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World File Search System器件
Polyfet RF 器件简介
GX2001: 20W，2.0GHz，11dB，65%，28VDC GX4001: 35W，2.0GHz，11dB，60%，28VDC GX2441: 50W，2.0GHz，11dB，55%，48VDC GX3441: 80W，2.0GHz，11dB，60%，48VDC GX4441: 100W，2.0GHz，11dB，60%，48VDC GX3442: 120W，2.0GHz，11dB，55%，48VDC GX4002: 70W，2.0GHz，11dB，55%，28VDC GX4442: 160W， 2.0GHz，12dB，55%，48VDC
先进半导体器件技术
基于氮化镓 (GaN) 的高电子迁移率晶体管 (HEMT) 技术正在彻底改变现代国防射频和电子战系统。该技术能够以高线性度和高效率在高频下提供高功率。由于这些优势，它被广泛应用于雷达、卫星通信和军事地面通信等各种应用中。基于 GaN 的 HEMT 技术比现有的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 具有显著优势，尤其是在射频功率应用方面。这主要是因为 GaN 器件具有非常高的击穿场，因此能够在更高的电压下工作。此外，GaN 器件的阻抗要高得多，因此在射频功率放大器集成电路中对匹配网络的要求就更低了。总体而言，与竞争对手的射频相比，GaN 技术可以将射频 IC 的尺寸缩小十倍甚至更高
微电子器件与集成技术
随着科学界变得越来越专业化，研究人员可能会迷失在不断增加的子领域的深林中。这本开放获取期刊《应用科学》旨在将这些子领域联系起来，以便研究人员可以穿过森林，看到周围或相当遥远的领域和子领域，从而借助这个多维网络进一步发展自己的研究。
物理和半导体器件技能
联网对象的数量以及侵入我们日常生活的物联网设备的数量正在呈指数级增长。这些对象基于电子元件，形式包括基本组件、电路和混合和复杂集成系统。因此，电子产品必须应对电路数量、每个电路的组件数量以及数据中心传输、存储和处理的数据的指数级增长。因此，运营商、服务器和用户消耗的能量也遵循相同的增长规律。未来几年，主要挑战将是通过改进用于处理和传输信息的组件、电路和系统的设计和架构来减缓这些指数级增长。这些挑战需要获得基于知识和专业知识的技能，并增加未来有能力和创新的参与者的数量。这种方法是国家学术培训网络领导的战略的一部分，该战略通过汇集法国一级的培训师和技术平台的技能，旨在满足电子行业复苏计划框架内企业的需求。在介绍了背景和技术挑战的影响并提出了几种方法之后，详细介绍了国家微电子网络所采取的行动，并通过几个实现和结果的例子进行了说明。关键词
SCD – 半导体器件。 - SIBAT
Blackbird 是一款先进的 MWIR 探测器，是 SCD 高清探测器系列的扩展。它包括一个 3 兆像素 FPA，像素格式为 1920x1536，间距为 10μm。新的 FPA 基于 SCD 成熟的 InSb 技术和采用先进 CMOS 工艺实现的数字读出电路。FPA 的尺寸与 SCD 的 SXGA 格式 Hercules 探测器非常相似，实际上可以封装在同一个杜瓦瓶中。这产生了一个非常大的格式探测器，具有出色的图像质量、高帧速率和相对紧凑的尺寸。
ZSL420/ZSL421 - SMT 生产推荐指导说明
2.器件封装 ................................................................................................................... 2 3.推荐的 PCB 封装库 .................................................................................................. 4 4.印刷模板设计 ........................................................................................................... 6 5.器件包装 ................................................................................................................... 7 6.器件存储与使用 ....................................................................................................... 8 7.推荐回流焊接曲线 ................................................................................................... 9 8.验收标准 ................................................................................................................. 10 9.返修 ......................................................................................................................... 11 10.参考资料 .............................................................................................................. 12
先进微结构与器件研究中心（CAMD）
路易斯安那州立大学先进微结构与器件中心 (CAMD) 为研究人员提供了美国东南部唯一的同步加速器光源。作为美国七家此类设施之一，超过 80 名研究人员（包括路易斯安那州立大学的教职员工和学生、工业用户、当地初创公司和国家研究实验室的成员）使用 CAMD。它也是吸引主要中心级资助进入大学以及招募顶级教师的重要资源。
社论：先进的非线性光学材料和器件
非线性光学 (NLO) 材料在光电/光子学、光通信、光学成像、光学/THz 频率转换和光信号处理等各个领域的发展中发挥着重要作用。近十年来，人们研究了几种新型二阶和三阶 NLO 材料，以发现适合各种应用要求的合适且可定制的特性 [1-5]。本期特刊旨在重点介绍先进 NLO 材料的最新发展。本期特刊以 Zhang 等人的一篇文章开篇。[6] 该文章描述了使用飞秒 (fs) 掺铒光纤激光器在光纤中产生超连续谱 (SCG)。作者声称他们的系统高效、紧凑且价格低廉。他们可以在他们的混合高度非线性光纤中实现 20 dB 带宽（覆盖 1,020 – 2,230 nm 的范围）内跨度约为一个倍频程的 SCG。 Ahmed 等人[7]研究了四种结构不受约束的绿色荧光蛋白 (GFP) 发色团的飞秒 (800 nm, 70 fs) 三阶 NLO 特性。他们通过实验和理论计算观察到分子中具有强的二阶超极化率 (γ ~ 10 − 33 esu)。他们还报告了这些发色团的良好光限幅行为。它们还发现了在成像和非线性频率转换方面即将得到应用。Wu 等人[8]研究了在溶液中生长的一系列 98% 氘代 DKDP 晶体的非线性吸收。使用 Z 扫描技术以皮秒 Nd:YAG 激光脉冲产生的四次谐波波长 (266 nm) 获得了这些 98% 氘代 DKDP 晶体的非线性吸收系数 (β ~10 − 1 cm/GW)。 Hwang 等人 [9] 研究了可能的偏振变化，并利用全息图结果中的值分析了最佳偏振匹配状态。此外，他们还利用这些结果作为研究，以提高全息图的效率
5G电子材料与器件专题
[图 1(a)]。如今，大多数容量问题发生在大量无线连接或应用程序同时在单个位置访问网络时。由于无线互联网连接远远超过有线连接，并且无线数据使用量在过去 10 多年里呈指数级增长，3 许多人认为，如果没有新带宽，容量问题将会蔓延。世界各地的监管机构看到了刺激创新和解决严重问题的机会，因此拍卖了新的毫米波频段以发展国内蜂窝电信。在美国，联邦通信委员会 (FCC) 举行了频谱拍卖，4 创建了 24、28、37、39 和 47GHz 的授权频段，为新研究和基础设施筹集了超过 100 亿美元4。同样，欧洲、亚洲、澳大利亚的监管机构也举行了类似的拍卖，也筹集了数十亿美元以激发创新、商业和工业。在本篇社论中，我们将这些频段统称为 5G 毫米波 [图 1(b)]，但毫米波在技术上涵盖了 30 至 300 GHz 的带宽。与前几代不同，新毫米波通信是硬件而非软件的重大变化。这是因为新毫米波硬件必须以比传统 3G 和 4G 技术高出十倍以上的频率运行。
ECE 635 先进半导体器件
2. 对于 Si，背景体积载流子密度为 ni = 1.45 × 10 10 /cm 3 。1 µm 厚的 Si 板的面积背景载流子密度是多少？将您的答案与上述最大感应载流子密度进行比较。您可以将载流子密度调节多少个数量级？