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器件制造技术1
将这些步骤和其他制造步骤结合起来，可以制造出复杂的器件和电路。这种在晶圆衬底上一步一步、一层层地制作电路的方法称为平面技术。平面工艺的一大优点是每个制造步骤都应用于整个硅晶圆。因此，不仅可以制造并以高精度互连许多器件以构建复杂的集成电路，还可以同时在一块晶圆上制造许多集成电路芯片。大型集成电路，例如中央处理器或CPU，一边可能有1-2厘米长，而一块晶圆（直径可能为30厘米）可以生产数百个这样的芯片。减小每个集成电路的面积，即减小器件和金属互连的尺寸，具有明显的经济优势，因为结果是每个晶圆可以生产更多的芯片，并降低每个芯片的成本。自1960年以来，世界各国已在平面微制造技术上投入巨资。该技术的变体还用于制造平板显示器、微机电系统 (MEMS)，甚至用于 DNA 筛选的 DNA 芯片。本章的其余部分介绍了现代设备处理技术。也许最显著的进步发生在光刻技术（第 3.3 节）和互连技术（第 3.8 节）领域。这两个领域也是 IC 制造成本中占比最大的两个领域。
“半导体器件技术
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MIL-STD-750D，半导体器件测试方法
4.1 测试条件................................................................................................................................ 5 4.1.1 环境室中允许的温度变化.................................................................................................... 5 4.1.2 电气测试频率........................................................................................................................ 5 4.1.3 准确度........................................................................................................................................ 5 4.1.3.1 测试方法和电路................................................................................................................. 6 4.1.4 校准要求............................................................................................................................. 6 4.2 方向........................................................................................................................................ 6 4.3 一般预防措施........................................................................................................................ 7 4.3.1 瞬态................................................................................................................................ 7 4.3.2 电气测量的测试条件........................................................................................................ 7 4.3.3 脉冲测量........................................................................................................................ 8 4.3.4 测试电路........................................................................................................................ 8 4.3.4.1 测试方法4.3.5 焊接................................................................................................................................ 8 4.3.6 引线连接顺序.................................................................................................................... 8 4.3.7 辐射预防措施................................................................................................................... 8 4.3.8 操作预防措施................................................................................................................... 8 4.3.8.1 UHF 和微波设备....................................................................................................... 8 4.3.8.2 静电放电敏感 (ESDS) 设备.................................................................................... 8 4.4 老化和寿命测试的连续性验证............................................................................................. 8 4.4.1 偏压中断........................................................................................................................................................ 9 4.5 HTRB 和老化要求 ...................................................................................................... 9 4.6 偏置要求 .......................................................................................................................... 9
JFET 和 GaAs 器件及电路
结型场效应晶体管（JFET）可能是最简单的晶体管。它具有一些重要特性，尤其是非常高的输入电阻。然而不幸的是（对于 JFET 而言），MOSFET 的输入电阻甚至更高。这一点，加上 MOS 晶体管的许多其他优点，使得 JFET 几乎过时了。目前，它的应用仅限于分立电路设计，其中它既用作放大器，又用作开关。它的集成电路应用仅限于某些运算放大器的差分输入级的设计，其中利用了它的高输入电阻（与 BJT 相比）。在本节中，我们简要介绍 JFET 的工作原理和特性。将 JFET 纳入电子学研究的另一个重要原因是，它有助于理解砷化镓器件的工作原理，这是下一节的主题。
功率器件 | 提高生产率和产量
在背面金属化之前，晶圆会被减薄，因为基板是设备的功能部分。300 毫米/12 英寸晶圆要么减薄到约 200 微米厚，要么遵循所谓的 Taiko 晶圆研磨原理。在后一种情况下，硅晶圆由一个外部 Taiko 环和减薄的硅膜组成。对于 300 毫米/12 英寸晶圆，该膜会根据设备电压等级减薄到 60、90 或 120 微米。薄基板的热容量低，因此需要严格控制工艺温度。沉积过程中的温度对固有薄膜应力有显著影响。为了最大限度地减少晶圆弯曲，必须最大限度地减少金属层堆栈引入的应力。CLUSTERLINE® 采用特殊的卡盘设计，可控制晶圆温度而不会损坏正面。在标准应用中，使用凹陷卡盘配置。在这种经典设计中，晶圆在沉积过程中位于外环上，从而防止与设备表面接触。然而，尽管凹陷式卡盘是一种经济高效的解决方案，但由于缺乏主动卡盘，热耦合受到限制。因此，对于需要更严格温度控制的应用，独特的 BSM-ESC（用于背面金属化的静电卡盘）是首选。
F：功能材料、表面和器件
F01：未来前沿 - 功能材料与设备的创新 - 一般研讨会主题 F 教授博士安东尼奥·安科纳（西大学），教授、博士Carsten Gachot（维也纳技术大学），教授、博士。 Andrés Fabián Lasagni（德累斯顿工业大学）F02：可持续能源应用的高性能材料 Daniel Benitez（德国航空航天中心 (DLR)）、Mathieu Boidot（原子能和替代能源委员会 (CEA)）、Dr.-Ing. Frederike Brasche（亚琛工业大学），教授、博士。能。 Ulrich Krupp（亚琛工业大学）、Fernando Santos（AZTERLAN Aliendalde Auzunea nº6）F03：蜂窝材料和机械超材料 Angelika Gedsun（弗莱堡大学）、Max Mylo（弗莱堡大学）、Dr. Viacheslav Slesarenko（弗莱堡大学），教授、博士Ulrike GK Wegst（达特茅斯学院），博士尹开阳 (弗莱堡大学) F04：表面处理的光子技术教授安东尼奥·安科纳（巴里大学），博士Robert Baumann（德累斯顿工业大学），教授、博士。 Andrés Fabián Lasagni（德累斯顿工业大学），博士Gediminas Raciukaitis（物理科学与技术中心 FTMC），教授、博士Gert-willem Römer（特温特大学），博士Marcos Soldera（德累斯顿工业大学），博士Bogdan Voisiat（德累斯顿工业大学），工学博士Christoph Zwahr（德累斯顿工业大学）F05：多功能高熵合金教授Oliver Gutfleisch（达姆施塔特工业大学），工学博士韩流流（德国马克斯普朗克铁研究所），教授、博士Alfred Ludwig（波鸿鲁尔大学）F06：压电氧化物教授、博士Holger Fritze（克劳斯塔尔工业大学），博士Jutta Schwarzkopf（莱布尼茨晶体生长研究所）F07：数据驱动和机器学习辅助材料研究博士Leopoldo Molina-Luna（达姆施塔特工业大学），教授、博士徐百祥（达姆施塔特工业大学），教授、博士张宏斌 (达姆施塔特工业大学)