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World File Search System吸收系数
光学性质的首个主要研究
本研究论文的抽象主要任务是研究光学特性（包括介电函数，屈光度指数，消光系数，损耗功能，吸收系数和电导率）METARITION METION DIBORIDES M B 2（M = M = Ti，NB，NB）作为[100]方向的光子能量的功能。理论和实验数据相互比较，以更好地理解这项研究工作。关键词：第一个主要研究；光学特性；过渡金属； Diborides。1。引言在本文中，已经讨论了过渡金属Diborides MB 2（M = Ti，NB，ZR）的光学性质[1]的结果。在此，对于TIB 2，NBB 2，ZRB 2，折射率的虚构部分分别为30.24 eV，30.5 eV和45.41 eV。由于材料没有带隙[2]，因此从带结构中可以明显看出，因此，当光子能量为零时，所有阶段的光电导率[3]开始。光电导率，因此材料的电导率[4]由于吸收光子而增加[5]。在我们的观察中，我们在0.67、6.6和10.0时看到了TIB 2的三个峰。对于其他两种化合物NBB 2观察到相似的趋势，而Zrb 2 .TiB 2由于其金属性质，在低能范围内具有吸收带。它的
硫族化物钙钛矿：诱人的前景、具有挑战性的材料
这几乎是之前所有技术都无法比拟的。高吸收系数允许用 300-500 纳米厚的薄膜制成高效的太阳能电池，而高电子和空穴迁移率以及缺乏深缺陷允许较长的电荷载流子扩散长度并导致光激发电子的有效收集。[1,2] 这些特性支撑了某些卤化物钙钛矿在光伏电池中的快速发展和高效率。虽然单结太阳能电池的效率已经非常惊人，[3] 但光伏钙钛矿在短期内的“杀手级”应用被认为是用宽带隙钙钛矿顶部电池增强商用晶体硅太阳能电池，以创建串联器件。硅钙钛矿串联器件的效率已经达到 29%，已经超过了硅技术本身的记录，清楚地展示了这一概念的前景。 [4] 此类串联器件可以实现高产量生产，一些研究预测其每瓦成本将低于现有技术。[5] 毫不奇怪，这项技术的商业化尝试已经在进行中。[6]
从头算研究MGTIO3钙钛矿材料的结构，电子和光学特性
摘要。这项研究研究了MGTIO 3钙钛矿材料的电子，光学和结构特性，无论是纯还是掺杂氮（N）和磷（P）等元素。调查利用了WIER2K代码中实现的GGA-MBJ近似值的密度功能理论（DFT）。结果表明，在具有y（n和p）的氧气位置，掺杂mgtio 3的带隙能显着低于纯MGTIO 3的带隙能量，其带隙为2.933 eV。，特别是在n和p的情况下，频带间隙降至1.74和0.65 eV，此外，费米能（EF）水平在P型半导体（SC）中向价带（VB）移动。此外，我们已经分析了这些系统的光学特性，包括它们的介电函数（εଵ和εଶ），光导率（𝜎），吸收系数（α）和折射率（n）。此外，用n和p掺杂会增加可见光光谱中的吸收，这在光照下会提高光催化活性，因为掺杂的材料的价和传导带更容易地产生氢。上面的发现表明，这些材料具有广泛的应用，包括光电设备的创建。
冰盖表面上风化的地壳和微生物活性的模型
摘要。穿透冰层表面下方的短波辐射会导致内部熔化，并形成近表面的多孔层（称为风化地壳），这是一种动态的水文系统，为卑鄙的和微生物的寿命提供了家园。我们开发了一个数学模型，并结合了热力学和种群动力学，以进行此类层的演变。该模型解释了质量和能量，内部和表面吸收的辐射以及由熔融冰融化的营养物质所产生的微生物物种的物流生长。它还通过依赖吸收系数对孔隙度或微生物浓度的依赖性来解释潜在的熔体 - 阿尔底托和微生物 - α反馈。我们对模型的一维解决方案进行了稳定熔化的解决方案，从而预测了风化的地壳深度，水含量，熔体速率和微生物添加型，具体取决于许多参数。，我们研究了这些数量如何取决于强迫渗透的流量，发现短波（表面渗透）辐射的相对量和其他热量量对于确定伴侣的结构至关重要。结果解释了为什么在不同的强迫条件下形成风化和消失，并提出响应于旋转的变化而可能发生的行为变化范围。
使用墨西哥葡萄球植物或多孔锗波导增强了中红外气体吸收光谱检测
研究了两种气体（CO 2）和甲烷（CH 4）的两种气体中的中红外区域的检测，研究了不同的集成光子传感器。这三个研究的结构是基于Chalcogenide膜（CHG）或多孔也（PGE）和基于CHG的Slot波导的山脊波导。优化了波导尺寸，以在导向光和气体之间获得最高功率因数，同时保持在中红外波长范围内的单个模式传播。在CHG山脊波导的情况下，可实现的功率因数为1％，PGE-Ridge为45％，在CHG-Slot的情况下为58％。在λ=4.3μm处的二氧化碳的检测极低（LOD），甲烷在λ=7.7μm下的二氧化碳为0.1 ppm，由于中液范围内的较大的气体吸收系数，可获得CHG SLOT波引导的λ=7.7μm。对于多孔驻驻波导，还计算出低LOD值：CO 2在λ=4.3μm时为0.12 ppm，CH 4在λ=7.7μm处的Ch 4 ppm。这些结果表明，所提出的结构可以在环境和健康感测芯片上实现通用光谱检测所需的竞争性能。
高速、零偏置硅锗光电探测器
我们报告了在零偏压下工作的光电探测器的高速性能——零暗电流和零直流电功耗。光电流的产生是通过嵌入硅锗的硅微环谐振器中的声子辅助吸收实现的，在波长约 1180 和 1270 nm 处分别产生 0.35 和 0.043 A/W 的响应度。我们测量了 14 GHz 的 3 dB 带宽，这是迄今为止报告的零偏压环谐振光电探测器的最快带宽，比之前的工作提高了 7 倍。我们通过 TCAD 模拟探索了这种改进的来源，并得出结论：掺杂分布的优化通过限制光生载流子漂移到谐振器外周的影响，在低电场下显著缩短了有效载流子寿命。利用实验数据，我们还提取了自由载流子和声子辅助硅锗吸收系数，结果与文献数据吻合良好。还展示了在高达 150 ○ C 的温度下的高速运行。© 2021 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可 (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。https://doi.org/10.1063/5.0047037
高速、零偏置硅锗光电探测器
我们报告了在零偏压下工作的光电探测器的高速性能——零暗电流和零直流电功耗。光电流的产生是通过嵌入硅锗的硅微环谐振器中的声子辅助吸收实现的，在波长约 1180 和 1270 nm 处分别产生 0.35 和 0.043 A/W 的响应度。我们测量了 14 GHz 的 3 dB 带宽，这是迄今为止报告的零偏环谐振光电探测器的最快带宽，比之前的工作提高了 7 倍。我们通过 TCAD 模拟探索了这种改进的来源，并得出结论：掺杂分布的优化通过限制光生载流子漂移到谐振器外周的影响，在低电场下显著缩短了有效载流子寿命。利用实验数据，我们还提取了自由载流子和声子辅助硅锗吸收系数，结果与文献数据吻合良好。还展示了在高达 150 ○ C 的温度下的高速运行。© 2021 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可 (http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。https://doi.org/10.1063/5.0047037
新分层金属的第一原理研究...
吉利安格大学，杭州大学，中国摘要：在这项研究中，我们使用VASP（VIENNA AB INTIRIO仿真）软件包进行了第一原理计算，以研究晶体结构，电子结构和光学特性，用于新的分层三层金属chalcegenide，EU 2 Inte 5。我们的结果表明，欧盟2 Inte 5是一种非零间隙金属，其分层结构为特征，其特征是强层内原子键和弱层间相互作用，这表明其潜在的应用是纳米材料。我们还研究了光学特性，包括复杂进型常数的吸收系数，虚构和真实部分，并发现EU 2 Inte 5在紫外线和可见光和蓝绿色的光线以及蓝绿色的光线下表现出强烈的光响应特性，峰值在389 nm和477 nm和477 nm和477 nm的波长处。这表明它可以用于开发UV（紫外线）检测器和其他光电设备。此外，由于其强吸收，低损失和低反射率，EU 2 Inte 5具有用作太阳能电池中有前途的光伏吸收层的潜力。关键词：三元金属醇酯，第一原理计算，分层结构，光学特性。1。简介
基于纳米厚窄带隙半导体PbS薄膜的紫外光电探测器
摘要：紫外光电探测器（UVPD）在军事和民用应用中发挥着重要作用，通常采用宽带隙半导体（WBS）作为构造模块来制造。遗憾的是，基于 WBS 的 UVPD 商业化往往受到其相对较高的制造成本的限制，因为需要使用非常复杂的生长仪器。在本文中，我们提出了一种基于具有相对较小带隙的非 WBS 硫化铅（PbS）的灵敏 UVPD。器件分析表明，由 48.5 nm PbS 纳米薄膜制成的 UVPD 对 365 nm 的紫外线照射高度敏感。具体而言，在 365 nm 照射下的响应度和特定探测率分别为 22.25 AW − 1 和 4.97 × 10 12 Jones，与大多数传统的基于 WBS 的 UVPD 相当或更好。基于 PbS 纳米薄膜的 UVPD 还表现出优异的环境稳定性。实验结果和基于技术计算机辅助设计软件的模拟证实，PbS 纳米薄膜的异常特性与相对较薄的厚度和波长相关的吸收系数有关。这些结果为窄带隙半导体在未来光电设备和系统中实现低成本敏感 UVPD 提供了机会。关键词：紫外光电探测器、窄带隙半导体、PbS、高响应度、技术计算机辅助设计 ■ 介绍
理解和抑制非富勒烯有机太阳能电池中的非放射性重组损失
有机太阳能电池受益于非富勒烯受体（NFA），这是由于其高吸收系数，可调的边界能量水平和光学间隙及其相对较高的发光量子量相比，与富勒烯相比。这些优点导致在供体/NFA异质结处的低或可忽略不计的电荷产量高产量，而单个连接设备的官能功率超过19％。以超过20％的高度推动此值需要增加开路电压，目前仍远低于热力学极限。这只能通过减少非辐射重组，从而增加光活动层的电致发光量子效率。在这里，总结了对非辐射衰减的起源以及相关电压损耗的准确定量的理解。强调了抑制这些损失的有希望的策略，重点是新的材料设计，供体 - 受体组合的优化和混合形态。本评论旨在指导研究人员寻求未来的太阳能收获供体 - 受体混合物，该供体的混合物结合了较高的激子分离产量和高辐射性的免费载体重组和低电压损耗的高收益，从而缩小了与内部有机和perovskite photovskite PhotoverSkite Photovalsics的效果差异。