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World File Search System和晶界
跨界调整的现实世界证据
资料来源：Latimer NR，White IR，Tilling K，Siebert U.改进了两阶段的估计，以调整随机试验中的治疗切换：g-估计以解决时间依赖性混杂。Stat方法Med Res。2020; 29（10）：2900-2918;缩写：PFS：无进展生存； pps：后期生存； OS：总体生存； ITT：打算
基于机器学习的晶圆排序产量预测基于晶圆接受测试数据
Delta Rsquare Delta Rsquare All features (614) 1.75% 0.341 2.63% 0.139 Top 500 features 1.73% 0.354 2.56% 0.129 Top 400 features 1.73% 0.372 2.02% 0.148 Top 300 features 1.71% 0.343 2.22% 0.197 Top 200 features 1.73% 0.393 2.34% 0.22前100个功能1.61％0.405 1.95％0.21 Top 50个功能1.59％0.423 2.00％0.334 TOP 25特征1.62％0.42 2.29％0.372
2024 年中华民国液态晶体学会年会暨研讨会《议程》113 ...
邀请演讲i主持人：郑恪亭郑恪亭14：00–14：30 Go Watanabe教授（渡边渡边） / Kitasato University讲题IP-01 IP-01通过计算 - 科学14：30-14：30-14：50-14：50- / ip-02 ip-ip-02 and topolicy dopodical dopodical defaction：10：10：14： IP-03使用有机橡胶分子15：10-15：30 Pravinraj Selvaraj /中央大学光电系中央大学光电系中央大学光电系IP-04革命性极化控制：在扭曲的nematic nematic Liquid Crystals < / div>中革命光学活性，IP-03 IP-03无接触均匀的液晶对齐
Alcocrfeni高熵合金作为可能的核材料
可以观察到每种合金的特定元素是指相的形态，而微观结构的一般外观是树突状的。因此，在x = 1和x = 0.6的情况下，树突的外观相对圆形，而对于x = 0.8的accicular地层，则观察到以不同方向定向的accicular地层。在较高的放大功能下，突出显示了每种合金的特定特性。因此，在x = 1的情况下，微结构由在金属基质中整齐排列的相组成，周围是直线晶界。x = 0.8样品的微观结构显示出形成的卵形相的趋势，晶界的范围更宽。在x = 0.6样本的情况下，微结构与x = 0.8的微观结构相似，这两个阶段的存在更好地突出显示。
晶圆级光学制造
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》（见第 74-75 页）中指出，受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元，因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如，三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块，采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片（第 15 页）。此外，在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下，结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺，可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长（同时缩短工艺周期和设备磨损）（第 14 页）。与此同时，SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作，获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同，以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN，用于电动汽车电力电子设备（第 16 页）。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC，该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列，面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用（第 18 页）。GaN 器件在电源应用（例如消费电子产品的快速充电器）中的应用持续激增（尤其是随着性能的提高）。例如，在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前，移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时，中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC，用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器（第 19 页）。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外，Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合，旨在推动快速充电电源适配器的普及（第 20 页）。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计，用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器（第 21 页）。Mark Telford，编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书，展示了其 GaN 器件的可靠性，超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡，IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心，作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室，将于 2021 年中期投入运营（第 22 页）。最近，就在 9 月 29 日，总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂，专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证，初始产品正在市场上迅速推广，预计将在 2020 年底达到满负荷生产（下一期新闻页面将全面报道）。
晶澳太阳能科技有限公司
七、境内外会计准则下会计数据差异 1、按照国际财务报告准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异 □ 适用 不适用 公司报告期不存在按照国际财务报告准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 2、按照境外会计准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况 □ 适用 不适用 公司报告期不存在按照境外会计准则与中国会计准则披露的财务报告中净利润和净资产差异情况。 八、季度财务指标
基于多功能传感器的光晶纤维 - ...
后期：Bilal M.，Lopez-Aguayo S.，Szczerska M.，Madni H.，使用等离子体材料和磁性流体基于光子晶体纤维的多功能传感器，OSA Continuum vol。61，ISS。 35（2022），pp。 10400-10407，doi：10.1364/optcon.456519©2022 Optica Publishing Group。 只能为个人使用而制作一张或电子副本。 系统的复制和分布，本文中的任何材料的复制，以收费或出于商业目的或本文内容的修改。61，ISS。35（2022），pp。10400-10407，doi：10.1364/optcon.456519©2022 Optica Publishing Group。只能为个人使用而制作一张或电子副本。系统的复制和分布，本文中的任何材料的复制，以收费或出于商业目的或本文内容的修改。
IHP 的晶圆上测量服务
莱布尼茨 IHP 莱布尼茨高性能微电子研究所 Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 地址 Im Technologiepark 25 15236 Frankfurt (Oder) 网站：www.ihp-microelectronics.com 联系人 Dr. René Scholz（MPW 和服务）电子邮件：scholz@ihp-microelectronics.com 电话：+49 335 5625 647 传真：+49 335 5625 327