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用于 BCI 中 EEG 表征学习的多尺度神经网络
摘要 — 深度学习的最新进展对脑机接口 (BCI) 研究产生了方法论和实践上的影响。在各种深度网络架构中，卷积神经网络 (CNN) 非常适合时空谱脑电图 (EEG) 信号表征学习。文献中描述的大多数现有基于 CNN 的方法都通过重复的非线性操作在连续的抽象级别提取特征，并涉及密集连接的层进行分类。然而，神经生理学研究表明，EEG 信号携带不同频率成分范围的信息。为了更好地反映 EEG 中的这些多频特性，我们提出了一种新颖的深度多尺度神经网络，该网络可发现多个频率/时间范围内的特征表征并提取电极之间的关系，即空间表征，以识别主体的意图/条件。此外，通过用时空谱信息完全表示脑电信号，所提出的方法可用于主动和被动脑电接口中的多种范式，而现有的方法主要集中在单一范式脑电接口上。为了证明我们提出的方法的有效性，我们对各种范式的主动/被动脑电接口数据集进行了实验。我们的实验结果表明，与同类的最先进的方法相比，所提出的方法取得了性能上的提升。此外，我们使用不同的技术分析了所提出的方法，例如 PSD 曲线和相关性分数检查以验证多尺度脑电信号信息捕获能力、用于研究学习到的空间滤波器的激活模式图和用于可视化表示特征的 t-SNE 绘图。最后，我们还展示了我们的方法在现实问题中的应用。
粪便钙染色素升高与肠道微生物营养不良，血清标记改变和老年人的临床结局有关
粪便钙染色素是炎症性肠病（IBD）中肠道炎症的既定标志。粪便钙染色素水平升高以及肠道微生物营养不良。然而，与老年人相关的系统性和多词与粪便钙蛋白钙质升高有关的变化尚不清楚。这项研究全面研究了粪便钙染色素水平，肠道微生物组组成，血清炎症和靶向代谢组学标志物，以及大量老年人同类的相关生活方式和医学数据（n = 735;平均年龄±SD：68.7±6.3）。低（0–50 µg/g; n = 602），中度（> 50–100 µg/g; n = 64）和高（> 100 µg/g; n = 62）粪钙钙蛋白钙蛋白钙钙蛋白钙钙蛋白棒彩（N = 62）组。在高钙甲染素组中，几个促炎性肠道微生物属显着增加，短链脂肪酸产生属的属。在高粪便钙蛋白酶基组中，血清中的IL-17C，CCL19和毒性代谢产物硫酸硫酸盐含量增加。这些变化是由肠道菌群部分介导的。此外，高钙染色素组显示出心脏病和肥胖症患病率更高，疾病患病率更高。我们的发现有助于理解粪便钙染色素作为肠道营养不良的标志及其在老年人中的更广泛的系统性和临床意义。
159 -KLF5上调是胆管癌的常见事件，充当癌基因，构成不良的预后因素
结果：与正常肝组织相比，来自5个不同患者同类的人类CCA组织中KLF5的表达上调。高KLF5水平与淋巴结侵袭和总体生存率较差有关。 与正常的人胆管细胞相比，在人CCA细胞中发现了体外，KLF5蛋白和mRNA水平。 KLF5 - / - CCA细胞的蛋白质组学分析表明，大多数改变的途径与细胞周期，增殖，生存和迁移的调节有关。 一致，与CCA对照细胞相比，klf5 - / - CCA细胞表现出降低的细胞增殖，菌落形成和迁移，同时在G1/s处促进细胞周期停滞，并在体外凋亡。 相反，在CCA异种移植动物模型中皮下或原位注射后，没有明显的肿瘤发育迹象。 同样，高KLF5水平与淋巴结侵袭和总体生存率较差有关。与正常的人胆管细胞相比，在人CCA细胞中发现了体外，KLF5蛋白和mRNA水平。KLF5 - / - CCA细胞的蛋白质组学分析表明，大多数改变的途径与细胞周期，增殖，生存和迁移的调节有关。一致，与CCA对照细胞相比，klf5 - / - CCA细胞表现出降低的细胞增殖，菌落形成和迁移，同时在G1/s处促进细胞周期停滞，并在体外凋亡。相反，在CCA异种移植动物模型中皮下或原位注射后，没有明显的肿瘤发育迹象。同样，
在气候变化下的保护区域设计网络中整合功能连接：驯鹿案例研究
摘要 - 动态场景中的移动对象细分（MOS）是一个重要的，具有挑战性但探索不足的重新搜索主题，以供自动驾驶，尤其是对于从移动的自我车辆获得的序列而言。大多数分割方法利用了从光流图获得的运动提示。但是，由于这些方法通常是基于从连续的RGB框架中预先计算的光流，因此这忽略了对间框架内发生的事件的时间考虑，因此限制了其识别其表现出相对静态性但在运动中确实在运动中表现出相对静态物体的能力。为了解决这些局限性，我们建议利用事件摄像机以更好地理解视频，从而在不依赖光流的情况下提供了丰富的运动提示。为了培养该领域的研究，我们首先引入了一个名为DSEC-MOS的新型大型数据集，用于从移动自我车辆中移动对象进行分割，这是同类的第一个。为了进行基准测试，我们选择了各种主流方法，并在我们的数据集上严格评估它们。随后，我们设计了一种能够利用事件数据的新型网络。为此，我们将事件的临时事件与空间语义图融合在一起，以区分真正的移动对象和静态背景，并围绕着我们感兴趣的对象增加了另一个密集的监督。我们提出的网络仅依靠用于培训的事件数据，但在推理过程中不需要事件输入，从而使其直接与仅限框架方法相媲美，并且在许多应用程序情况下都可以使用更广泛的使用。源代码和数据集可公开可用：https：//github.com/zzy-zhou/dsec-mos。详尽的比较突出了我们方法对所有其他方法的显着性能提高。
与普通人群相比
抽象背景的长期预后与胸痛患者的低 - 敏感性心脏肌钙蛋白T（HS-CTNT）浓度相关。我们研究了与一般人群相比的这些预后意义。方法从2010年12月9日至2017年8月31日纳入了瑞典七个急诊科（ED）的所有第一次访问。心肌损伤患者（任何HS-CTNT> 14 ng/L），包括心肌梗塞（MI）患者。标准化死亡率（SMR）和标准化发病率比（SIRS）计算为观察到的预期事件的比率。预期数是通过将同类的一年日历期特异性，特定年龄和性别的随访时间乘以一般人群中的相应发病率来计算。hr，定义为急性MI，心力衰竭住院，脑脑中风中风或心血管死亡，患有无法检测的（<5 ng/L）和低（5-14 ng/L）HS-CTNT的患者之间。结果总共包括11916例患者，其中69 090（62％）和42 826（38％）的峰值HS-CTNT浓度<5和5-14 ng/l。与一般瑞典人口相比，无法检测到的HS-CTNT患者的死亡率较低（SMR 0.83，95％CI 0.79至0.87），在所有患者≥65岁的患者中均观察到较低的风险，但患有MI诊断为1.39，95％CI 1.39，95％CI 1.32 1.32至1.47）。与低相对于不可检测的峰值HS-CTNT相关的第一个痕迹的调整后风险为1.6倍（HR 1.61，95％CI 1.53至1.70）。结论患者患有胸痛和无法检测到的HS-CTNT与普通人群相比，总体死亡风险较低，风险高度依赖。可检测的HS-CTNT浓度仍然与长期心血管风险增加有关。
印度3,414例晚期肺癌患者的临床特征和一线姑息治疗模式
肺癌，尤其是非小细胞肺癌（NSCLC），是一个主要的全球健康问题。在印度，管理这种疾病的复杂性通过各种各样的表现，改变医疗保健的访问以及不断发展的流行病学趋势受到吸烟和诊断疗法进步等因素的影响。这项研究探讨了癌症人口统计学和一线姑息治疗方案。我们对计划在2000年3月至2017年6月之间计划在我们的中心进行姑息性全身疗法的3,414例晚期肺癌患者进行了回顾性分析。同类的平均年龄为56.7个四分位数（IQR：21-88）年，男性占主导地位（71.9％）。历史亚型包括腺癌（82.9％），鳞状细胞癌（13.6％）等（3.5％）。在37.7％的患者中，胸腔内转移酶有40.7％的40.7％，胸膜外和牙周室外。外部外部位点为骨骼（32.5％），肝脏（14.4％），大脑（13.7％）和肾上腺（9.0％）。基线东部合作组织的绩效状态为0（8.3％），1（58.7％），2（20.7％），3（11.7％）和4.6％的患者中的4个。表皮生长因子受体（EGFR）和变性淋巴瘤激酶（ALK）阳性率较低。大多数患者（92.4％）接受了一线全身疗法，主要是基于铂金的双重疗法（67.1％）。酪氨酸激酶抑制剂为EGFR+的51.8％，ALK+的48％和突变阴性病例的54.1％。酪氨酸激酶抑制剂为EGFR+的51.8％，ALK+的48％和突变阴性病例的54.1％。这项研究提供了印度单个三级护理中心的肺癌人口统计学和治疗模式的关键见解，强调了女性肺癌病例的增加，稳定的吸烟率以及改善获得基因检测和靶向疗法的机会。
一项关于热酰化对聚酰亚胺对集成电子应用的物理化学，机械，热和电性能的普遍研究
摘要：聚酰亚胺（PI）是一类介电聚合物，用于广泛的电子设备和电气工程应用，从低压微电机到高压隔离。由于其出色的热，电气和机械性能，它们得到了很好的赞赏，每个特性都需要根据最终应用来唯一优化。例如，对于高压应用，必须优化最终的聚合物分解场和介电性能，这两者都取决于固化过程和PI的最终物理化学特性。迄今为止的大多数研究都集中在聚合物的一组有限的特性上，并分析了从物理，机械，机械或以电气为中心的观点来固化的效果。本文试图克服这一点，在同一研究中统一所有这些特征，以准确描述治疗温度对PI性质和工业加工量表的普遍影响。本文报告了同类的最广泛研究对治疗温度对聚酰亚胺的物理化学，机械，热和电气特性的影响，该特性是多酰亚胺，特定的聚乙醇硫酸苯二酚-CO-4、4'-氧基二氨基氨基氨基烷（PMDA/ODA）（PMDA/ODA）。不仅要精确地研究了治疗温度的优化，不仅在iMidation（DOI）方面进行了精确研究，而且还考虑了整个物理特性。尤其是，分析阐明了电荷转移复合物（CTC）在这些特性上的关键作用。低场处的电特性表现出可能是由于DOI引起的最终PI特性的增强。结果表明，尽管随着DOI和CTC的形成，热和机械性能都会改善，但电气特性，尤其是在高场面条件下，随着CTC形成的增加，在较高温度下降解时，拮抗行为会增强DOI。相反，在高电场上，电导率结果显示在中等温度下，强调当在这种平衡的情况下进行热进型过程时，高DOI和PI链之间的理想折衷。此平衡允许具有优化电气性能的PIFIM的最高性能，总体而言，可以实现最佳的热和机械性能。
NIH推动妇女健康 对接Cas9中的对接站点，用于腺嘌呤基础编辑多样化和RNA脱离目标消除 通过以参与者为中心的心理教育程序缓解安慰剂响应：一项随机，单盲，全安慰剂研究主要抑郁症和精神病 表面处理对通量可调的transmon Qubits 的影响 S41598-023-32902-Z.pdf 人类寿命的大脑图表
一年来，美国国立卫生研究院（NIH）拥有妇女健康研究办公室。当Car-Diosist Bernadine Healy成为今年早些时候的第一位女性NIH负责人时，她很快就宣布了一项有关妇女健康的重大研究计划。无论她在国会议员约翰·丁格尔（John Dingell）在NIH的欺诈办公室方面的困难如何，希利（Healy）将因对妇女的这种政治正确立场而获得国会的普遍赞美。这是一个有趣的发展。该倡议的基石将是一项5亿美元的十年研究，对60,000至70,000名绝经后妇女的研究，这些妇女因年龄而有患心脏病发作，死于癌症或死于老年和脆性骨头的风险。该研究旨在评估对妇女饮食健康，激素替代疗法，钙和维生素D补充剂的影响。这项研究可能还将涵盖抗氧化剂的使用，早期疾病的相对价值以及预防吸烟。这将是对美国有史以来对同类的最大表演分析。healy说，这项对全日制后妇女的研究将是通过妇女健康研究办公室协调的几项举措之一，在她成为董事之前创建的是国会的妇女健康核心会议，这是由一组妇女敦促的妇女敦促的，这些妇女从那以后就成立了妇女健康研究协会的科学学会。“因此，研究必须考虑到非洲裔美国人，西班牙裔，美洲原住民和亚洲妇女等各种群体之间发生的文化差异。”这一运动的前提是，对男性健康的研究不能轻易扩展到妇女，并且对一个族裔的妇女的重新搜索不一定适用于另一个族裔。妇女运动还对信念可以通过适当的行为来预防疾病的信念，这意味着行为和社会科学在创建新的研究议程中与传统的生物医学科学一样重要。在过去的一年中，妇女的健康并没有出现在政治议程上。自1980年代初以来，这个问题一直在势头，当时政府任命了一个工作队，其建议毫不奇怪，听起来很
宽带隙器件特刊社论：设计、制造和应用
新兴的宽带隙 (WBG) 半导体有望推动全球产业发展，就如同 50 多年前硅 (Si) 芯片的发明推动了现代计算机时代的到来一样。基于 SiC 和 GaN 的器件正开始变得更加商业化。与同类的基于 Si 的元件相比，这些 WBG 器件更小、更快、更高效，在更严苛的操作条件下也能提供更高的可靠性。此外，在此框架下，一种新型微电子级半导体材料被创造出来，其带隙甚至比之前建立的宽带隙半导体（如 GaN 和 SiC）还要大，因此被称为“超宽带隙”材料。这些材料包括 AlGaN、AlN、金刚石和 BN 氧化物基材料，它们在理论上具有更优越的性能，包括更高的临界击穿场、更高的工作温度和潜在的更高辐射耐受性。这些特性反过来又使得革命性的新器件可用于极端环境成为可能，例如高效功率晶体管（因为巴利加品质因数有所提高）、超高压脉冲功率开关、高效 UV-LED、激光二极管和 RF 电子设备。本期特刊发表了 20 篇论文，重点关注基于宽带隙的器件：设计、制造和应用。三篇论文 [1-3] 涉及未来 5G 应用和其他高速高功率应用的 RF 功率电子设备。其中九篇论文 [4-12] 探讨了宽带隙高功率器件的各种设计。其余论文涵盖了基于宽带隙的各种应用，如用于提高 GaN 基光子发射器光子提取效率的 ZnO 纳米棒 [13]、InGaZnO 薄膜晶体管 [14]、宽带隙 WO3 薄膜 [15]、银纳米环 [16、17] 和 InGaN 激光二极管 [18-20]。特别是在 RF GaN 器件方面，Kuchta 等人 [1] 提出了一种基于 GaN 的功率放大器设计，该设计降低了透射率畸变。Lee 等人 [2] 展示了一种用于 2.5 至 6 GHz 干扰系统的紧凑型 20 W GaN 内部匹配功率放大器，它使用高介电常数基板、单层电容器和分流/串联电阻器实现低 Q 匹配和低频稳定。 Lin 等人 [3] 通过集成厚铜金属化层实现了 Ka 波段 8.2 W/mm 的高输出功率密度。关于 GaN 功率器件，Wu 等人 [4] 研究了一种双 AlGaN 势垒设计以实现增强模式特性。Ma 等人 [5] 介绍了一种使用 GaN 的数字控制 2 kVA 三相分流 APF 系统。Tajalli 等人 [6] 通过进行缓冲分解研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿的起源。可以确定每个缓冲层与垂直漏电和击穿电压相关的贡献。Sun 等人 [7] 研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿电压的分布。[7] 提出了一种利用 TCAD 实现常关型 GaN HEMT 的新方法。该概念基于将栅极沟道方向从长水平方向转置为短垂直方向。Mao 等 [8] 在 IGBT 的集电极侧引入了一部分 p-polySi/p-SiC 异质结，以在不牺牲器件其他特性的情况下降低关断损耗。Kim 等 [9] 实现了 SiC 微加热器芯片作为下一代功率模块的新型热评估设备，并评估了其耐热性能。
亚当·斯密与经济发展的理论与实践
《国富论》中讨论了城镇发展以及早期文明和晚期殖民地的发展。斯密使用的所有例子都是他所谓的理论模型的例外，如果斯密真的想用该模型解释发展，那么这个选择就很奇怪了。我不会像 Walter Eltis (1975) 和 Samuel Hollander (1973) 对增长模型那样对斯密的模型进行形式化，而是坚持斯密的叙述。我不会参与有关斯密的唯物主义（Pascal 1938；Meek 1976；Skinner 1982）或缺乏唯物主义（Winch 1983a；Haakonssen 1981）的争论，John Salter（1992）对此进行了评论，但我会研究斯密对发展阶段模型的运用以及他使用的例子。虽然我同意 Hla Myint ( 1977 ) 的观点，即史密斯有“贸易兼发展”理论，但我与 Myint ( 1958 ) 的观点不同，他用实际经验事实来审视史密斯模型的有效性。我只关注史密斯本人提供的经验数据，而不是他的历史发展叙述是否正确。此外，我同意 Paul Bowles ( 1986 ) 的观点，即理论与事实脱节是一个问题，但我不同意他的观点，即这是史密斯的失败，因为重农学派对他产生了影响。如果斯密未能证明“‘富裕的自然进程’描述了经济体在不受任何影响的情况下的发展方式，并且他的失败……源于他的方法论，尤其是‘富裕的自然进程’是一个先验概念，没有参考历史证据” (Bowles 1986，第 110 页)，那么斯密为何要费心不断列举与他的模型相矛盾的历史证据？因此，我提出一个问题，即斯密本人是否质疑阶段模型作为发展模型的用途。我认为，发展阶段模型的特殊形式意味着“社会根据不同的生存方式经历连续的阶段发展” (Meek 1976，第 6 页；重点为原文)。因此，这一阶段模型的关键不仅在于生存方式决定了社会的阶段，还在于从一个阶段发展到另一个阶段，社会在进步，即使不同的生存方式可能同时共存。这是罗纳德·米克的解释的关键方面——“发展应被视为经历四个通常连续的阶段”（Meek 1971，第 10 页）——在我看来，斯密要么没有采纳这一解释，要么如果被解释为采纳，我认为斯密是在批评而不是支持。在这一点上，我同意詹姆斯·阿尔维（James Alvey，2003）的观点，即对斯密的目的论解释是有问题的。我与阿尔维不同，因为我不认为“斯密感到困惑”（Alvey 2003，第 19 页）。正如我认为的，斯密要么没有把阶段性发展模型当作发展模型来采用，要么，如果他采用了，也是在批评它，而不是在认可它。事实上，我对米克及其同类的解读有异议，这些解读认为，正如米克所说，“起初全世界都是美国……美国……是亚洲和欧洲最初时代的一种模式” (约翰·洛克，引自米克，1976 年，第 22 页)——发展阶段的观念意味着或多或少“不同生存方式的有序序列或连续性，通过这种序列或连续性，社会可以被视为随着时间的推移而进步” (米克，1976 年，第 23 页)，即使不同的社会可能同时处于不同的阶段。这并不意味着我没有在斯密的理论中看到发展。在斯密的理论中，发展是一个历史事实。但斯密解释这一历史事实的方式并不是通过“不同生存方式的有序序列或连续”的阶段模型。这并不意味着斯密不考虑不同的阶段