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World File Search System品质因数
信函 TSV 电感器的交流电感和品质因数分析模型
片上电感是射频集成电路 (RFIC) 中的重要无源器件 [1]。利用硅通孔 (TSV) 的 3-D 封装技术开创了片上电感、电容、滤波器等无源元件的实现 [2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19]。与传统的 2-D 电感相比，基于 TSV 的 3-D 电感具有电感密度高、体积小的优势 [20、21、22、23、24]。一些研究主要针对基于 TSV 的电感的直流电感建模。基于 3-D 全波仿真获得的 Y 参数，提出了经验近似表达式 [25, 26]。但它很耗时并且在物理上不严谨。[27] 提出了一种基于 TSV 的螺旋电感直流电感的解析模型，该模型据称很简单，但用该模型确定电感是一项非常困难的任务，因为它需要至少 4 N + 2 C 2 N + 1 次计算才能获得 N 匝电感的电感，其中 C 2 N 表示组合，它取决于电感匝数。此外，据我们所知，尚无关于基于 TSV 的螺旋电感的交流电感和品质因数的解析模型的报道。在本文中，提出了基于 TSV 的螺旋电感的直流电感公式。基于该公式及等效电路模型，建立了TSV基螺旋电感的交流电感及品质因数的分析模型
风能和太阳能光伏发电融入电网的品质因数
未来电网中，预计包括太阳能光伏 (PV) 和风能在内的可变可再生能源 (VRE) 渗透率将大幅提升。这对系统运行和规划提出了挑战，尤其是在平衡电力需求和供应方面。本文研究了风能和太阳能在电网中的整合性能。使用负荷持续时间曲线、相关性分析和傅里叶变换等定量工具来研究风能和太阳能光伏发电的间歇性/可变性。分析使用了欧洲电力传输系统运营商网络 (ENTSO-E) 和电力运输网络 (RTE) 的发电时间序列数据。分析表明，尽管可以从风能和太阳能光伏中获得大量宝贵的能源，但这些能源不能用作基载电源。太阳能光伏发电在全年约有 50% 的时间可用。另一方面，风力发电量在一年中有几次可以达到非常小的几兆瓦的量级。此外，风能与远距离（甚至超过 3000 公里）的风力发电呈正相关，在广阔的地理区域内聚集风力发电机组可能无法保证风力发电的持续供应。尽管如此，只要实施储能、限电和需求响应等间歇性缓解措施，这些能源仍然可以大量整合到电网中。
AlGaN/GaN HEMT 和 HBT
BFOM = Baliga 功率晶体管性能品质因数 [K* µ *Ec 3 ] JFM = Johnson 功率晶体管性能品质因数（击穿，电子速度积）[Eb*Vbr/2 π ]
AlGaN/GaN HEMT 和 HBT
BFOM = Baliga 功率晶体管性能品质因数 [K* µ *Ec 3 ] JFM = Johnson 功率晶体管性能品质因数（击穿，电子速度积）[Eb*Vbr/2 π ]
考虑接触电阻的箱式太阳能灶的数学建模
太阳能灶是一种利用太阳能加热食物以进行烹饪的设备。太阳能烹饪可用于减少传统燃料的使用并提高食物质量。太阳能灶必须处理通过吸收板金属部件和食物容器接触的高浓度热流。对于热传递，接触热阻起着重要作用，降低接触点的热阻是主要关注点。在目前的研究中，通过结合接触电阻对轻质、节能的箱式太阳能灶进行了数学建模。开发了一种实验装置来找出接触热阻，并评估了铝材料表面粗糙度为 0.2 Ra 和 0.8 Ra 时的接触热阻。对灶具进行了性能测试以获得性能系数 F 1 和 F 2 。此外，还对表面粗糙度为 0.8 和 0.2 Ra 的测得的热接触阻进行了负载测试。对于 0.2 Ra 的表面粗糙度，考虑接头处热阻时观察到的 % 误差分别为 19.77%、13.69%、13.68%，不考虑接头处热阻时观察到的 % 误差分别为 −42.89%、18.95% 和 16.37%。对于 0.8 Ra 的表面粗糙度，考虑接头处热阻时观察到的偏差分别为 23.09%、17.52%、13.5%，不考虑接头处热阻时观察到的偏差分别为 −42.89%、18.95% 和 16.37%。计算得出的品质因数 F 1 为 0.12，而商用炊具的品质因数为 0.11，这表明新设计的炊具具有更高的光学效率。计算得出的品质因数 F 2 为 0.42，而商用炊具的品质因数为 0.38。因此，结果强调了热接触阻非常重要，在建模时应予以考虑。
SiC 基板上的 15 GHz 外延 AlN FBAR - Debdeep Jena
摘要 — 展示了 SiC 衬底上的外延 AlN 薄膜体声波谐振器 (FBAR)，其一阶厚度扩展模式为 15-17 GHz。对于 15 GHz epi-AlN FBAR，其品质因数 Q max ≈ 443、机电耦合系数 k 2 eff ≈ 2 . 3 % 和 f · Q ≈ 6 . 65 THz 品质因数在 Ku 波段 (12-18 GHz) 中名列前茅。具有高品质因数的干净主模式使此类 epi-AlN FBAR 可用于具有干净频带和陡峭抑制的 Ku 波段声波滤波器。由于这种外延 AlN FBAR 与 AlN/GaN/AlN 量子阱高电子迁移率晶体管 (QW HEMT) 共享相同的 SiC 衬底和外延生长，因此它们非常适合与 HEMT 低噪声放大器 (LNA) 和功率放大器 (PA) 进行单片集成。
陀螺仪机械和电子相位漂移调查，分辨率为 2 μrad/√Hz
在当前的集成电路实现中，无法实时测量 Δ𝜙 𝐷𝑆，但如果最初校准了误差 Δ𝜙 𝐷𝑆 (𝑇)，则可以实现其在线温度补偿。虽然很少有作品介绍过这个问题 [2-4]，但它们都没有 (i) 设想出专用的装置来测量漂移 Δ𝜙 𝐷𝑆 (𝑇) ，(ii) 确定了此类测量的关键噪声贡献，以及 (iii) 通过实验从电子耦合漂移中分离出由模式分裂和品质因数的温度变化引起的机械漂移。这项工作完成了所有这些任务，使用图 1a 所示的三轴单驱动陀螺仪的俯仰轴作为测试设备。该设备的频率在 20 kHz 范围内，间隔约 500 Hz，驱动和感应品质因数分别在 7000 和 700 范围内 [5]。
会议标题，大小写，粗体，18 号字体，居中
Urrutia 等人 2 的文章从品质因数 (FoM) 的角度分析了多种光纤传感结构的性能，品质因数是折射率灵敏度 (RI) 与谐振半峰全宽 (FWHm) 之比。在该工作分析的结构中，必须强调两个结合电磁谐振和光纤的例子。第一个是倾斜光纤布拉格光栅 (TFBG)，其中金属薄膜 3 的应用允许将这些结构的性能提升到 FoM 超过 1000。第二个是损耗模式谐振 (LMR)，它基于高折射率介电材料（通常是金属氧化物 4,5 ）的沉积。探索这种现象的最佳结构是 D 形光纤，其中可以使用保偏光纤 6 或在线偏振器和偏振控制器 7 来分离 TE 和 TM 分量。这种设置可以获得水中每 RI 单位数千 nm 的灵敏度，后一种情况下的 FoM 可达 2000 左右。
β-Ga 2 O 3 LDMOSFET 击穿电压达 500 V，功率因数为 108 MW/cm 2
开关，并显著降低高压 IC 的寄生电容[10–15]。在过去十年中，大量研究已经检验了 SOI 上的 LDMOSFET，其特性和功率品质因数 (PFOM) 得到了增强[8、9、16–19]。实现高 V BR 是 LDMOSFET 的主要挑战
国际放射学委员会... - ICRP
出版物 100 人体消化道放射防护模型 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5 出版物 96 在发生放射性袭击时保护人们免受辐射照射 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .7 出版物 92 相对生物效应 (RBE)、品质因数 (Q) 和辐射权重因数 (wF) . .8 出版物 91 评估电离辐射对非人类物种影响的框架 . . . . .8 出版物 90 产前辐照后的生物效应 (胚胎和胎儿) . ...