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World File Search System吸收损失
当AT1仪器在权益之前吸收损失
•定性触发器：规定触发触发器以外的CET1比率以外的合同条款。这种类型的触发因素的基本原理是，尽管银行所报告的资本地位可能高于监管最低限度，但如果银行在未达到非监管资本最小值或基于其他标准之前，可能需要进一步加强资本基础以恢复信心（PONV）。BASEL框架要求AT1工具必须具有反映这种定性触发因素的合同条款，除非发行银行的管辖权规定具有相同效果的法定机制。它将PONV定义为：（i）相关权威的决定，即需要写入以恢复发行公司的可行性需要写入：或（ii）公共部门的决定提供支持以恢复发行公司的可行性的支持。10定性触发器的激活是由相关权威酌情决定的，因此价值转移的可能性取决于是否酌情限制了相关权威的限制，以便在没有前面或同时完整地写入CET1的情况下写下工具。在这方面，需要区分两种情况：
通过透明保护层实现高效耐用的 III-V 族半导体催化剂光电阴极
太阳能驱动水分解的持久性能和高效率是光电化学 (PEC) 电池尚未同时实现的巨大挑战。虽然由 III-V 族半导体制成的光伏电池可以实现很高的光电转换效率，但它们与电催化剂的功能集成以及工作寿命仍然是巨大的挑战。在此，超薄 TiN 层被用作埋层结 n + p-GaInP 2 光电阴极上的扩散屏障，使得随后的 Ni 5 P 4 催化剂生长为纳米岛时能够升高温度，而不会损坏 GaInP 2 结。所得 PEC 半电池的吸收损失可以忽略不计，饱和光电流密度和 H 2 释放量与用 PtRu 催化剂装饰的基准光电阴极相当。高耐腐蚀 Ni 5 P 4 /TiN 层在 120 小时内显示出不减损的光电阴极运行时间，超过了之前的基准。通过蚀刻去除电沉积铜（引入的污染物），恢复了全部性能，证明了操作耐用性。 TiN 层扩大了合成条件并防止腐蚀，使 III-V PEC 设备稳定运行，而 Ni 5 P 4 催化剂则取代了昂贵且稀缺的贵金属催化剂。
综合纳米光子Q- ...
纳米光电综合电路已经发挥了巨大的技术增长，目前构成了许多技术领域的驱动力，包括现代光学通信系统。基于商业CMOS兼容和技术成熟的硅在隔离器（SOI）平台，这是一个高度有效的，大型的，大型的，超级压缩和低损耗的光学组合，包括波格指南，谐振器，谐振器和谐振器，包括波动，谐振器和电动机。[1,2]最近，当代富含硅的二氮在绝缘子（SRNOI）平台（与SOI互补的）平台（SRNOI）平台也引起了极大的关注。[3 - 5] SRNOI平台结合了SI的高折射率和宽阔的罪带，可实现微型化和强烈的光线结合，而无需单次吸收损失和两光子吸收诱导的损失，以及SI I近Indimrared（NIR）中SI的无效效果。当前，缺乏可靠且有效的SOI兼容片上的集成光源[6]构成了实现高融合密度密度硅基纳米光子电路的瓶颈。此外，通过利用可腔内饱和吸收剂来控制激光动力学，以将连续波（CW）纳米光激光转化为脉冲源而无需进行外部调节的脉冲源，而最近仅在光电晶体洞中进行一次尝试，但仅尝试进行一次尝试。[8]但是，带来了[7] Conventional passive pulsed laser sour- ces exploiting Q-switched and mode-locked mechanisms are rather bulky and typically based on either free-space Fabry- Pérot or fi ber-loop cavities, with the gain provided by solid-state and rare-earth-doped fi ber lasers, respectively, while the satura- ble absorption (SA) effect is delivered by semiconductor satura- BLE吸收镜（SESAMS）。[8-10]尽管由于纳米腔腔的短往返，纳米级模式锁定机理的剥削似乎是概率的，但Q解换原理似乎很有希望，因为它本质上受到紧凑型腔结构的固有青睐。
在UV/Violet上运行的低损坏单模波导...
集成的光子学是一种在应用程序的各个领域，包括光学共同传感和生物传感。尤其是，片上生物感应引起了极大的兴趣，这是由于其在低成本，紧凑性和低检测极限方面的潜力。CMOS兼容的氮化硅（SIN X）目前在片上光谱中起着重要作用，是可见/近红外（MR）平台的首选材料[1]。然而，sin x在蓝色/紫外线波长下遭受高吸收损失[2]。已经努力研究了在紫外线波长的波导，但紫外线平台仍处于起步阶段。对于理想的光子平台，低损耗和单模操作对于结合芯片上多个光学组件至关重要。最近，X。Liu等[3]报道了一个单晶AIN平台。从k = 390 nm处的出色胶片质量，中等的波导损失为8 db/cm。然而，即使使用电子束光刻，大波导维度和高指数（N）值为2.2也会导致多模式引导。相反，使用原子层沉积（ALD），氧化铝（A10 X）具有较低的折射率值，高于220 nm [4]的高透明度，可以很好地控制A10 X膜的均匀性和厚度。G.N. West等。 在“ k = 371 nm [5]时，以令人印象深刻的低损失为〜3 db/cm的A1G X波导，需要步进光刻来进行模式波导，然后才能实现单个模式操作。 在402 nm的波长下证明了5 dB/cm的传播损失。G.N.West等。 在“ k = 371 nm [5]时，以令人印象深刻的低损失为〜3 db/cm的A1G X波导，需要步进光刻来进行模式波导，然后才能实现单个模式操作。West等。在“ k = 371 nm [5]时，以令人印象深刻的低损失为〜3 db/cm的A1G X波导，需要步进光刻来进行模式波导，然后才能实现单个模式操作。在402 nm的波长下证明了5 dB/cm的传播损失。此外，它们的平台将氧化硅（Sio X）的实现为硬面膜，后来将其作为顶级层面。尽管这将有效地降低核心和覆层之间的指数对比，然后减少散射损失，但Sio X-覆层不可避免地会抑制平台的生物感应电位。在本文中，我们提出了由常规接触光刻（Karl Suss Ma6对准器）制造的空气层单模A10 X波导。在实施昂贵且耗时的步进光刻之前，该A10 X平台利用了一种高效且具有成本效益的光刻工具来制造紫外线/紫罗兰色频谱设备的研究原型。