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World File Search System各向同性
结构响应和计算机辅助设计程序
4.MARC (~arc .@alysis ~esearch ~orporatlon) 是一个通用有限元程序，用于弹性分析和具有大位移的结构的非线性静态分析。元素库包含二维和三维元素以及板和壳元素。该程序特别适用于解决弹塑性和蠕变问题。塑性行为基于各向同性、弹塑性、时间相关材料理论，具有 VCNTMiaes 屈服准则、各向同性或运动应变硬化、温度相关弹性特性和等效屈服应力。蠕变行为基于 von Mises 流动准则，各向同性行为由用户指定的等效蠕变速率定律描述。该图使用切线模量法计算塑性，使用迭代初应变法计算蠕变。
Optical spectra of plasmon-exciton core-shell nanoparticles
由金属芯和分子J凝聚糖物的有机壳组成的混合芯 - 壳纳米结构的光学特性取决于在壳中金属核心和Frenkel Expitons表面的等离子之间的电磁偶联。在具有强和超强等离子体的情况下 - 激子耦合，使用传统的各向同性经典振荡器模型来描述J种类介绍功能可能会导致理论预测与杂交NanAnoparticles的可用实验光谱之间的巨大差异。我们表明，这些差异不是由经典振荡器模型本身的局限性引起的，而是将有机壳视为光学各向同性材料。通过假设壳体中分子J-聚集的经典振荡器的切向取向，我们与TDBC涂覆的金纳米棒的实验灭绝光谱获得了极好的一致性，而这些射频的实验灭绝光谱无法用常规的各向同性壳模型来处理。我们的结果扩展了对金属（有机纳米颗粒的光学）物理效应的理解，并提出了这种混合系统理论描述的方法。
董事会发射器EMC免疫测试
对拟议的回弹板发射机（ROBT）方法的评估证明，车辆内部的电磁环境与完美的混响室不同。被期望为吸收材料，例如座椅和室内装饰，可能会阻止与混响室类似的田间分布。仍然，该项目的目的是找到一种优于常规方法的测试方法，可以指出，Robt方法是一种适当的选择，因为它可以将电子曝光到各向同性辐射。这是从本文介绍的两种措施中找到的：预期的各向同性E ISO，一个对电场成分的相对度量和D DOF，对混响室内空间分布的定量。
PCB 的模态有限元分析和材料各向异性的作用
摘要。印刷电路板 (PCB) 是环氧树脂浸渍和固化的反编织玻璃纤维 (例如 FR4) 板，层压在薄铜板之间。PCB 的性质本质上是各向异性和不均匀的，但之前的 PCB 模态 FEM 假设了各向同性、各向异性 (横向各向同性和正交各向异性) 材料特性，并显示出与特定场景的测试数据有良好的相关性 [1-3]。本文详细介绍了一项研究计划的一部分，旨在更好地理解如何准确模拟 PCB 的动态行为。分析了材料各向异性的影响的新研究，特别是材料正交平面定义 (𝐸 ௫ 和 𝐸 ௬ ) 对特征频率的影响。使用 Steinberg 完善的理论和其他人的经验数据 [4, 5] 创建、验证和确认了 JEDEC PCB 的模态 FEM。使用参数模态 FEM 检查了 𝐸 ௫ 、𝐸 ௬ 和 𝐸 ௭ 对 PCB 特征频率的相对贡献，分析了材料各向同性和各向异性的作用。还分析了典型 JEDEC PCB 的横向各向同性材料特性的影响。此分析详细说明了准确建模 PCB 特征频率所需的网格密度。结果表明，𝐸 ௭ 增加 100% 只会导致特征频率差异 0.2%，而 𝐸 ௬ 增加 100% 会导致特征频率差异 1.2%。正交各向异性平面定义（交替使用 𝐸 ௫ 和 𝐸 ௬ ）对 JEDEC PCB 的影响使特征频率发生了 7.95 % 的偏移。
低偏压六氟化硫等离子体蚀刻硅的现象学建模
使用六氟化硫 (SF 6 ) 等离子体对硅 (Si ) 进行低偏压蚀刻是制造电子设备和微机电系统 (MEMS) 的宝贵工具。这种蚀刻提供了几乎各向同性的蚀刻行为，因为低电压偏置不会为离子提供足够的垂直加速度和动能。由于这种近乎各向同性的行为，上述等离子体蚀刻可作为湿法蚀刻的替代方案，例如在 MEMS 和光学应用中，因为它提供了更清洁、更精确的可控工艺。然而，各向同性的程度以及最终的表面轮廓仍然难以控制。在这项工作中，我们将三维特征尺度地形模拟应用于 Si 中的低偏压 SF 6 蚀刻实验，以帮助工艺开发并研究控制最终表面几何形状的物理蚀刻机制。我们通过准确再现三个不同的实验数据集并详细讨论地形模拟中涉及的现象学模型参数的含义来实现这一点。我们表明，与传统的严格各向同性和自下而上的方法相比，我们的现象学自上而下的通量计算方法更准确地再现了实验结果。反应堆负载效应被视为模型蚀刻速率的普遍降低，这通过比较不同负载状态下模拟的蚀刻深度与实验确定的蚀刻深度得到支持。我们的模型还能够使用给定反应堆配置的单个参数集，准确地再现不同掩模开口和蚀刻时间的报告沟槽几何形状。因此，我们提出模型参数，特别是平均有效粘附系数，可以作为反应堆配置的代理。我们提供了一个经验关系，将反应堆配方的平均粘附系数与可测量的蚀刻几何各向同性程度联系起来。这种经验关系可以在实践中用于 (i) 估计独立实验的平均有效粘附系数和 (ii) 微调蚀刻几何形状。
从密度泛函理论系统地调整二元 III-V 半导体的应变诱导带隙
III-V 半导体带隙性质和大小的改变对于光电应用具有重要意义。应变可用于系统地在很宽的范围内调整带隙，并引起间接到直接 (IDT)、直接到间接 (DIT) 和其他带隙性质的变化。在这里，我们建立了一种基于密度泛函理论的预测从头算方法来分析单轴、双轴和各向同性应变对带隙的影响。我们表明系统性变化是可能的。对于 GaAs，在 1.52% 各向同性压缩应变和 3.52% 拉伸应变下观察到 DIT，而对于 GaP，在 2.63 各向同性拉伸应变下发现 IDT。我们还提出了一种通过将双轴应变与单轴应变相结合来实现直接-间接转变的策略。确定了应变 GaSb、InP、InAs 和 InSb 的进一步转变点，并与元素半导体硅进行了比较。因此，我们的分析为二元 III-V 半导体中的应变诱导带隙调整提供了一种系统且可预测的方法。