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利用多层单层图案化石墨烯进行 ZnO 微棒的选择性区域远程外延，用于可转移和灵活的器件制造
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l -DNA双链形成是基于核酸的表面图案中的生物正交信息通道
摘要：核酸的光刻原位合成可以使极高的寡核苷酸序列密度以及复杂的表面图案和合并的空间和分子信息编码。不再限于DNA合成，该技术允许在表面上完全控制化学和笛卡尔空间组织，这表明杂交模式可用于编码，显示或加密多种化学正交水平上的信息信息。永不超过跨杂交降低了可用的序列空间，并限制了信息密度。在这里，我们引入了一个与原位-DNA合成的表面图案中的其他完全独立的信息通道。镜像DNA双链形成的生物形成性在嵌合l-/ d-dna mi-croarrays上都进行了交叉杂交，还会导致酶促正交性，例如表面上的基于核酸酶的基于核酸酶的耐核酸酶DNA签名。我们展示了如何使用嵌合L-/ D -DNA杂交来创建内容丰富的表面模式，包括QR码，高度伪造的抗性真实性水标记以及在高密度D -DNA微阵列中的隐藏信息。
项目信息信息图案 - turkey-Organized-Istrial ...
1。土耳其在过去的十五年中的增长和收入融合速度一直是全球最引人注目的之一。预计这些成就将受到共同19大流行的严重影响。土耳其自2000年代初以来取得了值得称赞的经济和社会发展成果，升至世界第17大经济体并成为全球的存在。该国的年度国内生产总值（GDP）在2002年至2018年期间平均为5.7％。1人均国民收入总收入从2002年的3,560美元上涨至2018年的10,420美元，将土耳其筹集到了中等收入国家。2这些令人印象深刻的结果是由宏观经济稳定，金融部门的改革，与欧盟（EU）（EU）的更紧密的经济联系以及大部分经济从农业转变为制造业和服务的转变。在2020年，由于投资，私人消费和贸易的下降，土耳其的经济预计将因19％的冲击而签约3.8％。3当局对Covid-19的经济政策反应迅速而全面，优先考虑继续获得私营部门公司的财务和流动性支持，对弱势群体的税收减免以及对员工以及弱势个人和家庭的支持增加。4 2。土耳其在减少贫困和促进共同的繁荣方面取得了重大进展。在19日19日的背景下，家庭的福利将受到影响，在更脆弱和富裕的家庭中，失业是最高的。在2003年至2018年中，贫困率从37％下降到8.5％，基于中等收入国家/天的贫困线（2011 PPP）。5减贫的主要驱动力是经济增长，而不是收入再分配，而增长则转化为低收入人口的更多和更好的收入生成机会。大流行在该国造成了严重的经济破坏，就像世界其他大部分地区一样，影响就业和收入，并可能扭转了贫困的下降趋势。估计Covid-19的负面影响估计将贫困的发生率提高约4个百分点
比较氧化还原流量电池中碳布电极不同编织图案的物理和电化学特性
氧化还原电池（RFB）是一种适合能源密集型电网存储的新兴电化学技术，但需要进一步降低成本来进行广泛部署。通过改进组成部分的设计和工程来克服细胞性能限制，代表了降低系统成本的有希望的途径。特定相关性但在研究中有限的是多孔碳电极，其表面组成和微观结构会影响细胞行为的多个方面。在这里，我们系统地研究了基于相同碳纤维的编织碳布电极，但分为不同厚度的不同编织模式（普通的，8个小缎，2×2篮），以识别结构 - 功能关系和可推广的描述符。我们首先使用一套分析方法来评估电极的物理特性，以量化结构特征，可访问的表面积和渗透率。然后，我们研究诊断流细胞配置中的电化学性能，通过极化和阻抗分析来阐明电阻损失，并通过限制电流测量值估算传质系数。最后，我们结合了这些发现，以在相关的尺寸和无量纲数量之间发展幂定律关系，并计算广泛的传质系数。这些研究揭示了电极的物理形态与其电化学和氢气性能之间的细微关系 - 表明普通的编织模式提供了这些属性的最佳组合。[doi：10.1115/1.4046661]更普遍地，本研究提供了物理数据和实验见解，这些见解可支持使用编织材料平台开发专用电极。
由介质引起的高度有序的硅化物波纹图案……
我们研究了在近乎正常的 40 keV Ar + 溅射和同时进行的 Fe 斜向共沉积下硅表面的纳米图案化。离子束入射角保持在 15°，在没有金属掺入的情况下不会产生任何图案。通过原子力显微镜（其形态和电模式）、卢瑟福背散射光谱、X 射线光电子能谱、扫描俄歇以及透射和扫描电子显微镜进行形态和成分分析。最初，纳米点结构随机出现，随着离子通量的增加，它们逐渐沿与 Fe 通量垂直的方向排列。随着通量的增加，它们聚结在一起，形成波纹图案。随着与金属源的距离减小（即金属含量增加），图案动态和特性分别变得更快和增强。对于最高的金属通量，波纹会变得相当大（高达 18 μ m）且更直，缺陷很少，图案波长接近 500 nm，同时保持表面粗糙度接近 15 nm。此外，对于固定离子通量，图案顺序会随着金属通量而改善。相反，图案顺序随离子通量增加的增强率并不依赖于金属通量。我们的实验观察与 Bradley 模型的预测和假设一致 [RM Bradley，Phys。Rev. B 87，205408（2013）] 几项成分和形态研究表明，波纹图案也是成分图案，其中波纹峰具有更高的铁硅化物含量，这与模型一致。同样，波纹结构沿着垂直于 Fe 通量的方向发展，并且图案波长随着金属通量的减少而增加，其行为与模型预测在性质上一致。
聚合物纳米线的可逆掺杂和光图案化
掺杂剂诱导溶解度控制 (DISC) 聚合物半导体图案化技术的最新进展已使聚-3-己基噻吩 (P3HT) 的直接写入光学图案化成为可能，且分辨率达到衍射极限。在这里，我们将光学 DISC 图案化技术应用于最简单的电路元件——导线。我们展示了 P3HT 和掺杂有分子掺杂剂 2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷 (F4TCNQ) 导线的 P3HT 的光学图案化，尺寸为厚度 20-70 nm、宽度 200-900 nm 和长度 40 µ m。此外，我们还展示了“L”形弯曲和“T”形结等导线图案的光学图案化，而无需改变结处导线的直径或厚度。经过连续掺杂后，导线本身的电导率高达 0.034 S/cm。我们还证明了 P3HT 纳米线可以在溶液中掺杂、去掺杂和再掺杂，而不会改变导线的尺寸。光学图案化和可逆掺杂聚合物半导体的综合能力代表了一套完整的图案化步骤，相当于无机半导体的光刻技术。
薄膜光刻和图案化工艺
技术转让和工业接口部 (TTID)、PPG 空间应用中心 (SAC)、ISRO、Ambawadi Vistar、艾哈迈达巴德 - 380 015 电子邮箱：ttid@sac.isro.gov.in 传真：079-26915817 https://www.sac.gov.in/SAC_Industry_Portal
具有 5 纳米图案化能力的高抗蚀刻性含二茂铁嵌段共聚物
1.引言在摩尔定律的驱动下，半个多世纪以来半导体产业一直致力于缩小特征尺寸。最近，13.5 纳米极紫外光刻 (EUVL) 技术已经应用于 5 纳米节点 HVM。由于目前 0.33 NA 的限制，EUVL 无法分辨小于 13 纳米线/线距的特征。与 EUVL 相比，定向自组装 (DSA) 表现出高达 5 纳米 L/S 的极精细分辨率，被视为亚 10 纳米甚至亚 5 纳米特征尺寸的潜在图案化技术[1-9]。最近，含金属 EUV 光刻胶已被开发用于提高超薄 EUV 光刻胶膜的抗蚀刻性[10，11]。最近，我们的研究小组报道了一系列具有氟化嵌段的 BCP，经过中等温度下 1 分钟的热退火后迅速形成亚 5 纳米域[12，13]。我们假设氟化侧链对超精细分辨率和图案化速度起着关键作用。然而，由于薄膜超薄，抗蚀刻性是 5 纳米以下 DSA 材料的主要问题。