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2010 IEEE 国际固态电路会议
T2：射频前端无源器件的 SoC 集成 射频前端无源器件（如 SAW 滤波器和双工器）已被证明难以集成为低成本 CMOS SoC 的一部分。传统的射频设计并不适用，因为片上螺旋电感的品质因数不高，而且片上电容器的制造差异会限制性能。继续使用片外前端无源器件的重要后果是：成本更高、物理空间更大、PCB 和封装设计更复杂，特别是对于多模和多频带应用（如蜂窝或软件定义无线电）。在本教程中，我们首先研究前端无源器件的系统级要求，并从电路的角度讨论 SoC 实施挑战。然后，我们介绍几种可以解决这些问题的架构和电路级技术，然后是 2G 和 3G 收发器的案例研究。
23:59 JST，2025年1月27日，星期一，详细信息：www.vlsisym
潜在作者必须将论文摘要提交到研讨会网站www.vlsisymposium.org。此处显示了新的三页纸格式。接受的论文将在未允许的情况下发表。作者必须遵循网站“作者”部分中提供的详细说明，包括作者指南和出版前政策。将邀请杰出论文的扩展版本在电子设备上的IEEE交易中出版，IEEE固态电路杂志和IEEE固态电路信函。
Woogeun Rhee收到了B
（850/900/1800/1900MHz）直接转换GSM/GPRS RF收发器，带有积分VCO和分数-N合成器”，载于IEEE固态电路杂志，第1卷。37，pp。1710-1720，2002年12月。<由266 – Scholar.google.com> 67。W. Rhee，B。Bisanti和A. Ali，“ 18毫米2.5-GHz/900-mHz BICMOS双重频率
高级程序 rev.22 A-SSCC 2024 第 20 届...
我谨代表组委会，热烈欢迎大家参加 2024 年 11 月 18 日至 21 日在日本广岛举行的 IEEE 亚洲固态电路会议 (A-SSCC)。A-SSCC 是在 IEEE 固态电路协会的支持下在亚洲举办的国际电子论坛。在我们庆祝会议成立 20 周年之际，A-SSCC 2024 承诺展示半导体领域最新、最先进的芯片和电路设计。我们计划了几项激动人心的活动来庆祝 A-SSCC 成立 20 周年。第一项活动是题为“A-SSCC 即将到来的日子：未来的话语”的全体会议。在此次会议期间，A-SSCC 的杰出贡献者将讨论本次会议的未来。此外，我们将表彰 A-SSCC 的 11 位顶级贡献者。第二项活动是包括四位全球领导人的杰出全体会议演讲。这些演讲将免费向公众开放，以纪念会议成立 20 周年。我们将在全体会议期间提供实时 AI 翻译服务。与会者可以使用自己的智能手机或 PC 访问此服务。最后，我们计划在四天的晚间活动，以鼓励与会者在各个技术领域进行交流和协作。A-SSCC 2024 收到了 340 多篇论文提交，组织了 29 场技术会议，涵盖模拟电路、数据转换器、数字电路和系统、新兴技术、存储器、射频电路、片上系统、信号处理和混合信号电路等各个领域。此外，会议还将举办四场技术教程演讲、一场小组讨论、ACE（A-SSCC/CICC/ESSCIRC）计划、六个特别计划以及包括学生设计竞赛和 FPGA 展览在内的演示会议。我想借此机会向 Hoi-Jun Yoo 教授担任主席的指导委员会成员、Pei-Yun Tsai 教授担任主席、Baoyong Chi 教授担任联合主席的技术预程序委员会成员、Tsung-Heng Tsai 教授担任副主席的优秀计划、Sugako Otani 博士和 Ryuichi Fujimoto 博士担任联合主席、Kazuko Nishimura 博士和 Osamu Watanabe 博士担任副联合主席的组织委员会成员以及所有发言人、作者、与会者和赞助商表示诚挚的感谢和赞赏。感谢您参加 A-SSCC 2024。我们相信这次会议将满足您的技术兴趣并激发您的想象力。我们鼓励您充分享受这次活动并与您的同事和朋友分享您的积极体验。所有对固态电路感兴趣的人的持续支持对于 A-SSCC 的持续成功至关重要。
Dennard 缩放理论的影响
讨论了以下主题：(1)“Dennard 的 MOSFET 缩放论文 30 年回顾”，作者是英特尔公司的 Mark Bohr；(2)“器件缩放：推动半导体行业 30 年增长的跑步机”，作者是 i2 Technologies 的 Pallab Chatterjee；(3)“MOSFET 缩放的回忆”，作者是佛蒙特大学的 Dale Critchlow；(4)“缩放的业务”，作者是 TCX, Inc. Technology Connexions 的 Rakesh Kumar；(5)“MOSFET 缩放理论及其影响的观点”，作者是 IBM 的 Tak Ning； (6) “Scaling 的影响以及当时 Scaling 发展的环境”，作者：Yoshio Nishi，斯坦福大学；(7) “一切都与 Scaling 有关”，作者：Hans Stork，德州仪器。Dennard 的三篇原创论文，分别发表于 1972 年（IEDM 会议）、1973 年（IEDM 会议）和 1974 年（IEEE 固态电路杂志），也在本期中重印。感谢您花时间阅读 SSCS 新闻。我们很感谢您的评论和反馈！请将评论发送至 myl@us.ibm.com。
ISSCC 2024 征文通知
集成电路让世界更美好 ISSCC 是固态电路设计的旗舰会议，今年已是第 71 年。ISSCC 推广和分享新的电路理念，这些理念有可能推动集成电路设计的最新发展并提供新的系统功能。今年的会议主题强调了当今的电路研究和开发如何为人们的健康、可持续性、互联互通和赋权做出贡献。今年，ISSCC 将专门设立电路和系统安全专题，由专门的安全小组委员会选择提交的内容。此外，过去四年来，ISSCC 的机器学习 (ML) 和人工智能 (AI) 相关提交量大幅增长，我们预计这一趋势将继续下去。ML 和 AI 相关的概念和发展现在已渗透到许多 ISSCC 小组委员会所涵盖的主题中。因此，今年 ML 和 AI 提交的内容将被重新吸收到其他几个核心小组委员会中，如下所示。我们已将机器学习和人工智能方面的专家添加到这些小组委员会中，以继续为这些主题提供专家评审。
神经形态计算简介
大脑依靠神经元和突触来存储、处理和检索信息。神经元和突触在同一空间内执行所有功能，避免了冯·诺依曼架构面临的数据传输问题。神经元通过离子电流传输电信号，并使用神经递质通过称为突触的小间隙与邻近神经元进行通信。突触具有一种称为突触可塑性的重要特性，此视频包含对突触可塑性的简单而深入的介绍及其重要性：https://www.youtube.com/watch?v=tfifTUYuAYU（Brains Explained，2014 年）。突触可塑性允许神经元调整与其他神经元的连接，从而允许大脑“重新编程”。神经形态计算应用这些原理来开发计算固态电路，这些电路在代表神经元的相同重复结构中存储和处理数据，这些结构通过代表突触的记忆保存连接进行通信（Indiveri，2013 年）。然而，模拟具有记忆的突触是一项艰巨的挑战。目前，神经形态计算的研究正在探索用有机和无机材料来代替神经形态电路中的突触。
合规证书
按照外壳（IP代码）IEC 60529提供的保护程度的标准。可接受性的条件1。固态电路和软件控件作为主要的安全保护，已评估为安全标准：自动电气控制 - 第1部分，UL 60730-1。对软件的任何更改和BMS的电子控制可能需要进行其他测试。2。产品用于电池系统型号Atrix-5，Atrix-10，Atrix-10，Atrix-15和Atrix-20，室内和室外使用，用于Suness-5，Suness-5，Suness-10，Suness-10，Suness-15和Suness-20，应为Atrix系列电池系统提供用于水湿环境的Atrix系列电池系统。在海上环境附近使用时，应考虑Atrix和Suness系列模型的进一步评估。3。可能需要进一步评估水分和盐雾的阻力，以便在施加水分和盐雾状况的最终产品中使用。4。腐蚀。5。蓝牙和Wi-Fi及其功能未评估，最终产品可能需要进一步考虑。6。设备申请地点：固定7。访问位置：操作员可访问。8。未评估安装。电池系统应根据NFPA 70或其他适用的安装代码安装。9。过压类别（OVC）：2 10。污染学位（PD）：2 11。操作高度：最多2000 m。
陶瓷
1。B。J. Kim，T。Nasir和J.-Y. choi，“石墨烯在低温下为将来的设备应用直接生长”，J。Korean Ceram。 SOC 55 [3] 203–223（2018）。 2。 Y。 M. Song等。 ，“具有节肢动物眼睛启发的设计的数码相机”，《自然》 497 [7447] 95-99（2013）。 3。 S。 E. Thompson和S. Parthasarathy，“摩尔定律：Si Microelectronics的未来”，Mater。 今天9 [6] 20–25（2006）。 4。 E。 POP，“纳米级设备中的能量耗散和运输”，Nano Res。 3 [3] 147–169（2010）。 5。 H。 F. Hamann等。 ，“热点限制的微处理器：直接温度和功率分布测量”，IEEE J.固态电路42 [1] 56-65（2007）。 6。 J。 Kim，J。Oh和H. Lee，“电动汽车电池热管理系统的审查”，Appl。 热。 eng。 149 192–212（2019）。 7。 S。 v Rotkin，V。Perebeinos，A。G. Petrov和P. Avouris，“碳纳米管电子中的热量耗散的基本机制”，Nano Lett。 9 [5] 1850–1855（2009）。 8。 C。 Faugeras，B。Faugeras，M。Orlita，M。Potemski，R。R。Nair和A. K. Geim，“ Corbino膜几何学中石墨烯的热导率”，ACS Nano 4 [4] 1889-1892（2010）（2010年）。 9。 W。 Cai等。 ，“通过化学蒸气沉积生长的悬浮和支撑的单层石墨烯中的热传输”，Nano Lett。J. Kim，T。Nasir和J.-Y.choi，“石墨烯在低温下为将来的设备应用直接生长”，J。Korean Ceram。SOC 55 [3] 203–223（2018）。2。Y。M. Song等。 ，“具有节肢动物眼睛启发的设计的数码相机”，《自然》 497 [7447] 95-99（2013）。 3。 S。 E. Thompson和S. Parthasarathy，“摩尔定律：Si Microelectronics的未来”，Mater。 今天9 [6] 20–25（2006）。 4。 E。 POP，“纳米级设备中的能量耗散和运输”，Nano Res。 3 [3] 147–169（2010）。 5。 H。 F. Hamann等。 ，“热点限制的微处理器：直接温度和功率分布测量”，IEEE J.固态电路42 [1] 56-65（2007）。 6。 J。 Kim，J。Oh和H. Lee，“电动汽车电池热管理系统的审查”，Appl。 热。 eng。 149 192–212（2019）。 7。 S。 v Rotkin，V。Perebeinos，A。G. Petrov和P. Avouris，“碳纳米管电子中的热量耗散的基本机制”，Nano Lett。 9 [5] 1850–1855（2009）。 8。 C。 Faugeras，B。Faugeras，M。Orlita，M。Potemski，R。R。Nair和A. K. Geim，“ Corbino膜几何学中石墨烯的热导率”，ACS Nano 4 [4] 1889-1892（2010）（2010年）。 9。 W。 Cai等。 ，“通过化学蒸气沉积生长的悬浮和支撑的单层石墨烯中的热传输”，Nano Lett。M. Song等。，“具有节肢动物眼睛启发的设计的数码相机”，《自然》 497 [7447] 95-99（2013）。3。S。E. Thompson和S. Parthasarathy，“摩尔定律：Si Microelectronics的未来”，Mater。今天9 [6] 20–25（2006）。4。E。POP，“纳米级设备中的能量耗散和运输”，Nano Res。3 [3] 147–169（2010）。5。H。F. Hamann等。，“热点限制的微处理器：直接温度和功率分布测量”，IEEE J.固态电路42 [1] 56-65（2007）。6。J。Kim，J。Oh和H. Lee，“电动汽车电池热管理系统的审查”，Appl。热。eng。149 192–212（2019）。7。S。v Rotkin，V。Perebeinos，A。G. Petrov和P. Avouris，“碳纳米管电子中的热量耗散的基本机制”，Nano Lett。9 [5] 1850–1855（2009）。8。C。Faugeras，B。Faugeras，M。Orlita，M。Potemski，R。R。Nair和A. K. Geim，“ Corbino膜几何学中石墨烯的热导率”，ACS Nano 4 [4] 1889-1892（2010）（2010年）。9。W。Cai等。 ，“通过化学蒸气沉积生长的悬浮和支撑的单层石墨烯中的热传输”，Nano Lett。Cai等。，“通过化学蒸气沉积生长的悬浮和支撑的单层石墨烯中的热传输”，Nano Lett。10 [5] 1645–1651（2010）。10。A。A. Balandin等。 ，“单层石墨烯的高热电导率”，Nano Lett。 8 [3] 902–907（2008）。 11。 C。 W. Chang等。 ，“同位素对硝酸硼纳米管的热导率的影响”，物理。 修订版A. Balandin等。，“单层石墨烯的高热电导率”，Nano Lett。8 [3] 902–907（2008）。11。C。W. Chang等。，“同位素对硝酸硼纳米管的热导率的影响”，物理。修订版