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World File Search System四端
四点抗性测量
此技术论文描述了锁定放大器的最多用途之一，即四点AC固定测量（也称为四端或四线）。材料或设备的电阻（或者通过样品几何形状进行正常的电阻率）是一种基本特性，可用于理解Maperial的电子行为，无论是从物理，材料科学的角度还是电气工程的角度来看[1-3]。的确，它是我们小组中最早的测量之一，以了解新合成的导电材料。例如，金属的电阻率将随温度降低而降低，而随着电荷载体“冻结”，半导体或绝缘体的电阻率将增加。为了进一步量化金属的质量，可以通过测量室温下的电阻比除以低温下的电阻（4 K）来隔离杂质和晶体缺陷的影响。这是所谓的残余电阻率或RRR。完美的金属晶体将在零温度（无限RRR）下具有零分解性，而杂质会导致耐药性饱和至有限的值（较小的RRR）。纵向抗性当然是识别超导性的关键措施[4，5]。电阻率测量的其他用途包括识别
用于下一代超导接触几何形状...
石墨烯器件中的量子霍尔效应最近允许使用稳健的电阻平台（ R H = R K /2 = h /2 e 2 ）作为欧姆的计量实现 [1]。未来传播欧姆的途径之一是通过构建能够提供多个量化电阻值的量子霍尔阵列电阻标准 [2]– [6]。在制造此类网络之前，必须降低接触和互连处的累积电阻。在本研究中，使用四端和两端方法测量和比较了外延石墨烯器件的量化霍尔电阻 (QHR)。当应用超导多串联接触时，不希望的电阻显著降低。这些新的设备接触几何形状和成分为下一代电阻标准的设计开辟了新途径。
MoS2 双电子系统中的电荷传输和量子限制...
摘要：半导体二维 (2D) 材料由于其丰富的能带结构和在下一代电子器件中的良好潜力而引起了广泛的研究关注。在本文中，我们研究了具有双栅极 (DG) 结构的 MoS 2 场效应晶体管 (FET)，该结构由对称厚度的背栅极 (BG) 和顶栅极 (TG) 电介质组成。通过排除接触影响的四端电测量揭示了 DG-MoS 2 器件中厚度相关的电荷传输，并且还应用了 TCAD 模拟来解释实验数据。我们的结果表明，量子限制效应对 MoS 2 沟道中的电荷传输起着重要作用，因为它将电荷载流子限制在沟道的中心，与单栅极情况相比，这减少了散射并提高了迁移率。此外，温度相关的传输曲线表明，多层 MoS 2 DG-FET 处于声子限制的传输状态，而单层 MoS 2 表现出典型的库仑杂质限制状态。
科学期刊
流体逻辑电路通过消除笨重的组件来简化系统设计，同时在与电子设备不符的一系列敌对环境中启用操作，但以有限的计算能力和响应时间为代价。本文提出了针对快速切换时间，减少组件计数，低单位成本和高复发性优化的四端流感晶体管，以实现复杂的流体控制电路，同时保持每分钟升高的流量。使用三个流体晶体管的环振荡器达到了振荡频率，最多可达到一个kilohertz，具有完全信号传播，可容忍数十亿个循环而不会失败。基本处理器电路，例如完整的加法器和3位类似物对数字的转换器，每个晶体管都只需要七个晶体管。解码电路驱动高分辨率的软性触觉显示，其刷新时间低于人类的潜伏期感知阈值，而无电子控制电路对气动执行器进行了闭环位置控制，并具有干扰抑制作用，从而证明了跨域的值。
太阳能
双面光伏和多结系统是克服单结硅光伏理论极限的最有前途的替代方案，这些解决方案也可以组合起来以实现更高的性能。这项工作研究了基于 III-V 半导体与硅异质结技术相结合的双面四端光伏系统的户外性能。通过利用 GaAs 的宽带隙能量、硅异质结的双面性和二向色镜的光谱分裂能力，实现了两个太阳能电池的微型模块之间的最佳电压匹配，开路电压失配为平均值的 4%。在这项研究中，我们展示了双面操作的全部功能，与单面操作相比，全天的功率转换效率提高了 17%。此外，我们表明，虽然太阳光谱从早上到下午变化很大，导致 GaAs 与 Si 微型模块短路电流的比率全天变化高达 43%，但由于两个微型模块的有效耦合，整个系统功率转换效率的变化仍然非常有限，不到最大值的 16%。
通孔-中间 TSV 晶圆混合键合中 Cu 突起对连接电阻的影响
摘要 本研究研究了铜突起对连接电阻的影响，作为中通孔硅通孔 (TSV) 晶片混合键合的详细数据。在制备了多个具有不同铜突起量的 Cu TSV 晶片和 Cu 电极晶片并通过表面活化键合方法使用超薄 Si 膜进行键合后，通过四端测量评估了键合晶片的连接电阻（即 TSV、Cu 电极和界面电阻之和）。结果表明，Cu 突起量是中通孔 TSV 晶片与超薄 Si 膜混合键合的关键参数，通过调节 Cu 突起可以在不进行热处理的情况下实现 TSV 和 Cu 电极之间的电连接。关键词 中通孔 硅通孔(TSV) 直接Si/Cu研磨 混合键合I.引言 随着摩尔定律的放缓，带有硅通孔(TSV)[1-6]的三维集成电路(3D-IC)已经成为实现高速、超紧凑和高功能电子系统的可行解决方案。3D-IC在某些电子系统中的接受度越来越高。然而，要将3D-IC技术应用于许多电子系统，需要进一步降低TSV形成成本、实现TSV小型化和提高TSV产量。在各种TSV形成工艺中，中通孔Cu-TSV工艺可以有效减小TSV尺寸并提高TSV产量，因为该工艺易于形成(1)小TSV，并且(2)TSV与多层互连之间的电接触。然而，如果晶圆背面露出的TSV高度变化很大，则可能会发生TSV断裂或接触失效。在之前的研究中，我们提出了一种 Cu-TSV 揭示工艺，包括直接 Si/Cu 研磨和残留金属去除 [7-9]（图 1），以克服这一问题。首先，使用新型玻璃化砂轮进行直接 Si/Cu 研磨，并使用高压微射流 (HPMJ) 对砂轮进行原位清洁。由于非弹性
可重新配置的反馈现场效应晶体管，带有一个门
数十年来，由于摩尔法律[1]，互补金属 - 氧化物半导体（CMOS）技术的连续扩展导致了信息技术的革命性发展，该法律规定，微芯片的密度每24个月增加了一倍。但是，由于由短通道效应等现象引起的泄漏电流，MOS场效应晶体管（MOSFET）会遇到限制[2]。尤其是由于载体的热极限，在室温下，子阈值秋千的极限为60 mV/dec [3]。使用隧道效应，使用影响电离的电离效果（i-MOS）[8-11]等各种设备，例如使用影响电离的电离MOS（I-MOS）[8-11] [12-24] [12-24] [12-24]使用反馈现象来克服这些限制。fbfet通过调节诸如p-n-p-n之类的结构中的潜在屏障，使用正反馈机制表现出陡峭的开关特性。第一次提出的FBFET通过将电荷捕获在栅极侧壁间隔物中来调节电势垒。然而，由于间隔区域的附加过程和不稳定性，已经提出了结构，以浓重的掺杂掺杂现有的间隔区区域，或用额外的栅极电极代替它[14，15]。这些结构相对稳定，可以在带有附加栅极电极的单个设备中重新配置p和n型[13]。但是，对于在P和N型操作模式中重新配置的四端设备结构的其他门电压调制是必需的。在这项研究中，我们提出了一个可重新选择的FBFET，可以通过控制单门电压调制来以P和N型模式进行操作。单门电压允许注射孔（P型）或电子（N型），以进行正反馈回路。与其他可重新配置的FET（RFET）[25-29]相反，该FET（25 - 29]）通过阻碍注射不希望的荷载体，对电子和孔显示单极传导，可重新选择的FBFET使用电子和孔进行电流。因此，我们的设备表现出对P和N型配置的对称特征。
最新实用英汉电信词典
A a A = availability 可用性 Å = angstrom 埃 @ = at 1.单价 2.电子邮件地址账号和域名之间的分 隔符 A-A = analog-analog 模拟 - 模拟 A&B bit signaling A 和 B 位信令 A-B cut mixer 一级图像混合器 , A-B 图像混合器 A&B leads A 线和 B 线 A band A 波段 A Block 1.( 复式人工交换局 ) 甲交换台 , A 交换台 2.甲 盘 , A 盘 A carrier = alternate carrier 甲类电话公司 , 另一种电 话公司 A condition ( 起止式传输中的 )A 状态 , 起状态 , 启动空 号状态 A-D = analog-digital 模 ( 拟 ) —数 ( 字 ) A/D = analog-digital 模数转换 A/D coder 模数转换器 A/D conversion 模数转换 A/D converter 模 ( 拟 )/ 数 ( 字 ) 转换器 A interface A- 接口 A-law coding A 律编码 A/M = automatic/manual 自动 / 人工 A operator ( 复式人工交换局 ) 甲台话务员 A party 主叫方 , 主叫用户 A register A 寄存器 , 运算寄存器 A/Z 起 / 止脉冲 , 起 / 止脉冲比 , 空号 / 传号脉冲 , 空号 / 传 号脉冲比 AAA = authentication, authorization and accounting ( 移动通信 ) 鉴权 , 授权与计费 AAB = automatic alternative billing 自动更换记账 / automatic answerback 自动应答 AAL = ATM adaptation layer 异步转移传递模式适配层 , ATM 适配层 AAL1 ATM 适配层 1 AAL2 ATM 适配层 2 AAL3/4 ATM 适配层 3/4 AAL5 ATM 适配层 5 AARP Apple Talk 地址解析协议 abac 计算图表 , 列线图 , 诺模图 abac-parameter 四端网络参数 , 四端网络参量 abandon call 中途放弃呼叫 abandon pause 呼叫中途挂机 , 未接通暂停 abandoned call 放弃的呼叫 abandoned call attempt 放弃的试呼 abandoned traffic 损失业务 , 放弃的业务 abatement 1.抑制 , 消除 2.废料 Abbe condenser 阿贝聚光镜 Abbe number 阿贝数 , 色散系数 abbreviated address 缩位地址 , 缩写地址 abbreviated addressing 短缩寻址 abbreviated call 缩位呼叫 , 缩位拨号 , 简呼 abbreviated character 简化字符 abbreviated dialing 缩位拨号 abbreviated signal code 缩写信号码 abbreviative notation 缩写标记 ABD = abbreviated dialing 缩位拨号 abd technique 诱导技术 abduction 诱导 , 推断 , 推测 abductive reasoning 反绎推理 abductive technique 诱导技术 abecedarian 按顺序排列的 Abel transform 阿贝尔变换 Abelian group 阿贝尔群 abend 异常终止 , 异常结束 aberration 1.越轨 , 偏差 2.像差 , 色差 3.失常 , 畸变 4.光行差 aberration curve 像差曲线 aberration function 误差函数