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World File Search System团聚
2024 财年团聚
星座号 (CVA/CV 64) 10 月 11 日至 16 日 (432) 694-0227 membership@ussconstellation.org www.ussconstellation.org 欧埃莱特号 (FF 1077) 10 月 12 日至 15 日 (916) 612-1401 jimwatt2000@hotmail.com (734) 476-5519 mikedodds@eoiauto.com 汉考克号 (CV/CVA 19) 10 月 16 日至 19 日 (978) 688-1011 pete_cole@verizon.net www.usshancockassociation.org 科格斯韦尔号 (DD-651) 10 月 17 日至 19 日 (760) 889-2216 secretary@usscogswell.com www.usscogswell.com温赖特号 (DLG/CG 28) 11 月 13 日至 17 日 (269) 967-3536 president@usswainwright.org www.usswainwright.org 美国海军康塞弗号 (ARS 39) 2024 年 4 月 24 日至 29 日 (619) 449-4499 dcwoodworking1@yahoo.com http://www.ussconserver.org 战斗机中队 (VF) 161 5 月 7 日至 9 日 (858) 437-1476 battlestarbuk@gmail.com 美国海军提康德罗加号 5 月 15 日至 19 日 (540) 226-1269 1stVP@TicoVets.org (CV/CVA/CVS 14, CG 47) www.ticovets.org 全国军人女性 2024 年 9 月 19 日至 21 日(507) 400-9111 lynne@milwomen.org
2024校友团聚
iCFONIANS是我们的社区新闻通讯，也是我们的工具，以使我们所有人都了解共同利益和成就，从而加强了我们彼此的联系和研究所。此版本包括有关我们的同事发表的科学结果的记载，具有国际倡议的项目会议，奖项庆祝，区分和任期庆祝，新的竞争资金，技术转移计划，共享的社交活动以及所有对使ICFO成为一家出色科学科学的人都很重要的事件。作为伊克芬人的编辑，我有点像机构抄写员，尽力收集有关故事的文档以及“故事背后的故事”，即你的故事。我停下来反思了4月26日举行的校友聚会。大多数ICFO事件都涉及我们社区的一部分，但是过去和现在的所有成员都是聚会的主人公 - 甚至有些无法亲自参加的人，这确实值得一会儿。
家庭团聚中心规划注意事项
家庭团聚中心 (FRC) 在大规模伤亡或大规模死亡事件发生后立即建立。FRC 是一个指定的集中地点，用于让受害者及其家人团聚，通常在医院或事件发生地附近。它还为当局提供了一个场所，可以向家人提供信息，并方便从家人那里收集有关受害者的信息，这些信息可用于识别受害者。FRC 应该是家人和朋友聚集的地方，可以接收有关受害者的信息，哀悼，免受媒体和好奇者的伤害，促进信息共享以支持家庭团聚，并在患者死亡且身份已知时提供死亡通知。这些中心可能会被政府当局通常在 24 小时内确定的家庭援助中心 (FAC) 或庇护所取代。1
了解对COVID-19的疫苗接种的团聚制动器
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
Si 表面处理对 CoSi2 形成和团聚的影响
在微电子领域，尽管钴硅化物 CoSi 2 在小尺寸内成核困难，但对于采用 65 nm 技术设计的一些特定器件，基于 CoSi 2 的触点仍然很有趣。因此，为了促进 65 nm 技术中 CoSi 2 的形成，可以干扰 RTA1 期间发生的 CoSi 的形成。为此，在 Co 沉积之前对 Si 基板的表面处理可能会影响钴硅化物相的形成。在这项工作中，在 Co 和 TiN 层沉积之前，在 Si(100) 晶片上应用了不同的表面处理（SiCoNi、HF，然后是 SC1 和仅 HF）以及几种软溅射蚀刻 (SSE) 工艺。根据表面处理的不同，通过 XRD 和/或 EBSD 观察到的 Co 硅化物相（包括 CoSi 2 ）的形成温度和/或晶体取向是不同的。四点探针测量还表明，CoSi 2 团聚与表面处理方案有很大关系。这些结果突出了表面处理对 Co 硅化物形成和团聚的影响，以及其对于将 CoSi 2 膜集成到 65 nm CMOS 技术中的重要性。
利用 DNA 帮助因灾难而离散的家庭团聚
在灾难（指现有基础设施无法充分应对的事件）中，儿童面临家庭分离的风险，这对儿童和成年家庭成员的健康都有害（Blake 和 Stevenson，2009 年；Mace 等人，2010 年；Rodriguez-Llanes 等人，2013 年）。婴儿期或幼儿期失散的儿童不太可能能够回忆起家庭成员的联系方式。鉴于失散的每一天都对儿童的健康和福祉至关重要，儿童（尤其是幼儿）在灾难后可能面临被绑架或剥削的风险，而且灾难越来越常见，全球社会必须做好准备，在灾难后尽快、尽可能安全地让家庭团聚，以符合儿童的最大利益（Dreby，2015 年；Starmer 等人，2010 年；Whitaker 等人，2005 年）。DNA 技术可能为重新联系失散的家庭提供强有力的工具。然而，DNA技术的使用权应得到公平分配，并通过创伤知情方法提供由此产生的数据或报告，以合乎道德和安全的方式促进儿童和家庭的权利（Barnert等人，2021年）。儿童在安全、养育的关系中发展得最好，尤其是与照顾者的关系（世界卫生组织，2009年）。父母对儿童的影响
24DC032 - 古巴和海地的现代化联邦家庭团聚假释 (FRP) 流程
根据现代化 FRP 程序进入美国的古巴和海地国民可以有支持者和/或担保人。支持者和担保人之间是有区别的，一个人签署的表格类型决定了他们是支持者还是担保人。一个人可以同时是担保人又是支持者。如果此人只签署了 I-134A 表格（在线申请成为支持者和财务支持声明），则该人是支持者。有支持者但没有担保人的申请人/接受者不受联邦担保人视为要求的约束。如果一个人签署了 I-864 表格（根据 INA 第 213A 条提供的支持宣誓书），或同时签署了 I-864 和 I-134A，则此人是担保人，因为他们已经签署了 I-864。拥有签署 I-864 的担保人的申请人/接受者须遵守联邦担保人视为规则，并且 99-ADM-02 中概述的指导（包括联邦担保人视为要求）将适用。
Ni(Pt)Si薄膜形成对团聚阈值温度的影响及对3D成像技术集成的影响
Ni(10 at.% Pt) 单硅化物在微电子中用作接触件，但由于团聚，在相对较低的温度下会遭受性能下降。最近在 28 nm-FDSOI 微电子器件上获得的结果显示，在与 Ni(Pt)Si 薄膜脱湿相关的 550 °C/2 小时退火后，产量损失严重。这种团聚热预算比使用原位或非原位四点探针测量在毯状晶圆上测得的热预算低 100 °C。在此背景下，本文旨在研究 Ni(Pt)Si 形成过程对 Ni(Pt)Si 团聚的影响，采用不同的方法，如 (i) 经典方法，即进行一次退火以形成硅化物并导致团聚，(ii) 通过标准 SALICIDE 工艺“自对准硅化物”形成硅化物，然后进行退火以诱导团聚，以及 (iii) 标准 SALICIDE 工艺形成硅化物，然后用 SiN 层封装顶部硅化物表面，如器件中所用，最后进行团聚退火。我们的研究表明，薄膜的热稳定性受形成过程中选择性蚀刻 (SE) 的顺序以及薄膜是通过单次退火还是双次退火形成的影响。这项研究的另一个结论是，四点探针测量不够灵敏，无法很好地估计团聚现象的真正起点，这对器件是有害的（三重结处形成孔洞）。为了准确确定团聚热预算，迫切需要一些额外的特性，例如倾斜扫描电子显微镜 (倾斜 SEM)。这项研究可以阐明导致团聚的主要参数：薄膜厚度和晶粒尺寸似乎是更重要的参数。 * 通讯作者电子邮件：magali.gregoire@st.com。
MIRALON® 纸浆分散指南
3. 尽可能使用渐变混合；从较低的转速/速度/剪切设置开始，并初步加入纸浆。渐变混合以获得高剪切和最佳分散。无论是通过时间增量、转速设置、其他参数还是以上所有，使用显微镜载玻片跟踪进度以监控分散发展并帮助确定何时成功分散。显微镜载玻片将显示是否已完全分散或是否存在团聚和不均匀性。如果存在团聚或存在禁区（未填充树脂/系统的口袋），则需要继续混合。注意：在跟踪显微镜时，如果您看到均匀的分散和最小和较小的团聚，但继续混合，您可能会开始看到先前建立的网络开始退化。也可能会发生重新聚集。这两种情况都表明材料被过度分散或处理。