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GeSn 合金的室温晶格热导率
摘要：在片上操作和体温特有的温度下，用于高效能量收集器的 CMOS 兼容材料是可持续绿色计算和超低功耗物联网应用的关键因素。在此背景下，研究了新的 IV 族半导体，即 Ge 1 − x Sn x 合金的晶格热导率 (κ)。通过最先进的化学气相沉积在 Ge 缓冲 Si 晶片上外延生长 Sn 含量高达 14 at.% 的层。通过差分 3 ω 方法电测量晶格热导率 (κ) 从 Ge 的 55 W/(m · K) 急剧下降到 Ge 0.88 Sn 0.12 合金的 4 W/(m · K)。经验证，对于应变松弛合金，热导率与层厚度无关，并证实了先前通过光学方法观察到的 Sn 依赖性。实验 κ 值与电荷传输特性的数值估计相结合，能够捕捉这种准直接带隙材料系统的复杂物理特性，用于评估 n 型和 p 型 GeSn 外延层的热电性能系数 ZT。结果突出了单晶 GeSn 合金具有很高的潜力，可以实现与 SiGe 合金中已经存在的能量收集能力，但在 20°C - 100°C 温度范围内，没有与 Si 兼容的半导体。这为在 CMOS 平台上实现单片集成热电提供了可能性。关键词：热电材料、晶格热导率、GeSn 合金、CMOS、绿色计算、能量收集 ■ 简介
通过相场模拟了解高度复杂的材料过程：增材制造、钢中的贝氏体转变和高温合金的高温蠕变
本文报道了通过相场模拟解决材料科学悬而未决的问题的最新突破。它们涉及增材制造中的凝固结构形成、贝氏体转变过程中的碳重新分布以及高温合金高温蠕变过程中的损伤开始。第一个例子涉及凝固过程中外延生长和成核之间的平衡。第二个例子涉及贝氏体转变中扩散控制和块状转变占主导地位的争议。第三个例子涉及高温合金中的定向粗化（筏化），这是一种扩散控制的相变：沉淀物相干性的丧失标志着与晶格旋转和拓扑反转相关的损伤的开始。本文根据需要回顾了相场法的技术细节，并讨论了该方法的局限性。
PB – SN – BA网格合金的机械性能 - 铅...
具有所需特性的合金可以通过控制组合物或加工[9，10]来定制微结构来开发。因此，研究人员搜索可以改善纯铅的概念的合金元素[11-13]。在此类元素中是钡和锡，增加了铅的增加，增加了拉伸强度和蠕变耐药性[14-20]。此外，钡引入铅锡合金还会增加硬度，减少电化学活性，从而增加腐蚀稳定性[21]。钡还可以使这些特性保持稳定，因为防止了过度衰老。高含量的锡的存在也抑制了铅基合金的过度分支过程[22]。另外，通过防止钝化并允许电池从深处排放的条件中弥补电池的钝化和充电，锡罐有助于网格的电化学性质。
GW2.1基因调节晶粒性状的靶向突变，并诱导大麦的产量损失 在碳化硅上集成石墨烯和MOS2 高级材料处理系统中的传输通道 Calpain活性调节剂：抑制剂和激活剂作为潜在药物LeventeEndreDókus，Mo'Ath Yousef＆ZoltánBánócziPharmaceutics 2020， 对自动化车辆的泳道控制，反馈延迟：非线性分析和实验室实验 在介孔Niwo 4 上支持的电催化剂的设计降低了PT含量 多分散性比（PDR）及其对... 的应用 有问题的社交网络使用中的隐式认知 焊接轮廓对绝缘栅极晶体管（IGBTS）的热参数的影响 多核算方法 polycomb蛋白RYBP在小鼠胚胎干细胞的体外心脏分化过程中激活转录因子plagl1 光控制生物杂交微型机器 量子信息的费米子系统 用TiO 2和Zno 抑制Snagcu焊料合金的Sn晶须生长
谷物宽度和重量2（GW2）是一种E3-泛素连接酶编码基因，对谷物物种中谷物的大小和重量负调节。因此，建议禁用GW2基因活性以提高作物生产率。我们在这里表明，大麦GW2.1同源物的CRISPR/CAS介导的诱变会导致细长谷物的发展和蛋白质含量增加。同时，GW2.1功能的损失引起了由于尖峰数量减少和谷物设置低而引起的明显晶粒屈服不足。我们还表明，GW2.1缺乏作物产量和蛋白质含量引起的相反作用在很大程度上与培养条件无关。这些发现表明大麦GW2.1基因对于产量和晶粒性状之间的优化是必需的。总的来说，我们的数据表明，大麦中GW2.1基因活性的丧失与多效性效应相关，对生成器官的发展以及因此谷物产生产生了负面影响。我们的发现有助于更好地理解谷物的发育以及GW2.1控制大麦的定量和定性遗传改善中控制的UTI。
采用氧化锌纳米颗粒涂层作为镁合金的腐蚀抑制剂在不同的水溶液中
摘要。在这项研究中，使用直接的微波辅助技术合成氧化锌纳米颗粒。结果表明，合成的纳米颗粒是六边形的wurtzite Zno纳米颗粒，其结晶石尺寸为6.76 nm，如通过生理化学方法确定。它揭示了在不同的增强型，是不规则的，球形的海绵状结构。使用傅立叶变换红外光谱法，已经观察到ZnO表面上的相应官能团。根据吸收测量值，直接光带隙约为3.29 eV。光致发光光谱可通过寻找红色发射和蓝色带缘发射来检测ZnO晶格中的晶体缺陷。进行了对氧化锌纳米颗粒的抗腐蚀能力的研究，该研究表明，当用镁（MG）底物涂有颗粒时，颗粒具有有益的特征。这些材料被评估，具有有或没有保护性涂层的腐蚀性。结果表明，在不同的电解质条件下，涂层显着提高了保护速率。与裸露的MG板相比，当ZnO纳米颗粒涂覆时，电荷转移电阻R CT增加。
增材制造 ODS 合金的精选和基本特性
1996 年 1 月 1 日之后发布的报告通常可通过 OSTI.GOV 免费获取。网站 www.osti.gov 公众可以从以下来源购买 1996 年 1 月 1 日之前制作的报告： 国家技术信息服务 5285 Port Royal Road Springfield, VA 22161 电话 703-605-6000 (1-800-553-6847) TDD 703-487-4639 传真 703-605-6900 电子邮件 info@ntis.gov 网站 http://classic.ntis.gov/ 美国能源部 (DOE) 员工、DOE 承包商、能源技术数据交换代表和国际核信息系统代表可以从以下来源获取报告： 科学和技术信息办公室 PO Box 62 Oak Ridge, TN 37831 电话 865-576-8401 传真 865-576-5728 电子邮件 reports@osti.gov 网站 https://www.osti.gov/
使用 LENS 和 EBAM 方法增材制造 NiTi 合金的微观结构、老化效应和形状记忆性能比较
对采用各种增材制造方法制备的样品的结构、织构、转变温度和超弹性能进行了比较。采用激光工程净成型 (LENS) 方法制备的样品的织构与 <001> 构建方向有几度偏差，但成分接近初始粉末成分，从而具有超弹性效应。电子束增材制造 (EBAM) 样品在室温下表现出马氏体结构，这是因为转变温度转移到了更高的范围。这种转变是由于不同的加工条件导致的 Ni 含量较低。然而，EBAM 方法在构建方向上产生了更清晰的 <001> 织构，并且可以在室温以上获得良好的超弹性效应。使用 EDS 和电子衍射分析将尺寸为 0.5-2 毫米的金属间化合物颗粒鉴定为 Ti 2 Ni 相。该相通常形成在晶界处。与 LENS 方法相反，EBAM 制备的样品表现出富含 Ni 的初级颗粒，这是由不同的加工条件引起的，这些加工条件降低了固溶体中的 Ni 含量，从而提高了马氏体转变温度。在 500°C 下老化可使 LENS 和 EBAM 样品的马氏体转变温度转移到更高的范围。这是由于形成了富含 Ni 的连贯沉淀物。在用这两种方法制备并在 500°C 下老化的样品中，主要在 {011} B19' 平面上观察到马氏体 B19' 孪晶的存在。关键词：增材制造；形状记忆合金；NiTi；TEM 研究