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![arxiv：2301.09151v3 [cond-mat.supr-con] 2024年1月10日](/simg/1\12c10d903456dab728badf5204d7b1ab7f361f9f.webp)
arxiv：2301.09151v3 [cond-mat.supr-con] 2024年1月10日
cERH 2 AS 2是一个多相超导体，t c = 0.26 k。两个超导（SC）阶段SC1和SC2观察到的磁场h平行于与四方单位细胞的C轴平行于t型型单位电池的C轴，已解释为偶数和奇数SC状态，在quant-Parity SC状态下，在一个可能的rash iS sy-0 rash y rash sy-0 rash y rash中分离为µ 0。位于全球中心对称晶格的局部非中心对称环境中的CE站点的自旋轨道耦合。在温度t0≈0.4k以下的另一个有序状态（I阶段I）的存在表明H ∗过渡的替代解释：它分离了混合的SC+I（SC1）和纯SC（SC2）状态。Here, we present a detailed study of higher quality single crystals of CeRh 2 As 2 , showing much sharper signatures at T c = 0.31 K and T 0 = 0.48 K. We refine the T - H phase diagram of CeRh 2 As 2 and demonstrate that T 0 ( H ) and T c ( H ) lines meet at µ 0 H ≈ 6 T, well above H ∗ , implying no influence of Phase I on the SC phase switching.与金茨堡 - 陆理论的基本分析表明，这两个顺序之间的竞争较弱。
“世界对印度越来越感兴趣......
当世界在各种全球论坛上认可和认可正在崛起的印度时，每个印度人的内心都充满了成就感和满足感。印度总理纳伦德拉·莫迪最近对日本、巴布亚新几内亚和澳大利亚的访问取得了巨大成功，翻开了历史的新一页，使印度成为一个受到世界高度重视和尊重的国家。此次访问为印度带来了巨大的善意，因为总理专注于各国之间的和平、合作和友谊，成为全球媒体的头条新闻。如今，印度被视为各种全球问题的领头羊，致力于实现目标，帮助陷入困境的国家，向各国的发展努力伸出援手，并通过其在国内难以想象的表现为世界创造机会。在过去的九年里，印度取得了长足的进步——从脆弱的五大经济体发展成为世界五大经济体之一——这一成就不容忽视。此外，作为世界上增长最快的经济体，印度已成为原本黯淡的全球局势中的一抹亮点。印度应对 COVID-19 疫情的方式以及在艰难时期与有需要的国家站在一起的方式，为印度树立了一个自信国家和可靠朋友的形象。在参加四方会谈、FIPIC 和 G7 期间，印度总理纳伦德拉·莫迪参加了大约 40 场活动，其中包括在悉尼举行的一场大型活动，有 20,000 多人参加了该活动
在近和中间的CDSIP2的非线性光学测量
最近，在光学参数放大器（OPA）中使用中红外（MID-IR）差异频率产生（DFG）的磷化物磷化物（CDSIP 2或CSP）的使用引起了极大的兴趣[1-4]。由于广泛的大气变速箱窗口，该光谱区域（3-5 µm）已被认为对于通信，遥感和定向能源应用很重要，该窗户允许相对较低的损失传播[5，6]。csp是一个四方点组（€4 2 m）负单轴晶体，具有较大的二阶非线性（d 36 = 84.5 pm/v），具有较大的双重双发性（-0.05）（-0.05）（-0.05），大带隙（E G = 2.45 ev），比较大的透明度范围和较低的固定性吸收率在普通的范围内供应较大的材料。 [7]以较低的导热率为代价[8]。先前已经测量了CSP的线性和二阶非线性光学（NLO）特性[8-10]。在这项工作中，我们在近红外（NIR）中测量泵浦波长（1.5 µm和2.0 µm）的非线性吸收（NLA）和非线性屈光度（NLR），并在MID-IR中选择中MID-MIR（3.0 µm m至3.0 µm至5.0 µm）。然后，我们检查了该NLA和NLR对OPA性能的影响。我们表明，在高泵送辐照度下，NLA可以通过增加泵的吸收并降低转化率的效率来成为OPA性能的限制因素。
采用 Flash*Freeze 技术的耐辐射 ProASIC3 低功耗航天闪存 FPGA
特性和优点 符合 MIL-STD-883 B 类标准 封装 • 带有六西格玛铜包裹铅锡柱的陶瓷柱栅阵列 • 平面栅阵列 • 陶瓷四方扁平封装 低功耗 • 大幅降低动态和静态功耗 • 1.2 V 至 1.5 V 内核和 I/O 电压支持低功耗 • Flash*Freeze 模式下的低功耗 辐射性能 • 25 Krad 至 30 Krad，传播延迟增加 10%（TM 1019 条件 A，剂量率 5 Krad/min） • 晶圆批次特定的 TID 报告 高容量 • 600 k 至 3 M 个系统门 • 高达 504 kbits 的真双端口 SRAM • 高达 620 个用户 I/O 可重编程闪存技术 • 130 纳米、7 层金属（6 铜）、基于闪存的 CMOS • 上电实时(LAPU) 0 级支持 • 单芯片解决方案 • 断电时保留已编程的设计 高性能 • 350 MHz (1.5 V) 和 250 MHz (1.2 V) 系统性能 • 3.3 V、66 MHz、66 位 PCI (1.5 V)；66 MHz、32 位 PCI (1.2 V) 在系统编程 (ISP) 和安全性 • ISP 使用片上 128 位高级加密标准 (AES) 通过 JTAG 解密（符合 IEEE 1532 标准） • FlashLock ® 设计用于保护 FPGA 内容 高性能布线层次结构 • 分段、分层布线和时钟结构
Y-TZP坯料制备控制及TiO2纳米管添加对牙科材料结构可靠性的影响
二氧化钛 (TiO 2 ) 纳米管已被用于增强牙科材料的机械和生物性能。氧化钇稳定四方氧化锆多晶体 (Y-TZP) 已越来越多地用于牙科，作为牙冠和固定部分假体的子结构。除了最佳临床效果外，Y-TZP 还容易出现故障，因为制造过程中引入了与微结构相关的缺陷，可能会降低其结构和临床可靠性。本研究的目的是评估毛坯制造工艺的作用以及通过添加 TiO 2 纳米管（体积为 0%、1%、2% 和 5%）在控制所有制造步骤的同时对其原始成分进行修改。对材料进行了双轴弯曲强度试验、扫描电子显微镜 (SEM) 断口定性分析、场发射 SEM 微观结构评估和 X 射线衍射。对弯曲强度值进行了方差分析、Tukey (α = 0.05) 和威布尔统计。对晶粒尺寸值进行了 Kruskal-Wallis 和 Dunn 检验 (α = 0.05)。结果的亮点包括，对于实验性 Y-TZP，添加 2% vol TiO 2 纳米管陶瓷的弯曲强度值为 577 MPa，威布尔模量 (m) 为 8.1。在不同混合物中添加 TiO 2 纳米管会影响实验 Y-TZP 性能，导致弯曲强度降低，尽管它们表现出比商用 Y-TZP 更高的 m。纳米管还导致晶粒尺寸更大、孔隙更多以及单斜相略有增加，从而影响 Y-TZP 的微观结构。Y-TZP 毛坯制造控制以及 TiO 2 纳米管的添加导致更高的 m 值，因此结构可靠性更高。
cu – oped ...
摘要： - 研究对Cu对Batio 3的结构过渡特性的影响进行了比较研究。对X = 0.1-0.3样品进行了研究，钛酸钡的化学公式为Batio 3。作为粉末，它是白色至灰色的，并具有钙钛矿结构。Batio 3使用最广泛的铁电材料。Batio 3在Curie温度下（T C〜120°C）具有化学公式ABO 3的钙钛矿结构（空间组R3C）。在室温下有四方结构。是铁电材料。铁电体是表现出类似于铁磁性磁性的电活动的结晶材料。由于它们自发的极化，即使在没有外场的情况下，这些材料也会显示出自发的极化，因此滞后作用。这发生在铁电材料中。直到给定温度，可以看到某种类型的行为。称为居里温度（TC）。此动作不超过此TC。到目前为止，我们已经通过合适的Cu掺杂组成（x = 0.1，0.2）来研究并表征了铁电BA 1-X Cu X Tio 3。RT-XRD表征产生了预期的特征峰，其中一些杂质峰表明系统中存在杂质阶段。拉曼峰在拉曼频谱中移动，导致了预期的拉曼模式，即300K时的a，e和混合模式a+e。关键字： - 居里温度，铁电，拉曼光谱，钙钛矿结构。
Mo -Si System的硅化硅的主要特性
摘要。使用Magnetron-ION溅射，将一层金属钼1–2μm厚的金属钼沉积在环境温度下惰性氩气的大气中，该硅通过Czochralski方法生长的硅单晶表面。根据实验的结果，纯Mo层厚度为2μm，通过磁控蛋白的反应性溅射从高度纯的金属钼靶中沉积到冷硅晶片底物上，厚度为1.5 mm。仅在严格定义的钼金属沉积速率对应于体积中给定的巨质压力的情况下，它们的电导率和透明度也很高。溅射目标是直径为40 mm的磁盘，厚度为3-4 mm。产品处理的技术周期包括目标清洁的阶段。在不添加氧气的情况下将金属MO靶标溅射在纯氩AR中，可以促进具有非常好的电导率的不透明金属膜的形成。X射线衍射分析具有Mo金属涂层表面的硅单晶体显示了Moleybdenum-Silicon系统中的MO3SI和MOSI.65的化合物。硅硅硅酸盐被发现在温度范围1850÷1900°C的温度范围内经历同类肌转化，而低温品种 -MOSI2具有四方结构。 -MOSI2的高温形式具有六边形结构。使用原子扫描显微镜进行研究的结果表明，硅原子的链与MO原子连接，形成沿平行X和Y轴的MO结构的棱镜形成的锯齿形。
氧化铝矩阵中GE量子点的自组装
M. Buljan,1 S. R. C. Pinto,2 A. G. Rolo,2 J. Martín-Sánchez,2 M. J. M. Gomes,2 J. Grenzer,3 A. Mücklich,3 S. Bernstorff,4 and V. Holý5 1 Ruđer Bošković Institute, Bijenička cesta 54, 10000 Zagreb, Croatia 2 Centre of Physics and Department of Minho大学物理学，校园De Gualtar，4710-057 Braga，葡萄牙3 Forschungszentrum Dresden-Rossendorf，E.V.，P.O。Box 510119, 01314 Dresden, Germany 4 Sincrotrone Trieste, SS 14 km163, 5, 34012 Basovizza, Italy 5 Charles University in Prague, Ke Karlovu 5, 121 16 Prague, Czech Republic In this work we report on a self-assembled growth of a Ge quantum dot lattice in a single 600- nm-thick GE+Al2O3层在登高的底物温度下的GE+Al2O3混合物的磁控溅射沉积中。自组装导致在整个沉积体积内形成良好的三维三维四维四维四方量子点晶格。形成的量子点的大小小于4.0 nm，尺寸分布狭窄，堆积密度较大。可以通过更改沉积参数来调整量子点晶格的参数。通过扩散介导的成核和表面形态效应来解释量子点的自我顺序，并通过动力学蒙特卡洛模型模拟。I.最近的研究表明，与通常使用的融合二氧化硅相比，AL2O3矩阵具有许多优势，因为氧化铝具有更高的介电常数，出色的热和机械性能，并且更适合作为内存设备中的大门的建筑材料。17因此，在Alumina Matrix中生产了适用于新材料的Alumina Matrix中固定有序的GE QD的生产。引言半导体量子点（QD）在过去几年中已被广泛研究，因为它们具有有趣的物理特性和巨大的技术应用潜力。1-6正常订购的QD具有特殊的兴趣，因为空间规律性意味着QDS尺寸的狭窄范围，对于QDS的范围狭窄，对于更为明显的量子量化和集合的范围，其势能构成的范围非常重要，其势能效应，并因此效应，并在QD上效应，并且QD的效果效果很大。 Sio2或Al2O3（例如Sio2或Al2O3）具有许多有趣的属性，例如非常强的量子限制，电发光和光致发光，非线性折射率，长期保持电荷等可能性等等。10-16，因此它们在基于NAnotechnology中应用，尤其是基于QD的模拟和SENSORS。最近报道了二氧化硅基质中GE QD的自我排序增长，但7,8,18,19没有针对氧化铝进行类似的研究。值得注意的另一个重要特征是，仅通过晶体和无定形系统中的多层沉积才能实现QD晶格的自定序生长6,7，而在连续较厚的层中尚未发现类似的观察结果。在这里，我们介绍了在连续沉积GE+Al2O3混合物期间，氧化铝基质中GE QD的自组装生长的研究，产生了近似厚度为600 nm的单层。结果是形成了QD的大型且有序的三维3D QD晶格，其以身体为中心的四方BCT排列。调整沉积参数，可以操纵QD大小和QD晶格的参数。形成的QD的尺寸是均匀的，并且它们的空间密度可能非常大，因为它们的尺寸很小和距离。观察到的自我顺序的驱动力是通过表面形态学效应来解释的，即通过扩散介导的成核和表面最小值中成核的概率的结合。正如我们稍后显示的，氧化铝中GE QD的自我排序的特性不同于二氧化硅的自我序列。
STP 单个文章下载
PAGE 简介 1 奥氏体铬镍钢中 Sigma 相的识别、形成和再溶解方式——E.J. Dulis 和 G. V. Smith 3 讨论 30 几种铸造奥氏体钢中的 Sigma 相——V.T. Malcolm 和 S. Low 38 讨论 45 各种合金系统中 Sigma 相的 X 射线研究——Pol Duwez 和 Spencer R. Baen。4 8 讨论 55 含铁或镍的铬钼合金中的 Sigma 相——John W. Put-man，N. J.Grant 和 D. S. Bloom 61 讨论 69 铁铬系统中 Sigma 相的四方性——L.Menezes、J. K. Roros 和 T. A.阅读 71 讨论 74 17% 铬钢中 Sigma 相的形成——J.J. Heger 75 讨论 79 Sigma 相以及高温下长时间加热对 25% 铬-20% 镍钢的其他影响——G.N. Emmanuel 82 Sigma 相的出现及其对铸造 Fe-Ni-Cr 合金某些性能的影响——J.H. Jackson 100 联合讨论 120 Sigma 的形成及其对稳定化 18% 铬 - 8% 镍钢在浓硝酸中行为的影响——Ray-mond S. Stewart 和 Stephen F. Urban 128 关于含钶 18-8 钢在高温下的结构和抗冲击性的一些注释——W.O. Binder 146 讨论 164 观察 Sigma 对奥氏体不锈钢中钶稳定化焊件的机械性能的影响——F.W. Schmitz 和 M. A. Scheirf.165 讨论 178
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PAGE 简介 1 奥氏体铬镍钢中 Sigma 相的识别、形成和再溶解方式——E. J. Dulis 和 G. V. Smith 3 讨论 30 几种铸造奥氏体钢中的 Sigma 相——V. T. Malcolm 和 S. Low 38 讨论 45 各种合金系统中 Sigma 相的 X 射线研究——Pol Duwez 和 Spencer R. Baen。4 8 讨论 55 含铁或镍的铬钼合金中的 Sigma 相——John W. Put-man、N. J. Grant 和 D. S. Bloom 61 讨论 69 铁铬系统中 Sigma 相的四方性——L. Menezes、J. K. Roros 和 T. A. Read 71 讨论 74 17% 铬钢中 Sigma 相的形成——J. J. Heger 75 讨论 79 Sigma 相及高温长时间加热对 25% 铬 -20% 镍钢的其他影响——G. N. Emmanuel 82 Sigma 相的出现及其对铸造 Fe-Ni-Cr 合金某些性能的影响——J. H. Jackson 100 联合讨论 120 Sigma 的形成及其对稳定化 18% 铬 - 8% 镍钢在浓硝酸中行为的影响——Raymond S. Stewart 和 Stephen F. Urban 128 关于含钶 18-8 钢在高温下暴露后的结构和抗冲击性的一些注释——W. O. Binder 146 讨论 164 关于 Sigma 对奥氏体不锈钢中钶稳定化焊接件力学性能的影响的观察——F. W. Schmitz 和 M. A. Scheirf。165 讨论