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World File Search System噪声图
具有主动门终止的分布式放大器的分析和设计
分布式放大器用于覆盖宽带宽度，例如用于测量应用。在常规拓扑中，终止电阻（Z0）有助于电路的整体噪声图。已经表明，如果栅极终端被活动电路替换，则可以改善噪声图。论文的目标是了解主动门终止电路的工作原理以及其权衡和局限性是什么。
大气条件对声音传播的影响
摘要：大气中声音的传播受许多因素的影响，例如空气温度，相对湿度，空气速度和方向以及温度反转。声音强度在大气吸收和大气湍流的距离方面消失。很多次，在不同的大气条件下，很难确定等效声压水平（a）的值。识别由大气条件引起的变化而言，首选使用程序进行数学建模。在各种大气条件下的等效声压水平（a）的测量值的差异并不重要。在比较声音传播的有利和不利的大气条件时，等效声压水平的值（a）的值可能高达10 dB。显然在这些测量的条件下，例如相对湿度<95％，空气速度<3 m.s -1。本文旨在使用使用软件CADNA A对不同大气条件的影响进行建模，该软件用于外部噪声图的数学建模。
环境噪声预测的不确定性... - Bruit.fr
如果我们把战略噪声图、受影响人群的分布和所有人的总烦恼分数计算成一个数字，我们可能会问这个最终结果的不确定性。从城市的数字模型到最终结果，需要进行数百万次复杂的计算，这只有在现实中才有可能，因为我们在建模和计算中接受了很多近似值甚至假设。在这种情况下，整个过程可以通过更详细的建模和计算得到改进，但时间或财务预算定义了不可逾越的限制，因此需要非常彻底地平衡每个步骤的准确性，以尽量减少最终结果的不确定性。如果我们在对结果贡献很小的步骤中投入计算时间和其他有限的资源，那么这个结果的不确定性就会增加（始终考虑到有限的预算定义了限制）。
在0.13μmsige bicmos中，双波段发射器和接收器在222-270 GHz
摘要本文在222-270 GHz的气体光谱中介绍了带有Bowtie-Antenna和硅透镜的发射器（TX）和一个接收器（RX），它们是在IHP的0.13 µM SIGE BICMOS技术中制造的。TX和RX使用两个集成的本地振荡器，用于222 - 256 GHz和250 - 270 GHz，可用于双波段操作。由于其大约27 dbi的定向性，带有硅透镜的单个集成的Bowtie-Antenna可以使TX的EIRP约为25 dbm，因此与先前报道的系统相比，2频段TX的EIRP更高。通过Y因子方法测量的Rx的双边噪声温度为20,000 K（18.5 dB噪声图）。气态甲醇的吸收光谱被用作用TX-和RX模块的气体光谱系统性能的量度。
使用双门MOSFET
摘要 - 使用Double-Gate（DG）MOSFET设计了差分交叉耦合电压控制的振荡器（VCO）。DG MOSFET具有高噪声图的出色噪声免疫力，适用于低功率，高频应用。该提出的VCO是使用差分拓扑设计的，具有提高功耗，设计灵活性和降低噪音的提高。这也提高了现有差分放大器的高频性能。此后，将提出的VCO与制造和设计方法进行了比较，尤其是基于硅的CMOS和单栅（SG）MOSFET VCOS（可能）的替代方法。遵循各种印刷电路板（PCB）设计实践，以最大程度地减少噪声并提高电路的整体效率。进行该VCO分析的关键参数是功率的输出功率，相位噪声和数字，在峰值处已实现为-2.91 dbm和1 MHz的-69.79 dbc/hz。设计VCO的功耗为36兆瓦。关键字 - MOSFET，双门MOSFET，差分放大器，微电子，纳米技术，VLSI，VCO。1。简介
通过调整后的衍生化叠加和
摘要 - 净宽带（UWB）应用程序需要低功率和低噪声放大器（LNA），这些放大器（LNA）可以在较大的频率范围内运行。但是，传统的LNA通常会遭受线性不良和高功率消耗的困扰。这项研究工作提出了一种新型的LNA设计，该设计使用调整后的衍生化叠加（DS）技术和反馈来提高线性性并减少UWB LNA的功耗。DS技术通过调节晶体管的偏置电流来增强取消三阶相位调节（IM3），而反馈则改善了LNA的稳定性和输入匹配。使用180 nm标准CMOS技术中使用退化的通用源拓扑实现LNA。模拟结果表明，LNA的功率增益为10–12.2 dB，输入三阶截距点（IIP3）约为12 dbm，而在3.1-10.6 GHz的UWB频带上的噪声图小于2.5 dB。输入反射系数小于-10 dB，功耗为11.6兆瓦，电源为1.5 V。设计的LNA为UWB应用提供了一种新颖的创新解决方案，可显着提高UWB LNA的性能和效率，同时降低实施的成本和复杂性。
RF应力对100 nm x- ...
gan lna B. Pinault A，B，J.G。Tartarin a,b , D. Saugnon a , , R. Leblanc c a Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS-CNRS), Toulouse, France b Paul Sabatier University, University of Toulouse, Toulouse, France c OMMIC, Limeil-Brévannes, France Abstract In this article, we study the robustness of 3 versions of a single stage LNA configured根据对电磁干扰信号的探测率或鲁棒性的不同模式。将10 GHz处的RF步长的连续序列应用于研究的3个LNA中的每个序列。这些强大的MMIC LNA是使用OMMIC技术的D01GH GAN工艺设计的，从名义低噪声模式转换为高线性模式。此DC偏置开关允许将功率输入1DB压缩点增加8 dB。本研究的重点是这些LNA（敏捷的LNA #A）在标称低噪声模式（具有较低IP 1DB）或标称高性线模式（以退化的噪声图NF 50的价格）下进行操作时的鲁棒性。使用较大尺寸的设备（可鲁棒的LNA #R）将此原始的LNA #A与强大的常规设计进行了比较。踩压在10 GHz的过程中，这是这些LNA的中心频带。所有操作模式均显示出表现出相当可重现的阶跃应力图，尽管可以在低噪声和高线性操作条件之间区分热或非线性效应，并且与强大的设计LNA #R相比。引言由于其内在特性，GAN LNA提供了有趣的解决方案，用于需要高探测性和鲁棒性来攻击的应用。我们证明了用于实现自然电子保护的常规LNA电路设计策略的替代方法的相关性，而没有放置LNA #A或LNA #R之前放置的限制器，或者无需关闭DC偏见：此保护选项受益于将LNA保持在操作中的lna，即在事件输入信号增加的情况下，即使在Electial defraded Inflad decrademention中，在运行率发现的情况下，n. RF步长应力。它允许对接收器进行新的定义，因为它们还可以集成RF滤波器，并且可以承受比GAAS对应物更高的温度。因此，它们是雷达和电信应用的出色候选人。系统能够承受高水平RF功率的能力通过其在最终攻击中保持运行的能力来评估，也可以在压力周期后返回名义操作模式。为了充分利用氮化岩的特性，我们设计了一个能够在两个不同静止点上自我配置的LNA，从而可以将低噪声图（NF 50）和高1DB压缩点组合在设备输入（IP 1DB）。然后，图1所示的相同LNA #A能够在标称低噪声模式下运行（NF 50 = 0.95 db / ip 1db = 4 dbm），并在强烈的线性模式下< / div>
A 2-V 1.4-DB NF GAAS MMIC LNA用于K波段应用
摘要：在UMS 100 nm GAAS PHEMT技术中，提出了1.4 dB噪声图（NF）四阶段K波段单片微型集成电路（MMIC）低噪声放大器（LNA）。所提出的电路旨在覆盖5G新版本N258频带（24.25–27.58 GHz）。动量EM Layout仿真揭示了电路的最低NF为1.3 dB，最大增益为34 dB，| S 11 |从23 GHz到29 GHz的–10 dB，p 1db为–18 dbm和24.5 dbm的OIP3。LNA从2 V DC电源中抽出总电流为59.1 MA，并导致芯片尺寸为3300×1800 µm 2，包括垫子。我们提出了一种设计方法，重点是选择活动设备大小和直流偏置条件，以在应用源变性时获得最低的NF。设计过程通过选择促进简单输入匹配网络实现的设备来确保最小的NF设计，并得益于源变性的应用，获得了合理的输入返回损失。使用这种方法，输入匹配网络是通过分流存根和传输线实现的，因此最大程度地减少了对第一个阶段实现的NF的贡献。与类似作品的比较表明，与大多数最先进的解决方案相比，开发的电路非常有竞争力。
绝缘体上硅锂上的集成掺杂的波导放大器
光学放大设备是光学通信系统中的关键组件。在1980年代，Erbium掺杂的纤维放大器（EDFAS）是一项开创性的成就，可以实现长途光学通信和革命性的信息传输[1，2]，因为EDFA一直为全球基于纤维的通信网络提供了低噪声的高收益，数十年来。erbium离子在覆盖高输出功率的电信带中表现出稳定和低噪声增益，使Erbium掺杂介质非常适合光学放大器和激光器。但是，EDFA通常需要一米至数十米的光纤长度，这使它们容易体现环境波动，并为整合工作带来挑战。半导体光放大器（SOA）具有高增益和集成，但它们具有极化敏感[3]，噪声图也相对较高。对比，与不同光子平台的稀土离子掺杂显示了可以有效解决问题的综合掺杂波导放大器（EDWAS）的巨大希望[4，5]。根据1990年代开始对EDWA进行的研究[6]。如今，Edwas引起了重大的兴趣，受益于不同集成光子平台的传播损失，包括氮化硅（SI 3 N 4）[1、7-9] [1、7-9]，氧化泰当不是（TEO 2）[10]和Niobate（Niobate（ln）[4、11-18）[4、11-18] [4、11-18] [4、11-18]>尤其是，由于其透明度较大，非线性和出色的电极（EO）特性，LN长期以来一直是光子学的有希望的材料。绝缘子（LNOI）平台上的Niobate锂结合了LN的优势与增强的模式限制，使其成为下一代光子集成电路