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使用 3D 量子 TCAD 模拟解释在 1.4 K 下获取的 28 nm FD-SOI 量子点传输数据
摘要 — 采用标准制造技术制造的纳米级 CMOS 量子点器件在低温下的可靠运行对于量子计算应用至关重要。我们研究了使用意法半导体标准制造工艺在极低温度下制造的超薄体和埋氧 (UTBB) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 量子点器件的行为。使用 Nanoacademic Technologies 最近开发的 3D 量子技术计算机辅助设计 (QTCAD) 软件模拟和分析了量子点器件的性能，实现了低至 1.4 K 的收敛。在本文中，我们介绍了这项工作的初步模拟结果，并将其与从同一器件的测量中收集的实际实验数据进行了比较。关键词-FD-SOI CMOS、硅量子点、量子计算、3D TCAD 模拟、低温
GM50301
概述 GM50301 是一款 2.5GHz 、 10 路输出差分扇出缓冲 器，用于高频、低抖动时钟 / 数据分配和电平转换。输 入时钟可以从两个通用输入或一个晶体输入中选择。 所选定的输入时钟被分配到三组输出，两组包含 5 个 差分的输出和 1 个 LVCMOS 输出。两个差分输出 组均可被独立配置为 LVPECL 、 LVDS 或 HCSL 驱 动器，或者被禁用。 LVCMOS 输出具有用于在启用 或禁用时实现无短脉冲运行的同步使能输入。 GM50301 采用一个 3.3V 内核电源和 3 个独立的 3.3V 或 2.5V 输出电源供电。 GM50301 具有高性能、高功效而且用途广泛，使其 成为替代固定输出缓冲器器件的理想选择，同时增加 系统中的时序裕度。 GM50301 在内核和输出电源域之间没有电源时序要 求。 功能框图
5SYA 2043-01 9 月 4 日 _HiPaks 的负载循环能力
然而，每次温度变化都会对半导体器件施加应力，最终导致引线脱落、芯片或基板分层、内部连接断裂、外壳或底板破裂等。无论如何，器件都会失效。对于用户来说，知道什么时候会发生这种情况很重要。遗憾的是，由于器件的制造差异很小，磨损过程具有“偶然”因素，因此无法准确判断单个器件何时会失效。唯一有意义的值是单个器件的故障概率和整个器件群中故障器件的百分比。本应用说明旨在解释所涉及的统计工具，并为电力电子设计人员提供依据，以便他们估算模块寿命、调整功率水平等参数，或简单地为特定应用选择合适的半导体器件。
2010 IEEE 国际固态电路会议
T2：射频前端无源器件的 SoC 集成 射频前端无源器件（如 SAW 滤波器和双工器）已被证明难以集成为低成本 CMOS SoC 的一部分。传统的射频设计并不适用，因为片上螺旋电感的品质因数不高，而且片上电容器的制造差异会限制性能。继续使用片外前端无源器件的重要后果是：成本更高、物理空间更大、PCB 和封装设计更复杂，特别是对于多模和多频带应用（如蜂窝或软件定义无线电）。在本教程中，我们首先研究前端无源器件的系统级要求，并从电路的角度讨论 SoC 实施挑战。然后，我们介绍几种可以解决这些问题的架构和电路级技术，然后是 2G 和 3G 收发器的案例研究。
适用于单片后端生产线的“零变化”平台……
图 1 用于 PCM 后端集成的 SiN 辅助硅光子工艺。(a) 器件制造流程图。(b) 测量具有不同数量级联沟槽的波导的透射光谱。插图是级联器件的布局。(c) 采用切割法评估 SiO 2 沟槽蚀刻工艺引入的波导损耗。(d) 制造后的器件的 3D 示意图。后端集成的 SbSe 可实现推挽式 MZI 开关的微调
平面纳米真空发射器的电子发射模式
纳米制造技术的最新进展使得人们能够制造出具有纳米级自由空间间隙的真空电子器件。这些纳米电子器件具有冷场发射和通过自由空间传输的优势，例如高非线性和对温度和电离辐射的相对不敏感性，同时大大减少了占用空间，增加了工作带宽并降低了每个器件的功耗。此外，平面真空纳米电子器件可以很容易地以类似于典型的微纳米级半导体电子器件的规模进行集成。然而，这些器件中不同电子发射机制之间的相互作用尚不清楚，其他人已经注意到它们与纯 Fowler-Nordheim 发射不一致。在这项工作中，我们系统地研究了平面真空纳米二极管的电流-电压特性，这些二极管的曲率半径为几纳米，发射极和集电极之间有自由空间间隙。通过研究由两种不同材料制成的几乎相同的二极管在不同环境条件（如温度和大气压）下的电流-电压特性，我们能够清楚地分离出单个器件中的三种不同发射模式：肖特基、福勒-诺德海姆和饱和。我们的工作将实现对真空纳米电子器件的稳健而准确的建模，这对于需要能够在极端条件下运行的高速、低功耗电子器件的未来应用至关重要。
适用于低功耗应用的堆叠介电三材料圆柱形栅极 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流建模
堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 已被用于低功耗应用。本文介绍了堆叠电介质三材料圆柱栅极全包围 (SD-TM-CGAA) 无结 MOSFET 的亚阈值电流分析模型。分析结果与 TMSG MOSFET 进行了比较，获得了良好的一致性。该器件的亚阈值电流非常低，可以考虑实现 CMOS 反相器。设计了一个 PMOS 晶体管，并将 PMOS 晶体管的驱动电流与 NMOS 器件进行调谐，以获得驱动电流的理想匹配。设计了一个 CMOS 反相器。检查了器件的瞬态和直流行为。计算了 CMOS 反相器的功耗，并将其与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器进行了比较。与 CMOS DMG-SOI JLT 反相器相比，所提出的器件的功耗降低了 5 倍。这表现出功率耗散的显著改善，这对于制造低功耗的未来一代设备非常有用。
KV MTech ESE 2020 年申请人简介.ppt - 兼容模式
E3 245 2:1 八月 处理器系统设计 E3 258 2:1 一月 物联网设计 E3 271 1:2 一月 纳米级电路与系统的可靠性 E3 272 3:0 一月 先进的 ESD 器件、电路和设计方法 E3 274 1:2 一月 功率半导体器件的设计 E3 275 2:1 一月 晶体管的物理与设计 E3 276 2:1 一月 先进微传感器与器件的工艺技术与系统工程 E3 282 3:0 八月 半导体器件与技术基础 E3 290 2:1 一月 生物与医学微加工技术与工艺
博士职位 5：基于物理的机器学习，用于半导体器件的模拟雇主代尔夫特大学的 Willem van Driel 教授
基于物理模型和传感器数据的组合来设计电气元件。 国际流动性 作为一名博士候选人，您将在代尔夫特理工大学和 Reden 各工作 18 个月。在代尔夫特理工大学实习期间，您还将在 IMEC 进行为期 1 个月的实习，由 Bart Vandevelde 博士指导。 要求 适用于“地平线欧洲：玛丽居里 (MSCA)”计划的具体资格标准，包括流动性规则和博士学位规则。欢迎任何国籍的申请人。 其他要求 理学、电气/机械工程、物理学、数学硕士学位 FE 模拟（例如 Abaqus 或 Comsol）和编程（例如 Matlab、Python）背景 英语水平：托福-IBT 测试 >100 分或雅思考试 >7,0 每月的支持和福利 成功的候选人将受益于由学术和工业合作伙伴组成的国际科学网络
表面声波 (SAW) 可用于微流体装置，根据粒子的机械特性对其进行操纵和分类。
该器件设计由两组铝 IDT 组成，放置在具有 128° YX 切口的铌酸锂基板上。作为初步步骤，基于器件的几何周期 200 μm，模拟了器件的缩小单元域。模态分析确定了瑞利波的共振频率，该频率用于后续的谐波研究。两组 IDT 在该频率下受到激励，并分析了由此产生的驻波模式。还检查了器件在共振频率下的导纳。在将模型扩展到完整器件之前，进行了时间相关分析以研究波产生的瞬态阶段。