商必须至少具有五(5)个现有的经验经验。B.批准的安装程序:通过工厂批准的安装程序执行安装。1.03提交A.商店图纸:在制造之前和根据建筑师批准的一般条件提交,显示横截面,饰面,饰面和相邻建筑的附件。B.1.04保证A.样本:提交所有完成材料的样本供批准。将保留一组与工作进行比较。担保:可操作的墙承包商将提供一年的全部安装,以防止工艺和伴侣Rial一年。2.00产品2.01操作A.最低性能:为了确定最低性能和质量标准,规格基于高级类型________(插入8位数字),可操作墙,由Advanced Equipment Corporation,Fullerton,Fullerton,CA 92833。
商业烹饪设备。在商业食品服务机构中使用的设备用于供暖或烹饪食品。出于此定义的目的,商业食品服务机构是准备出售食品或以数量和频率代表家务烹饪代表的量表进行准备的地方。商业烹饪循环系统。由排气罩,烹饪设备,过滤器和火灾抑制系统组成的独立系统。该系统旨在捕获商用烹饪设备产生的烹饪蒸气和残留物。该系统从排气中去除污染物,并将空气循环到撤回其空间。轻便烹饪设备。轻便的烹饪设备包括气体和电动烤箱(包括标准,烘烤,烘焙,旋转,重新,对流,对流组合/轮蒸锅,台面输送烘焙/饰面,甲板和糕点),电动和天然气蒸汽箱套装的水壶,电动和燃气锅炉,电动汽油和加油和加油和氛围和氛围和氛围和氛围和氛围和加油和氛围和氛围和氛围和氛围和氛围。中型烹饪设备。Medium-duty cooking appliances include electric discrete element ranges (with or without oven), electric and gas hot-top ranges, electric and gas griddles, electric and gas double-sided griddles, electric and gas fryers (including open deep fat fryers, donut fryers, kettle fryers and pressure fryers), electric and gas conveyor pizza ovens, electric and gas tilting skillets (braising pans) and电气和煤气烤盘。重型烹饪设备。重型烹饪设备包括电动训练肉鸡,电动链(输送机)肉鸡,燃气不足的肉鸡,燃气链(输送机)肉鸡,燃气开放式燃烧器范围(有或没有烤箱),电动和燃气锅,吸烟者,吸烟者,吸烟者,电动和汽油烤箱,以及燃料过多的(燃料(燃料)烤(Incipriprip)。
•维修或更换水和污水系统及其组件:陷阱,通风孔,供应线,排水管线,堆栈,热水器,水龙头,水箱泵,排水瓷砖,化粪池和田野。•修复或更换加热和空调系统及其组件:熔炉,A型线圈,压缩机,恒温器,气管,烟道,烟道,登记册,管道等。•维修或更换电气系统和组件,包括安装新服务。•更换有缺陷的管道固定装置,包括有缺陷的厕所,洗手盆,浴缸,淋浴门,淋浴摊,厕所设施,厨房水槽等。•根除所有严重的昆虫,白蚁和啮齿动物的侵扰。•纠正或修复出口不足的方式。•修复严重恶化的墙壁,墙壁砖,天花板和地板。•修复或更换结构缺陷的混凝土和木制门廊,门廊悬垂,台阶和轨道。•维修或更换成老化,损坏或泄漏的屋顶,包括沟槽,落水器和飞溅盆地•砌体和混凝土扁平工厂,包括tuck缝,烟囱维修,粉底维修,固定墙壁,挡土墙,人行道,车道,车道等。•外墙的修理以使结构可以保持水密状态,不含慢性潮湿,天气连接,包括壁板,铝制旅行包裹等。•需要的所有表面的外部和内部绘画。•一些安全项目,例如锁定升级,plexi玻璃而不是玻璃等。•外门,风暴门,露台门,车库门和开瓶器等。•烟雾探测器和一氧化碳探测器。•安装厨房座柜,壁柜,台面等。•修理现有围栏以及新的围栏和门的安装。•中等景观以纠正问题,例如清除树木(在极少数情况下),分支从房屋中修剪,领带墙,回填,播种等。•修改根据模型能源代码提高结构的成本效益能源效率,包括热替换窗,阁楼和壁绝缘等。•改善房主或其残疾儿童结构的可及性的修改。•符合BOCA基本建筑法规。
a)拟议采矿活动的土地或土地土地的财产线,包括地役权和通行权。b)具有地理控制的现有或拟议的许可边界(例如标记c)清除和分级的初始和最终限制d)所有缓冲区的概述和宽度(均和宽度)所有缓冲区(不受干扰且无垃圾)e)所有坑/挖掘的概述和分布f)所有储藏区的概述和分布f)和分布的所有时间和分布g)和分布的所有时间范围和分布g)的概述,或分布的详细信息,或分布范围的详细信息。所有加工厂(如果足够远的距离,可以描述为与我的位置和距离距离))i)所有溪流,河流和湖泊的位置和名称j)所有沉降和/或加工的概述和分区的概述和分区,以及/或处理废水池塘k)所有计划和现有的位置以及现有的位置以及现有的台阶和现有的台面和现有的境地,以及现有的地点,并将其定位为现有的建筑物,并将其置于现有的地点。侵蚀控制测量n)100年洪泛区限制和湿地边界的位置o)所有与采矿许可证边界相邻的所有土地的记录所有者的名称;如果申请人拥有或租赁的毗邻道路或由矿山的出租人拥有,则必须在矿山地图上提供毗邻这些区域1,000英尺以内的这些区域的记录所有者的名称。如果申请人拥有或租赁的毗邻区或由矿山的出租人拥有,则必须在矿山地图上提供与这些区域相邻的土地所有者的名称,毗邻这些区域的土地。p)所有与公共和私人的所有者的名称,这些土地的所有土地都毗邻采矿许可证边界,这些土地直接遍布,与任何高速公路,小溪,河流,河流,河流或其他水道,铁轨,公用事业或其他公共权利与任何高速公路,小河,河流,河流或其他水道界相邻。注意:“高速公路”是指拥有四个旅行或更少且未指定为州际公路的道路。q)地图图例1)申请人名称2)矿物名称3)北箭头4)县
自 1950 年代以来,研究人员一直在研究晶体管的特性和行为,特别关注宽禁带发射极。发表在各种会议和期刊上的论文探讨了异质结构双极晶体管 (HBT)、集成电路和 Si/SiGe 外延基晶体管等主题。研究还检查了温度对晶体管性能的影响,包括在高达 300°C 的温度下的直流和交流性能。研究人员调查了各种材料系统,包括应变层异质结构及其在 MODFET、HBT 和激光器中的应用。研究了 SiGe HBT 中寄生能垒的行为,以及热电子注入对高频特性的影响。其他研究集中于渐变层和隧穿对 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管性能的影响。已经开发出突变半导体-半导体异质结处隧道电流的解析表达式,并提出了异质结界面处热电子发射电流的新物理公式。本文讨论了有关异质结双极晶体管 (HBT) 的各种研究论文,这种半导体器件兼具双极晶体管和场效应晶体管的优点。这些论文涵盖的主题包括热电子发射、电荷控制模型、器件建模以及基极分级、合金化和应变对 HBT 性能的影响。研究探索了不同材料的使用,包括 GaAs/AlGaAs、InP、Si-Ge 合金和应变层异质结构。这些论文讨论了了解这些材料的电子特性(例如有效质量、带隙和价带不连续性)的重要性。文章还涉及 HBT 中的非平衡电子传输,这对高频性能至关重要。研究人员研究了各种生长技术,包括分子束外延 (MBE) 和化学气相沉积 (CVD),以创建高质量的 HBT 器件。研究论文中的一些主要发现和结论包括:* 了解异质结材料电子特性的重要性* 应变对 HBT 性能和器件特性的影响* 需要先进的生长技术,如 MBE 和 CVD,以创建高质量的 HBT 器件* Si-Ge 合金和应变层异质结构在提高 HBT 性能方面的潜力总体而言,本文中介绍的论文展示了正在进行的研究工作,旨在提高异质结双极晶体管的性能和特性。本文讨论了有关硅锗 (Si/Si1-x Gex) 异质结构的各种研究和研究论文,重点介绍了它们的特性及其在微电子器件中的应用。一项研究使用导纳谱分析了由 Si/Si1-x Gex 异质结构制成的 MOS 电容器。另一篇论文研究了在硅衬底上生长的无应变和相干应变 Si1- x Gex 的电子漂移迁移率。文章还讨论了用于高频应用的碳掺杂 SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 的开发,以及针对低温操作的 HBT 技术的优化。此外,研究人员还探索了应变和重掺杂对 Si/Si1-x Gex 合金间接带隙的影响。论文还涉及各种主题,例如外延 Si 和 SiGe 基双极技术的设计和优化、UHV/CVD SiGe HBT 中集电极-基极结陷阱的影响以及 Ge 分级对 SiGe HBT 偏置和温度特性的影响。总体而言,研究重点是了解 Si/Si1-x Gex 异质结构在微电子器件(包括 HBT 和其他半导体技术)中的特性和应用。本文讨论了 SiGe 基双极晶体管和 III-V 异质结双极晶体管 (HBT) 研究的进展。目标是优化这些器件以用于高性能电子应用,包括高速数字集成电路、模拟电路、微波集成电路和 RF 器件。1993 年至 2002 年期间发表的研究文章探讨了 SiGe HBT 的各个方面,例如针对高电流密度的优化、屏障效应、渡越时间建模和紧凑的电流-电压关系。这些研究旨在提高这些器件的性能和效率。另一个研究领域侧重于 III-V HBT,包括基于 GaAs 的 HBT、AlGaN/GaN HBT 和 GaN HBT。目标是开发用于微波应用的新技术并克服建模和模拟这些器件的挑战。这些研究还调查了不同生长技术的使用,例如金属有机化学气相沉积 (MOCVD),并探索 AlGaN/GaN HBT 选择性区域生长的潜力。总体而言,该研究旨在突破 SiGe 基双极晶体管和 III-V HBT 的可能性界限,从而开发出适用于广泛应用的高性能电子设备。过去几十年来,异质结双极晶体管 (HBT) 的研究得到了广泛的开展。各种研究都探索了它们的潜在应用、优势和局限性。在 2001 年发表在 IEEE Transactions on Electron Devices 上的一篇文章中,研究人员讨论了 HBT 在高频应用中的能力。同一出版物还介绍了 Shigematsu 等人在 1995 年的另一项研究,该研究提出了一种具有改进特性的自对准 InP/InGaAs HBT 的新设计。此外,Low 等人在 1999 年发表的一篇文章。固态电子学杂志探讨了 InGaP HBT 技术在射频和微波仪器中的应用。研究人员强调了它的潜在优势,包括与硅双极晶体管相比更快的开关速度。一些研究也集中于 HBT 的设计和制造。Gao 等人在 1992 年发表在 IEEE 电子器件学报上的一篇文章介绍了一种用于功率应用的异质结双极晶体管设计。在同一期刊上发表的另一项研究中,Gao 等人 (1991) 研究了发射极镇流电阻设计和 AlGaAs/GaAs 功率 HBT 的电流处理能力。微波多指 HBT 中的崩塌现象也得到了广泛的研究。Liu 等人 (1993 年和 1994 年) 在 IEEE 电子器件学报上发表的研究检查了高功率密度对这些器件中电流增益崩塌的影响。此外,Chou 和 Ferro 在 1997 年的会议论文集中概述了异质结双极晶体管,重点介绍了它们的应用和优势。研究人员探索了用于红外光子探测的先进半导体器件概念和技术,旨在提高 III-V 器件的性能。研究人员还致力于通过引入碳掺杂基极来提高 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管的预期寿命。该研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外,还进行了高温偏压应力测试,以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性,揭示了它们在各种工作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外,还进行了高温偏压应力测试,以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性,揭示了其在各种操作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外,还进行了高温偏压应力测试,以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性,揭示了它们在各种操作条件下性能的潜在改进。
抽象的低氧偶氮性脑病(EHI)是一种神经综合征,由于新生儿缺血而导致重力不同。症状包括意识丧失,运动减少,肌肉张力和反射,以及在严重的情况下癫痫发作。治疗性体温过低(HT)是现在在高收入国家广泛采用的一种治疗策略,表明通过临床实践改善神经台面 - 可以发展。本文旨在分析缺氧缺血性脑病的内在特征,以及病理生理学和治疗措施。研究方法包括综合综述。因此,确定新疗法的病理生理学研究和疾病治疗的研究是基本的,为患有这种疾病的患者带来了较少的后遗症和更好的神经系统预后。关键字:脑病;新生儿神经保护;缺氧。抽象的低氧 - 缺血性脑病(HIE)是一种神经系统综合征,由于新生儿缺血而导致的严重程度有所不同。症状包括意识的丧失,运动不足,肌肉张力和反射,以及在严重的情况下癫痫发作。治疗性体温过低(TH)是现在在高收入国家广泛采用的治疗策略,否定通过临床实践可以改善神经发育。本文旨在分析低氧缺血性脑病的内在特征,以及病理生理学和治疗措施。研究方法包括综合综述。因此,确定新疗法的病理生理学和治疗方法的研究是必不可少的,对患有这种疾病的患者带来了更少的未来后遗症和更好的神经系统预后。 div>关键字:脑病;新生儿神经保护;缺氧。 div>摘要缺氧 - 缺血性脑病(EHI)是一种神经综合征,由于新生儿缺血而导致的重力不同。 div>症状包括知识的丧失,运动减少,肌肉张力和反射,以及在严重的情况下癫痫发作。 div>治疗性低温(HT)是一种治疗策略,现在在高收入国家中广泛采用,表明可以通过临床实践改善神经发育。 div>本文旨在分析低氧缺血性脑病的内在特征及其病理生理学和治疗措施。 div>研究方法包括综合综述。 div>因此,对病理生理学研究的发展和疾病的治疗方法确定新疗法,这些疗法给患有这种病理学的患者带来了较少的未来后遗症和更好的神经系统预后。 div>关键字:脑病;新生儿神经保护;缺氧 div>