一种替代方法,称为光吸收光谱(“吸收光谱”),解决了基于发射方法的许多局限性。吸收光谱涉及通过目标介质传递已知光谱特性的光,并观察到波长被培养基吸收。特定的分子将在特定波长上引起共鸣(振动),这样就可以在该波长下吸收光。与发射光谱法不同,它要求将目标培养基加热至合适的温度,吸收光谱利用了测量设备提供的光源,这通常是合适的波长(颜色)的单色激光器或激光器。由于激光具有已知的波长特性,因此不一定要加热目标介质
图 1:PBDB-T/ITIC 共混物的 2DES 光谱揭示了空穴传输途径。a) PBDB-T 和 ITIC 的分子结构,以及通过 TD-DFT 计算的最低单线态的电荷密度分布。电子和空穴密度分布分别为紫色和黄色。腈基团 (CN) 以蓝色圈出。b) 纯 PBDB-T 薄膜、纯 ITIC 薄膜和 PBDB-T/ITIC 共混物的吸收光谱。图中的线表示 PBDB-T(黑色)和 ITIC(红色)的两个最低振动电子跃迁(0-0 和 0-1)。c) 在 600-720 nm 波长激发下并在 540 至 660 nm 范围内探测时,PBDB-T/ITIC 共混物在 20 fs 时的 2DES 吸收光谱。吸收光谱显示在 2DES 光谱的顶部和右侧。 2DES 光谱中的垂直和水平虚线以及吸收光谱中的线表示峰位置。轮廓间隔:最大振幅的 10%。d) 十字峰的时间响应(方块:实验数据;线:指数拟合)揭示了空穴转移动力学。相应的峰位置在 (c) 中用红色方框表示。
抽象锌纤维素透明液玻璃杯用(70-X)TEO 2 -20B 2 O 3 -10ZNO-XSM 2 O 3系统掺杂的SM 3+离子是通过熔融技术制备的。X的值从0.0 mol%到2.5 mol%不等。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR),吸收光谱,光条间隙(E OPT)和URBACH能量(δE)分析进行了SM 3+离子的结构和光学表征研究。从FTIR分析中,研究了准备玻璃中的BO 3,BO 4,TEO 3,TEO 4和B - O-结构单元的存在。由于基态和SM 3+离子的各种激发态引起的紫外线中的三个强吸收峰,并从吸收光谱中观察到可见区域。直接过渡的光节间隙,E OPT的值分别为2.605 eV至2.982 eV,分别用于间接过渡的2.768 eV至3.198 eV。同时,在0.112 eV至0.694 eV的范围内观察到URBACH能量(δE)。对其他一些结果进行了详细分析和讨论。关键字:光学特性,锌,硼固醇,吸收光谱
本文介绍了在 LiNbO 3 和 LiNbO 3 :Fe 衬底上采用水热法在低温下生长的 ZnO 纳米棒组成的半导体铁电结构的特性。通过扫描电子显微镜、光致发光和分光光度法分析了所得结构。给出了 SEM 图像和光谱、吸收光谱、紫外和可见光范围内的光致发光光谱。研究表明,可以与其他方法一起使用水热法合成 Zn(NO 3 ) 2 6H 2 O 和 C 6 H 12 N 4 来获得 ZnO 纳米棒阵列,作为基于表面活性剂的紫外线辐射传感器的敏感元件。关键词:纳米棒;光致发光;扫描电子显微镜;吸收光谱 PACS:68.37.Hk,78.55.Ap,42.25.Bs,61.46.Km
摘要 太赫兹 (THz) 超材料因其不寻常的吸收体而被开发用于 THz 传感、检测、成像和许多其他功能。然而,不寻常的吸收光谱会随着不同的入射角而变化。因此,我们设计并制作了一个具有金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构超材料吸收体的焦平面阵列,以供进一步研究。使用 THz 时域光谱 (THz-TDS) 测量了入射角从 20° 到 60° 的吸收光谱,实验结果表明吸收光谱随入射角的变化而变化。本研究开发了一个用于提取吸收频率特性的基本分析非对称峰模型,以定量探索吸收体行为随入射角的变化。最好的结果是,使用此峰值模型可以轻松找到与最高吸收相对应的频率。实验数据与非对称峰模型的验证一致。此外,还发现了第二个将参数定量与入射角相关联的模型,可以预测吸收光谱的偏移和变化。根据二次模型推导,预测吸收光谱在特定入射角下具有谷状吸收曲线。所提出的提取方法的基本特征是它可以应用于任何基于物理的 MIM 超材料系统。这种模型将指导 THz 超材料吸收器、传感器、成像器等的设计和优化。
图1. 结构示意图及在正入射光下模拟得到的吸收光谱。(a)红外探测器的探测机理。目标的红外辐射透过大气后被红外探测器捕获。(b)双层超薄膜示意图及GST在不同状态之间的转变机制。当温度超过结晶温度𝑇𝑇 𝑐𝑐时,GST会逐渐由非晶态转变为结晶态,而一旦温度超过熔点𝑇𝑇 𝑚𝑚后,经过快速退火,GST又可以变回非晶态。(c)光谱椭偏仪测得的红外波段不同状态下GST的相对介电常数。(d)双相态超薄膜对正入射光的吸收光谱及大气透过光谱。
摘要:在本文中,我们证明了2D钙钛矿(PEA)2 PBI 4(PEPI)中的激子/激子an灭是太阳能电池和光发光二极管中的主要损失机制,可以通过抗激元与腔之间的耦合来控制。我们使用时间分辨的瞬态吸收光谱研究激发状态动力学,并表明可以通过通过PEPI层厚度改变腔宽度,从而通过强耦合方式调节系统。非常明显的是,即使腔质量因子仍然很差,也会出现强大的耦合。我们证明,观察到的类似衍生物样的瞬态吸收光谱可以使用时间依赖性的RABI分裂来对其进行建模,而Rabi分裂是由于激子的瞬时漂白而发生的。当PEPI强烈耦合到腔体时,激子/激子歼灭速率被1个数量级抑制。一个依赖北极子部分光子特征的模型将结果解释为失谐的函数。