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在内生技术增长下，低位持续更长时间
本文研究了内生技术动态和低 r ∗ 下的货币政策策略。内生增长增强了补偿策略相对于通胀目标制的收益，尤其是在政策空间缩小的情况下。这一结果是由于货币的长期非中性和全要素生产率的滞后效应，极端低迷时期通过这种滞后效应对长期总供给产生永久性的影响。补偿策略不仅可以促进通胀与目标保持一致，而且还可以支持提高生产率的研发和技术采用投资，从而支持长期趋势路径，前提是内在的补偿因素足够明显。由于与生产率动态的相互作用，通货膨胀对货币政策的响应度较低。因此，极端低迷时期需要额外的刺激，随后的超调程度会得到缓解。内生增长还产生了新的货币政策权衡，最明显的是可信度挑战，可以通过将补偿因素限制在极端低迷时期来缓解。
应变增强型大面积单层 MoS2 光电探测器
摘要：在本研究中，我们展示了施加的机械应变与单层 MoS 2 光响应度增加之间的直接相关性。这表明拉伸应变可以提高单层 MoS 2 光电探测器的效率。在我们的设备中观察到的高光电流和延长的响应时间表明，设备主要受光电门控机制控制，施加拉伸应变时，这种机制变得更加突出。此外，我们已经证明，非封装的 MoS 2 单层可以在基于应变的设备中使用许多次循环和长时间，在环境条件下表现出耐久性而不会丧失功能。这种坚固性强调了 MoS 2 在进一步功能化和利用不同柔性传感器方面的潜力。关键词：MoS 2、应变、应变传感器、光电探测器、原子力显微镜、PL 光谱、光电流光谱
具有电压依赖性活性表面的 SWCNT-Si 光电探测器
摘要 关于碳纳米管-硅 MIS 异质结构的新研究表明，可利用器件绝缘层中厚度的不均匀性来增强其功能。在这项工作中，我们报告了一种器件的制造和特性，该器件由 n 型硅衬底上的单壁碳纳米管 (SWCNT) 薄膜组成，其中纳米管和硅之间的氮化物中间层已被刻蚀以获得不同的厚度。三种不同的氮化硅厚度允许在同一器件内部形成三个区域，每个区域都有不同的光电流和响应度行为。我们表明，通过选择特定的偏置，可以打开和关闭区域的光响应。这种特殊行为使该器件可用作具有电压相关活性表面的光电探测器。在不同偏置下对器件表面进行的扫描光响应成像突显了这种行为。
直流微电网中综合能量平衡器的控制策略：光伏应用
可再生能源是可以无限期使用的能源。因此，太阳能光伏等可再生能源得到了发展。通常用于将微电网连接到电池的传统转换器只能改变电压。要将微电网连接到电池，需要双向转换器。双向转换器有多种配置。控制结构非常复杂，以获得令人满意的输出。本文提出了一种双向 DC-DC 降压-升压转换器，用于控制直流微电网、太阳能系统和负载中的电流。需要双向 DC-DC 降压-升压转换器将电池的能量传输和接收至直流微电网。当电压发送到直流微电网时，电池电压会降低。否则，当电池通过电压充电时，充电电压会增加。这种转换器产生的输出电压比 AC-DC 降压-升压转换器更好，其开关频率是典型转换器的两倍。改进的 DC-DC 转换器具有最简单的形式和最高响应度的优势。
C30645 C30662 系列-修订版 2024-04
Excelitas Technologies 的 C30645 和 C30662 系列 APD 是高速、大面积 lnGaAs/lnP 雪崩光电二极管。这些设备在 1100 nm 至 1700 nm 的光谱范围内提供大量子效率 (QE)、高响应度和低噪声。它们针对 1550 nm 波长进行了优化，适用于人眼安全的激光测距和 LiDAR 系统。我们的 -7 低噪声产品利用我们最近对 iii-v 晶圆生长和加工设施的重大投资，提供显著降低的噪声规格，为用户提供更好的 SNR，从而在相同激光输出功率下增加范围。这些 APD 采用密封的 TO-18 封装或陶瓷载体提供。还提供定制包装。请联系 Excelitas 进一步讨论包装细节。Excelitas 致力于为客户提供最优质的产品。 Excelitas Technologies 已通过 ISO-9001 认证，我们的部件设计符合 MIL-STD-883 和/或 MIL-STD-750 规范。所有设备均经过长时间老化和定期工艺鉴定程序，以确保高可靠性。
纳米级进展
一种灵敏、低成本、响应速度快的室温气体传感器。1 目前，最常用的便携式气体传感器基于半导体金属氧化物。2,3 这种传感器技术的主要缺点之一是其工作温度通常高于 200°C，这会导致高功耗。4,5 在过去的几十年中，导电聚合物、6,7 2D 层状过渡金属二硫属化物、8 金属纳米粒子、9 石墨烯 10 和碳纳米管 11 等新型材料已被用来改善气体传感器的关键参数，如响应度、选择性、稳定性、检测限和响应/恢复时间。由于其卓越的电子和机械性能，加上对周围环境的极端敏感性，单壁碳纳米管 (SWCNT) 代表了开发新型传感器的一种非常有前途的替代方案。 12 – 19 通常，这些气体传感器采用 SWCNT-FET 设备的形式，并基于气体暴露触发的 SWCNT 电响应修改。15,17,20 – 26
针对节能硅互连的芯片集成锗 Pin 光电探测器的全面研究
摘要 — 光学互连是片上通信中铜基布线的有前途的替代品。集成 IV 族纳米光子学的最新进展应该能够解决与速度、能耗和成本相关的一系列挑战。单片集成锗 pin 光电探测器位于绝缘体上硅 (SOI) 波导上，是这一蓬勃发展的研究领域中不可或缺的设备。在这里，我们全面研究了异质结构 pin 光电探测器的光电特性。所有光电探测器均采用工业级半导体制造工艺在 200 毫米 SOI 基板上制造。在 1 V 的低偏置电压下，pin 光电探测器的暗电流为 5 nA 至 100 nA，暗电流密度为 0.404 A/cm 2 至 0.808 A/cm 2，响应度在 0.17 A/W 至 1.16 A/W 范围内，截止频率为 7 GHz 至 35 GHz。这些成就使它们有望用于以 40 Gbps 运行的节能光链路，器件能量耗散仅为每位几 fJ。
用于光电探测器的钙钛矿单晶的微流体辅助生长
有机金属卤化物钙钛矿 (OMHP) 是快速、灵敏、大面积光电探测器的有希望的候选材料。在过去十年中，已经开发出几种具有互补优势的技术。薄膜器件很薄，可以扩展到大面积，但具有大量与晶界相关的缺陷。单个块体晶体的纯度更高，但更厚，不易在大面积上生产。在这项工作中，我们介绍了一种微流体辅助技术，可直接在导电图案化基板上实现 OMHP 单晶（微线形式）的受控生长。该技术可以实现具有像素化传感器层的垂直设备。由此产生的设备具有增益、高达 200 AW − 1 的响应度和低至 35 μ s 的快速上升时间。这是首次使用微流体辅助技术在图案化基板上实现 OMHP 垂直设备的演示。
用于大面积光电器件的免费 In2Se3 薄片
B为VI族元素，例如Bi 2 Se 3 、Bi 2 Te 3 、Sb 2 Te 3 和In 2 Se 3 ，由于其独特的电子性质而受到越来越多的关注。 [2] 例如，半导体In 2 Se 3 表现出厚度相关的带隙（从块状晶体的1.3 eV到单层的2.8 eV）。 [3] 与无间隙石墨烯和过渡金属二硫属化合物相比，In 2 Se 3 的电子性质显示出明显的优势，后两者仅在单层中表现出相对较大的带隙（1.5–2.5 eV）。 [4] 当用作光学材料时，In 2 Se 3 表现出高吸收系数、宽范围响应度（从紫外线（325 nm）到短波长红外（1800 nm））和高灵敏度。 [5] 与其他对空气敏感的直接带隙二维材料（如黑磷（BP）[1c]）不同，完整的 In 2 Se 3 薄片在空气中非常稳定。最近，基于单个 In 2 Se 3 纳米片的光电探测器具有高光敏性（10 5 AW − 1 ）和快速、可逆和稳定的光响应特性。[5] In 2 Se 3 的优异性能优于许多其他二维材料（如石墨烯、BP 和 MoS 2 ），为大面积光电探测器提供了重要的基础。[6] 尽管如此，具有大晶畴的无缺陷 In 2 Se 3 薄片的可扩展生产仍然是其实际应用的障碍。微机械剥离是生产高质量薄 In 2 Se 3 纳米片的最著名方法。[5,7] 然而，它的剥离产率极低，仅适用于基础研究。 [8] 克服这一限制的潜在方案包括化学气相沉积、[2c] 液相剥离 [9] 和湿化学合成。[10] 然而，这些方法制备的 In 2 Se 3 薄片通常具有大量缺陷和较差的光电性能。[9,11] 例如，通过气相沉积获得的 In 2 Se 3 纳米片的光响应度（3.95 × 10 2 AW − 1）明显低于透明胶带剥离薄片（10 5 AW − 1）。[8] 从基本角度来看，In 2 Se 3 是一种由弱范德华力连接的层状材料，层间距离为 0.98 nm，比许多其他层状化合物（0.3–0.7 nm；图 1 a、b；图 S1，支持信息）大得多。因此，插入客体分子或离子，特别是在溶液中电流的驱动下，可以成为将二维晶体分层成单个薄片的合理策略。[12]
用于无滤波光学的简化相干突触受体...
摘要 — 神经形态计算被誉为现有和新兴数据处理应用的游戏规则改变者。朝着这个方向，人工神经网络实现已成为研究的重点。将神经网络推进到光学领域具有多种优势，例如在飞行时间推理延迟下具有高数据吞吐量。本研究提出了相干突触互连作为通往无滤波器神经网络的途径，具有更高的路由灵活性。实验研究并评估了具有集成称重功能的相干突触受体，用于 1 GHz 130 ps 宽尖峰序列。通过使用光学注入锁定本地振荡器来实现零差检测，同时利用其相位和共积分光电二极管的响应度在接收传入的光尖峰时实现可调权重。此外，还显示了检测权重的符号切换，支持将突触分配扩展到波长和时间维度的可行性。索引词——光信号检测、神经网络硬件、电吸收调制激光器、神经形态学