信息 xcelitas Technologies 的大面积 PIN 光电二极管类型 C30619GH、C30641GH、C30642GH、C30665GH 和 C30723GH 是高响应、低电容 InGaAs 探测器。它们专为测量应用而设计,如光功率计、光纤测试设备、近红外光谱和仪器。它们的平面钝化结构具有低电容以扩展带宽和高分流电阻以实现最大灵敏度。典型设备对大于 +13dBm (20 mW) 的光功率具有 1% 以上的非线性,并且在整个探测器有效面积上具有 2% 以内的均匀性。我们的大面积 InGaAs 设备在 850 nm 处的典型响应度为 0.2 A/W,允许在设计为在 850 nm、1300 nm 和 1550 nm 下工作的光纤测试仪器中使用单个探测器。提供可选的超低电容设备(-LC 选项)。它们电容只有标准类型电容的一半,因此 3 dB 带宽是其两倍。这些器件的有效面积从 0.5 mm 到 5.0 mm,采用密封 TO 封装。Excelitas 认识到不同的应用具有不同的性能要求,因此提供了这些光电二极管的各种定制以满足您的设计挑战。响应度和噪声筛选、定制器件测试、TEC 冷却器件和结合带通滤波器是许多可用的特定于应用的解决方案中的一部分。测试方法 Excelitas 会验证每台器件的电光规格。制造过程中的目视检查按照我们的质量标准进行,并剔除不合格器件。Excelitas Technologies 经过 ISO-9001 认证,光电二极管设计符合 MIL-STD-883 和/或 MIL-STD-750 规格。包装和运输所有大面积 InGaAs PIN 二极管都装在 ESD 安全塑料托盘中运输。
应使用完善的测量装置 [4] 校准已完成的光电探测器的响应度,以获得所需的不确定度。校准是针对低温辐射计 [5] 或传递标准探测器(图 4)进行的。在校准装置中,探测器的对准至关重要,对于反射陷阱探测器,通常观察到来自设备的反射光束沿着入射光束传播。对于微型陷阱,正确的对准具有挑战性,因为它的小有效区域隐藏在外壳中。另一方面,在陷阱配置中使用光电探测器的好处是,测量中反射光束的不良影响(例如进入前置光学器件等)减少了大约三个数量级。
2.1 典型的太阳光谱分布显示 PV 感兴趣的区域 。.....................3 2.2 各种 PV 材料的相对光谱响应函数。.....................4 2.3 用于光伏材料评估的不同实验室灯的光谱分布。...........5 2.4 太阳光谱分布随大气质量增加的变化 M ......................6 2.5 太阳几何定义,包括法线角、天顶角、入射角和方位角 ............7 3.1 光学滤波器参数 ....................。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.......11 3.2 使用公式 (4) 时指示辐照度与真实辐照度变化示意图 ..........14 3.3 使用二极管阵列和扫描光栅光谱仪测量的 Spire 2 40A 的相对光谱分布与校准灯光谱的比较 ....................15 3.4 阵列光谱辐射计数据收集时序图 .........................16 3.5 带有 3 个误差线的光谱辐照度灯数据标准 ........................19 3.6 NREL 光谱辐射校准照片 ...............................2 2 3.7 NREL 光谱辐射计相隔六个月的校准文件比率 ..........2 3 3.8 汞氩灯的发射光谱显示用于波长校准的线条 .2 4 3.9 由于校准期间过量的(反射的)辐射到达输入光学器件导致白炽灯的光谱分布失真 ......................... ; .......2 5 4.1 氙源的光谱分布、ASTM E-892 全局光谱以及 CIS 和非晶硅电池的光谱响应,用于光谱失配计算 .............2 6 4.2 白炽灯源的CIS和非晶硅光谱响应和光谱辐照度曲线 ............。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..29 4.3 NREL 参考电池校准测量系统框图 ...............3 2 4.4 NREL 样品光谱响应报告 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.................3 3 4.5 用于 Sandia/NIST 校准程序的设备示意图 ...................3 4 5.1 典型的绝对腔辐射计设计 .........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.4 1 5.2 使用绝对腔辐射计参考的典型日射计响应度与一天中的时间。注意响应度有 1.2% 的差异... ................................... 44 5.3 遮光-非遮光日射强度计校准信号时间序列 .......< div> 。。。。。。。。。...... div>......4 5 5.4 示意图日射强度计的分量总和校准。................. div>....4 6 5.5 ' 典型太阳辐射计响应度响应与天顶角 . < /div>................. div>.........4 7 5.6 与图相同型号太阳辐射计的响应度与天顶角的关系。5.5 ........... div>....4 8 5.7 三纬度倾斜 NREL 光伏系统太阳辐射计与四季晴空的纬度倾斜参考太阳辐射计。.........。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.49 5.8 与 5.7 类似,但适用于部分多云条件 .....................................50 5.9 与图 5.7 和 5.8 类似,但阴天条件除外。.........................5 1 5.10 由晴空分量总和(直射光计/漫反射)数据生成的 NREL 太阳辐射计方位角-仰角响应图 ..。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。.......5 2 5.11 未补偿的 50 结 T 型热电偶的温度响应非线性。还显示了补偿网络的响应。.................5 3 5.12 Eppley Laboratories 温度补偿网络示意图 ...................5 4 5.13 典型的 Eppley PSP 和 Kipp 和 Zonen 温度响应数据 ................5 4 5.14 单个 Eppley PSP 日射强度计的重复温度响应结果 ............5 5 6.1 用于 NREL 标准化室外测量系统的日射强度计支架,用于 PV 模块性能测试。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。..5 8 6.2 NREL 户外测试设施使用的光伏系统日射强度计安装方案示例 ..60 6.3 用于评估光伏模块能量生产能力的拟议方法流程图 ........6 1 6.4 辐射数据的月/小时平均数据报告样本 .........................6 3 6.5 NSRDB 每小时数据格式注释示例 ...。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 4
光电器件的发展需要在新材料体系和新器件机制上不断突破,需求从信号强度和响应度的检测转向对偏振态信息灵敏度的探索。二维材料是一个丰富的家族,具有多样化的物理和电子特性,可用于偏振器件,包括各向异性材料、谷电子材料和其他混合异质结构。在本文中,我们首先回顾了二维材料中偏振光相关的物理机制,然后详细描述了光学和光电特性,包括拉曼位移、光吸收和光发射以及功能光电器件。最后,对未来的发展和挑战进行了评论。大量的二维材料及其异质结构为偏振相关的科学发现和光电器件应用提供了希望。
诸如厚度相关的带隙,这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性,从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是,单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体(如 III 族氮化物(GaN、AlN 和 AlGaN 合金)和 4H-SiC)的集成,目前在光电子学(例如,用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器)[6–11] 和电子学(例如,用于实现异质结二极管,包括带间隧道二极管)中越来越受到关注。 [12–17]
摘要 多功能器件对于在同一平台上的集成和小型化具有重要意义,但简单地添加功能会导致器件过大。在这里,基于二维 (2D) 玻璃状石墨烯开发了光电检测和化学传感器件,该器件满足两种功能的类似特性要求。与原始石墨烯相比,扭曲的晶格结构产生的适当带隙使玻璃状石墨烯表现出相当甚至更好的光电检测和化学传感能力。由于玻璃状石墨烯与周围大气之间的强相互作用,这些器件对光诱导解吸的敏感度低于基于石墨烯的器件。因此,少层玻璃状石墨烯器件提供正光响应,响应度为 0.22 AW
5. 反馈 ................................................................................................................ 17 表格列表 表 1:CTF 类别细分 .......................................................................................................... 4 表 2:CTF 前 10 名团队的得分和排名 ........................................................................................ 11 表 3:响应度评分指标表 ...................................................................................................... 13 表 4:准确度评分指标表 ...................................................................................................... 13 表 5:IDS 性能指标 A 部分 ...................................................................................................... 14 表 6:IDS 性能指标 B 部分 ...................................................................................................... 14 图表列表 图 1:来自大师挑战问题类别的示例问题 .................................................................... 5 图 2:来自 Orthanc Systems 类别的示例 ICS 协议解码问题 ........................................................ 6 图 3:ICS 协议通信问题示例 ........................................................................................ 7 图 4:Palantir Control 迷你 IT-OT 环境。 ................................................................................ 8 图 5:Rohan Powerstone 网络概览 ...................................................................................... 9 图 6:CISS 2024 排行榜 ................................................................................................ 11 图 7:IDS 性能。 ................................................................................................................ 16
低维材料表现出奇特的物理特性。其中,过渡金属二硫属化物 (TMDs) 层状半导体材料,例如 MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 、WSe 2 、WTe 2 和 PdSe 2,作为后硅时代的可能候选材料而备受关注 [1]。这些二维 TMD 纳米材料的单层 [2] 作为半导体,表现出高效的光吸收率,从而可制成高响应度的光电探测器 [3]。TMD 的主要技术特性以 MX2 形式呈现。其中,M 是由六边形排列的原子组成的薄片,堆叠在两层 X 原子之间。这些晶体的三层被弱范德华力夹住,导致块状晶体分离为单个二维薄片 [4]。相邻三层之间缺乏共价键,导致2D TMD 薄片中悬挂键短缺。
由亚波长大小的金属或介电纳米结构二维排列组成的光学超表面可用于操纵亚波长厚度层的光特性。1–4 光学超表面被认为是完美的 5 和选择性 5,6 吸收器和透镜。7 光学超表面的可能应用包括与 CMOS 图像传感器结合用作滤波器 8 或用作生物传感器的构建块。9,10 相比之下,很少有人尝试将超表面直接整合到光电器件中,并利用其波长选择性和偏振选择性等特性。金属超表面已与体光电探测器相结合,用于光电流增强和传感。11,12 介电超表面已被构造到体 Si 和 Ge 光电二极管的顶层,以增强宽带响应度。13
1. 提案对项目标准的响应度:提案如何很好地实现项目既定目标?被提名人如何很好地满足基金会的标准?2. 提案的呈现方式:提案是否写得好且易于理解?它是否预见并解决了潜在的薄弱环节?3. 被提名人:说明被提名人的资格和研究经验。他们在学术界的地位如何?他们是否适合基金会所寻求的发展阶段(早期还是终身教授等)?根据标准,他们是否符合资格?分享被提名人的出版经验、资助历史以及他们如何为科学/学术做出重大贡献中最重要的内容(基于基金会的标准)。4. 提案的影响和对大学的潜在利益:提案是否会对所涉及的学术领域产生重大影响?对社会?它会推动该领域的最新发展吗?如果提案获得资助,大学社区将如何受益?