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二维材料范德华异质结光电探测器研究进展
图 3 掺杂调控 vdW 异质结理论研究典型成果（ a ）结构优化后的 C 、 N 空位及 B 、 C 、 P 、 S 原子掺杂 g-C 3 N 4 /WSe 2 异质结 的俯视图 [56] ；（ b ）图（ a ）中六种结构的能带结构图 [56] ；（ c ）掺杂的异质结模型图、本征 graphene/MoS 2 异质结的能带结 构及 F 掺杂 graphene/ MoS 2 异质结的能带结构 [57] ；（ d ） Nb 掺杂 MoS 2 原子结构的俯视图和侧视图以及 MoS 2 和 Nb 掺杂
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
博士。 A.森蒂尔
2.M. Arivanandhan 教授，安娜大学纳米科学与技术中心，钦奈 - 600 025。手机号码：7401182819，+91 44-22359114 电子邮件 ID：arivucz@gmail.com 3.N. VIJAYAN 教授，首席科学家兼副教授 (AcSIR)，BND 小组内部负责人，房间号42，主楼印度参考材料 (BND) 部门 CSIR-国家物理实验室新德里 - 110012。手机：09868389634/07292043343 电子邮件：nvijayan@nplindia.org vjnphy@gmail.com/vjnphy@yahoo.com 3.Dr.P.C.Jop Prapakar 系主任，T.B.M.L 学院，Porayar。Nagai(DT)。手机号码：9443986283 电子邮件 ID：jpc07@rediffmail.com
