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功率器件热阻抗的现场实验提取技术
为了模拟原位 Z TH,ja 提取，对安装在 PM 上的其中一个设备采用了“模拟实验”策略。该过程如下：•首先，通过 COMSOL Multiphysics 环境中的详细纯热 3-D FEM 模拟获得设备的参考 Z TH,ja [24]，其中重现了 PM 的精确复制品（图 3）。边界条件通过施加于厚铜底板底面的传热系数 h =2×10 3 W/m 2 K 来解释，这描述了与高效散热器的接触 [25]。•获得的参考 Z TH,ja 用于构建具有 Foster 拓扑的 SPICE 兼容热反馈网络 (TFN) [26]；然后将 TFN 耦合到 VDMOS 晶体管的电气模型，该晶体管的温度敏感参数可以在模拟运行期间发生变化。电气模型根据实验数据 [27] 进行了校准，并在 [28] 中进行了详细描述。• 使用 OrCAD Capture 软件包 [29] 对 ET 模型进行了瞬态模拟，以模拟第 II.B 节中介绍的实验程序来提取 z ja 。• 通过在 COMSOL 中模拟 300 K 等温背面的裸片器件来确定 Z jc 。• 然后进行反归一化过程和时域转换以获得热阻抗 Z TH,ja 。• 最后比较了参考值和提取的 Z TH,ja 。
EE 252 微电子器件和电路教学大纲...
只有当你有正当理由缺席考试（比如生病、家人去世、交通事故等）时，才可以补考期中考试 1 和 2。如遇生病或紧急情况，你必须提供支持性正式文件。另外需要注意的是，补考将以期末考试的形式进行，涵盖所有科目。 III. 延迟提交政策 延迟提交的试卷将不予评分。小测验和家庭作业/作业不予补考。错过作业和小测验将导致成绩为零 (0)。 IV. 参与 在他们的《成人学生生存与成功指南》一书中，Al Siebert 和 Mary Karr 建议最有效的学习方法是通过提问和回答问题来学习。养成阅读教科书、做笔记和通过提问和回答问题学习的习惯。当你这样做时，你可以节省很多学习时间，并有时间与家人或朋友共度。提出和回答问题有多种方法。
量子器件制造专家（男/女/其他）
▪ 您将负责高相干超导量子电路的制造和新材料的研究。 ▪ 您将开发新的制造工艺和表面处理，优化约瑟夫森结制造工艺，和/或支持通过 3D 集成技术支持量子处理器的扩展。 ▪ 根据您之前的经验，您将带领 WMI 的制造团队朝着 QuantumSPICE 项目的项目目标前进，该项目最近由 BMBF 资助。 ▪ 您将支持我们洁净室设施的日常活动。 ▪ 您将监督和指导早期职业研究人员。 ▪ 您将在一个蓬勃发展的国际团队中工作，专注于量子技术和超导量子位计算。 ▪ 您将在基础科学和技术开发的交叉领域工作，并与大学、研究组织和公司的项目合作伙伴密切互动。 ▪ 您将积极参与外展活动并在会议、研讨会和研究出版物上展示您的成果。
单光子器件和应用 - NIST 的 TSAPPS
本期特刊是 2011 年 6 月在德国联邦物理技术研究院 (PTB) 举行的第五届单光子技术国际会议的配套刊物。该团体每两年在国家计量机构举行一次会议，第一次会议于 2003 年在美国国家标准与技术研究所 (NIST，盖瑟斯堡) 举行，随后于 2005 年在国家物理实验室 (NPL) 举行，2007 年在国家计量研究所 (INRiM) 举行，2009 年在美国国家标准与技术研究所 (NIST，博尔德) 举行。这些研讨会的目的是将对单光子技术和应用感兴趣的广泛人士聚集在一起，帮助传播该领域的进展。2011 年研讨会在 15 场会议中共发表了 67 场演讲（14 场受邀演讲）和 16 场海报展示。共有来自 15 个国家的 109 名参与者参加，其中 71 名来自欧洲（主要群体为德国 22 名、意大利 17 名和英国 11 名），30 名来自北美（美国 27 名），6 名来自亚洲，2 名来自澳大利亚。迄今为止，每次研讨会之后都会出版关于单光子科学和技术科学领域的精选论文集，每篇论文都涉及特定主题。这些特刊中的第一期紧随 2003 年研讨会之后，主要涉及使用半导体器件的单光子检测，这在很大程度上是因为这是当时最发达的技术 [1]。第二期特刊更侧重于单光子源，反映了 2005 年研讨会上的大量贡献 [2]。超导探测器在 2007 年研讨会之后的第三期中成为焦点，该研讨会与欧盟第七框架项目 Sinphonia [3] 联合举办。2009 年，有多个单光子技术领域出现在特刊中，例如光子纠缠技术及应用、非经典性测量；相关、纠缠和可分解状态源设计作为基础物理测试 [4]。第 5 届单光子器件和应用研讨会专门讨论了单光子探测器和源的当前技术水平和最新发展，重点关注现有的限制、不足和改进机会。这些发展是由许多需要此类设备的应用的出现所驱动的。
半导体器件制造中的清洗技术
第七届半导体设备制造清洁技术国际研讨会于 2001 年 9 月在旧金山举行的电化学学会秋季会议期间举行。该系列研讨会于 1989 年在佛罗里达州好莱坞举行的学会秋季会议期间发起。从那时起，“ECS 清洁研讨会”已成为半导体界所有参与先进晶圆清洁技术的成员关注的两年一度的活动。回顾过去，我们可以发现硅晶圆清洁科学和工程方面的几项重要新发展，这些发展都是在 ECS 清洁研讨会期间首次推出的。反映这一趋势的是，这些研讨会的论文集一直是电化学学会出版的最受欢迎的论文集之一。
从有源超器件到拓扑光子晶体
太赫兹 (THz) 波因其大带宽和丰富的光谱资源在成像、传感和通信方面表现出良好的应用前景，尤其在下一代无线通信中。用于操纵 THz 波的调制器和波导正在成为开发相关技术的关键部件，其中超材料分别在控制自由空间和片上传播方面表现出非凡的性能。在本综述中，我们将简要概述当前有源超器件和拓扑光子晶体的进展，以了解太赫兹自由空间调制器和片上波导的应用。在第一部分中，我们将通过将超材料与各种有源介质相结合来讨论有源太赫兹超器件的最新研究进展。在第二部分中，我们将介绍光子拓扑绝缘的基本原理，其中拓扑光子晶体是一个新兴的研究领域，将推动片上太赫兹通信的发展。我们设想，它们的结合将在更先进的太赫兹应用中找到巨大的潜力，例如可重构拓扑波导和拓扑保护的元设备。
新兴光伏材料的器件性能（...
继第 1 版《新兴光伏 (PV) 报告》发布后，该报告总结了自 2020 年 8 月以来学术期刊上的同行评审文章中所报道的新兴光伏器件在各种新兴光伏研究课题中性能的最佳成就。提供了更新的图表、表格和分析，其中包含多个性能参数，例如功率转换效率、开路电压、短路电流密度、填充因子、光利用效率和稳定性测试能量产量。这些参数表示为每种技术和应用的光伏带隙能量和平均可见光透射率的函数，并使用详细的平衡效率极限等进行透视。第 2 版《新兴光伏报告》将范围扩大到串联太阳能电池，并介绍了当前各种材料组合的串联太阳能电池性能的最新进展。
混合模式器件/电路仿真 Tibor Grasser
许多参数 物理驱动的参数 拟合参数 参数提取可能相当麻烦 几乎不可能通过几何形状和掺杂分布进行设备优化 模型开发工作量很大 模型可用性有限（DG、TriGate、FinFET、GAAFET 等） 可扩展性值得怀疑 量子效应 非局部效应
先进 CMOS 器件在低温下的可靠性和可变性
除了在航天工业、天文学和高精度计量 [1] 中的众所周知的应用外，在低温下运行的先进 CMOS 技术是实现大规模量子计算 [2]– [4] 和提高数据中心计算性能的下一个关键步骤之一。虽然后一种应用可能主要限于 77 K（LN2）的温度范围，但大部分集成量子比特控制系统将在液氦温度（4 K）（LNA、RF 振荡器等）下运行，甚至可以根据特定量子比特技术的功率和噪声限制在 mK 范围内运行。因此，经典 CMOS 逻辑与量子比特的紧密集成不仅有助于缓解布线限制，而且还能减少读写操作期间的信号失真。关于先进 CMOS 技术的最新出版物主要关注低温下改进的器件特性（亚阈值摆幅、导通电流、泄漏等）[5]–[7]。由于测量限制，例如低温恒温器中可用的探头数量（通常最多