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EUV 掩模吸收层的优化
极紫外光刻 (EUVL) 是最有前途的技术之一，它可将半导体器件制造的极限扩展到 50 纳米及以下的临界尺寸 [1]。EUVL 需要制造反射掩模，它不同于紫外可见光光刻技术所用的传统透射掩模。极紫外 (EUV) 掩模由一个 EUV 波长的反射镜组成，反射镜上沉积了吸收图案堆栈。干涉镜由高折射率和低折射率材料的交替堆栈制成，通常是沉积在基板顶部的 40 个 Mo/Si 双层。通过调整 Mo 和 Si 层的厚度，可以针对 13.5 纳米的波长优化反射率。对于“双层工艺” [2]，吸收图案堆栈由缓冲层顶部的导电吸收层制成，缓冲层用作蚀刻停止层以及吸收层修复步骤中的保护层。过去几年，人们评估了多种材料（Ti、TiN、Al-Cu、TaSi、Ta、TaN、Cr）[2–4] 作为 EUV 掩模的导电吸收材料的可能性。图 1 描述了这种基本的减法 EUV 掩模工艺流程，其中采用了“双层”吸收堆栈。
研究MASNBR3吸收层的影响...
研究Masnbr 3吸收层厚度对FTO /TIO 2 /MASNBR 3 /CUI PEROVSKITE太阳能电池特征T. A. Mohammed A，M。W. Aziz A，M。W. Aziz A，H。W. Hamed A，J。M. Rzaij B，kirkik of Scorecation of Kirkuk，Irab by of Irab kirkuk，Irab by irab be a irab by a irab beir，irab beirike for a i rak kir kirkik b。伊拉克拉马迪（Ramadi）这项工作包括设计一个太阳能电池，其中含有氟含氟锡的氧化锡，二氧化钛，甲基铵锡锡溴和杯状碘化物。研究了从0.2μm到2.5μm的吸收层厚度对发达的PSC性能的影响。最佳性能的吸收层的厚度为0.2μm。合成太阳能电池提供的开路电压为1.07 V，短路电流为34.356 mA/cm 2，效率为30.68％，最佳厚度为0.2μm的填充系数为83.404。与传统同行相比，发现了开发的PSC的成本效益，环境可持续性的提高和鲁棒性。（2024年2月16日收到； 2024年5月3日接受）关键词：钙钛矿，太阳能电池，SCAPS-1D，效率，填充因子，量子效率1。简介地球收到了大量的太阳能，太阳提供了足够的能量，以满足全年的全球能源需求。此外，每天的太阳辐射都超过了世界人口的总能源消耗。太阳能到达地球三天等同于所有已知的化石燃料来源中存储的能量。Park等。 在2017年，Anwar等人。Park等。在2017年，Anwar等人。太阳能自由使用，代表了一种有希望的和可持续的资源。实用太阳能电池技术的创建可以追溯到30年来。随着时间的推移，太阳能电池的效率和寿命显着改善，尤其是随着晶体管和半导体技术的进步。光伏技术将光能转化为电流，它是全球最具前瞻性的可再生能源形式之一[1-3]。太阳能电池通过将光（无论是从阳光还是人工来源）转化为电能来发挥作用。正在进行的发展旨在产生具有成本效益，用户友好，高效且耐用的太阳能电池，通常称为稳定的太阳能电池。钙钛矿太阳能电池是一种具有钙钛矿结构化合物的一类太阳能电池，引起了人们的注意。这种化合物通常是有机无机杂种或主要基于铅的卤化物材料，是能量收集的活动层。值得注意的钙钛矿材料包括铅甲基铵和铅卤化物，以其成本效益和制造方面的简单性而闻名。钙钛矿太阳能电池技术的进步已显着提高效率，归因于内部结构修改，从2009年的3.8％上升到2018年底的22.7％[4]。探索非铅替代方案的探索导致在创建钙钛矿太阳能电池中研究了金属卤化物，例如SB，AG，SN，CU，GE和BI。采用相同的原理成功开发了该细胞，并达到了6.5％的能量转换效率[6]。具体而言，含有金属卤化物（例如Ch 3 nh 3 snbr 3）的钙钛矿由于其理想的带隙为1.3 eV而成为非铅钙钛矿太阳能电池的有前途的候选者。当我们努力向更清洁和更可再生能源过渡时，这些发展强调了可持续和有效的太阳能技术的潜力[5]。研究了一个具有多型钙钛矿吸收层的太阳能电池，他们发现效率为20.21％，20.23％和18.34％[7]。在2018年，Muniandy等人。使用不同类型的
![基于MAI [（PBI2）1 – X（CUI）X]吸收层及其长期稳定性](/simg/c\c0ee4a671f3ceaa028fcd8e4fb7b25f7aa7489b5.webp)
基于MAI [（PBI2）1 – X（CUI）X]吸收层及其长期稳定性
Wissal Belayachi，Salma Boujmiraz，Salma Zouhair，KübraYaşaroğlu，Guy Schmerber等。研究基于MAI的混合有机有机 - 内科卤化物太阳能细胞基于MAI [（PBI2）1 – X（CUI）x] X] x] x] x] x] x] x] x] x] x]。材料科学杂志：电子学中的材料，2021，32（15），pp.20684-20697。10.1007/s10854-021-06582-2。hal-03322284
卵子研究杂志。 20，第3号，2024年5月至6月，第3页。 309-323吸收层提高
电气技术和工程教师，马来西亚马来西亚大学马来西亚大学，吉纳·贾亚（Hang tuah jaya）具有成本效益和高效的光伏应用的潜力，效率通常超过20％。但是，需要进一步改善细胞性能以降低生产成本。因此，本研究提出了通过修饰吸收层层厚度和组成的CIGS太阳能电池的超薄结构。SCAPS软件用于评估拟议设计的性能，例如开路电压（VOC），短路电流（JSC），填充因子（FF％）和转换效率（ŋ％）。结果表明，具有拟议的GNP和CGS吸收层的超薄太阳能电池是理想的，因为它们的较大ŋ％，25.33％。（2024年2月28日收到； 2024年5月20日接受）关键词：太阳能电池，超薄的CIGS太阳能电池，CGS，GNP，GNP，吸收层的厚度，Scaps。1。引言太阳能电池对于向更清洁，更可持续的能源过渡至关重要。由于地球群在气候变化和环境退化问题上挣扎，太阳能电池提供了一种发电的方法，而无需喷出温室气体或耗尽宝贵的资源[1]。可再生能源是一种潜在的解决方案，可能是全球电力供应的未来，以满足必要的需求，每年逐渐增加。吸收层是CIGS太阳能电池的关键组成部分。太阳能使用光伏技术转换为电能。太阳系中使用的常见半导体包括洁牙镉，丙烯酸铜，微晶硅，单晶硅和多晶硅硅[2]。例如，铜硅化铜（CIGS）是一种半导体材料，在太阳能电池技术领域中具有重要意义。CIGS表现出较高的转化效率，可以将阳光显着转化为电力。正在进行的研发工作着重于通过改善材料特性，设备架构和制造过程来提高CIGS太阳能电池的效率。这些进步有可能使CIGS技术在大规模采用方面更具吸引力。是直接吸收阳光并产生有助于发电的电荷（电子和孔）的层。吸收层的特性和特性在确定CIGS太阳能电池的整体性能和效率方面起着重要作用。CIGS太阳能电池中的缓冲液和前接触经常由硫化镉和氧化锌制成[4]。确定氧化物是否透明光的带隙比光的光子能量更重要，因为它包含发电所需的能量。氧化物不应根据这一含义吸收光。下一层（称为吸收层）由通常比喻为太阳能电池的“控制中心”的半导体材料组成。该层捕获光子和刺激电子的能力会导致传导带中电流，从而证实了这种效果[4]。因此，吸收层的半导体材料的选择与太阳能电池截面中存在的光子范围对齐。同时，back- *通讯作者：aziah83@gmail.com https://doi.org/10.15251/jor.2024.203.309
谱图绘制硅胶合成的MNSE膜的特性，作为薄膜太阳能电池吸收层的潜在材料
这项研究研究了使用连续的离子层吸附和反应方法（Silar）方法合成的锰（MNSE）薄膜的光学，结构和电性能（MNSE）薄膜，具有不同体积的三乙胺（TEA）作为络合物的浓度。MNSE薄膜在紫外线（UV）区域表现出很高的吸光度，根据茶浓度的不同，在0.61至0.91处达到峰值，并朝着近红外（NIR）区域下降。透射率从12.53％到92.17％不等，随着较高的茶浓度降低。膜的能带间隙从2.90 eV降低，用2 ml茶降低至2.30 eV，以10 mL的速度降低，突出了MNSE用于光伏应用的可调性。膜厚度从190.82 nm到381.63 nm不等，反映了与茶浓度的直接关系。从结构上讲，在立方相结晶的MNSE膜具有改善的结晶度和较高茶容量下的缺陷，这是晶体尺寸从20.10 nm增加到25.09 nm，并降低了位错密度和微疗法。形态分析揭示了中等茶浓度下的均匀谷物样结构，这对于光伏性能是最佳的。电性能强调了电阻率和电导率之间的权衡。膜在2 mL时表现出较高的2.72×10 s/cm的电导率，而10 mL时为1.02×10ିହs/cm。这些发现证实了MNSE薄膜对于太阳能电池中吸收层的适用性，尤其是在需要可调的光学和电气性能的情况下。通过改变茶浓度来控制这些特性的能力增强了材料在光伏以外的应用程序（包括光电和光电探测器设备）以外的应用。
使用 SCAPS-1D 软件优化吸收层和 ETM 层厚度，以增强锡基钙钛矿太阳能电池性能
甲基铵碘化锡（ ）钙钛矿纳米晶体由于其带隙窄、可见光吸收系数高、比铅基对应物（ ）更环保，引起了研究兴趣，并成为光伏领域的后起之秀。本文提出了一种以氧化锌（ZnO）和氧化铜（CuO）为电子传输介质（ETM）和空穴传输介质（HTM）的锡基钙钛矿太阳能电池，并使用太阳能电池电容模拟器（SCAPS）工具进行数值研究。在适当的参数下，初步模拟获得了短路电流密度（Jsc）为 27.56 / 、开路电压（Voc）为 0.82 、填充因子（FF）为 59.32 % 和功率转换效率（PCE）为 13.41 %。通过改变吸收层和电子传输层的厚度，观察到ZnO和ZnO的最佳厚度分别为0.6和0.3，相应的PCE分别为14.36％和13.42％。使用优化参数进行模拟后，记录到Jsc为29.71 /，Voc为0.83，FF为61.23％，PCE为15.10％。这些值优于未经优化获得的值，这意味着通过调整钙钛矿和电子传输层可以在一定程度上提高太阳能电池的性能，同时钙钛矿太阳能电池（PSC）是一种具有相当高效率的潜在环保太阳能电池。
钙钛矿太阳能电池透明背电极的可扩展脉冲激光沉积
脉冲激光沉积 (PLD) 是一种成熟的复杂化学计量薄膜沉积技术，在成功制造薄膜形式的高温超导体 (HTS) 后引起了广泛的研究关注。[1] 从那时起，PLD 主要用于在晶格匹配基板上外延生长多种复合氧化物的应用，但在光伏 (PV) 领域尚未得到探索。尽管在 21 世纪初，高导电性的 In 基 TCO 已通过 PLD 制造并成功用作 OLED 的前触点 [2,3]，但关于 PLD 生长触点在 PV 设备中的应用的报道仍然很少。文献报道包括用于 CIGS [4] 和有机 [5] 太阳能电池的掺杂 ZnO 薄膜以及用于卤化物钙钛矿太阳能电池的金属氧化物传输层。 [6] 此外，PLD 已被提议用于硫族化物吸收层的制造 [7,8]，最近又用于卤化物钙钛矿吸收层。[9,10]
带有 Ag/AlOx 钝化背反射器的超薄 Cu(In,Ga)Se2 太阳能电池
摘要：在 Ag/AlO x 堆栈上生长了 550 nm 的超薄 Cu(In,Ga)Se 2 (CIGS) 吸收层。堆栈的添加使太阳能电池的填充因子、开路电压和短路电流密度得到改善。效率从 7% 提高到近 12%。光致发光 (PL) 和时间分辨 PL 得到改善，这归因于 AlO x 的钝化特性。由于光散射和表面粗糙度增加，测量到的电流增加了近 2 mA/cm 2。利用飞行时间-二次离子质谱法测量了元素分布。发现 Ag 贯穿整个 CIGS 层。Mo 背面的二次电子显微镜图像显示了 Ag/AlO x 堆栈的残留物，这通过能量色散 X 射线光谱测量得到了证实。这被认为是导致表面粗糙度和散射特性增加的原因。在正面，可以看到带有 Ag/AlO x 背接触的电池有大片污渍。因此，在裸露的吸收层上应用了氨硫化物蚀刻步骤，将效率进一步提高到 11.7%。它显示了在背面使用 Ag/AlO x 堆栈来改善超薄 CIGS 太阳能电池的电气和光学特性的潜力。