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贾瓦哈拉尔·尼赫鲁
1917 年，当尼赫鲁得知受人尊敬的神智学家安妮·贝赞特被捕时，他决定加入全印度地方自治联盟，这是一个致力于在英帝国内部争取自治的组织。1919 年 4 月，英国军队向数千名手无寸铁的平民开火，因为他们抗议最近通过的允许不经审判拘留涉嫌政治对手的立法。阿姆利则大屠杀造成 379 名印度人被杀，一千多人受伤，这激怒了尼赫鲁，也更加坚定了他赢得印度独立的决心。在圣雄甘地领导的不合作运动 (1920-22) 期间，尼赫鲁因反对英国政府的活动首次入狱，在接下来的二十五年里，他总共在监狱里度过了九年。 1929 年，贾瓦哈拉尔当选印度国民大会党主席，这是他首次担任政治领导职务，他提倡印度脱离英国，完全独立，而不是成为自治领。英国在二战爆发时，未经印度领导人同意就宣布印度参与对德战争，作为回应，印度国民大会党议员于 1942 年 8 月 8 日通过了“退出印度”决议，要求印度脱离英国，获得政治自由，以换取对战争的支持。第二天，英国政府逮捕了包括尼赫鲁和甘地在内的所有印度国民大会党领导人。
迪耶瓦教授
传记 Di Ieva 教授于 2002 年获得医学学位，并于 2007 年在意大利获得神经外科专业学位。2007 年至 2009 年，他担任米兰的神经外科顾问，主要参与脑肿瘤和垂体肿瘤的治疗，与耳鼻喉科和颅颌面外科医生、肿瘤学家和放射肿瘤学家密切合作，并参与神经创伤的紧急处理。2009 年至 2011 年，他还在奥地利维也纳医科大学解剖学和细胞生物学中心担任研究员，并在那里获得临床神经科学博士学位（引入神经病理学和 MRI 的创新方法）。2012 年，他被任命为神经解剖学副教授，并多次受邀在意大利、奥地利、瑞士、德国、美国和阿联酋等多个国家教授神经创伤学和神经外科。 2014 年，Di Ieva 教授在多伦多大学圣迈克尔医院完成了为期 3 年的颅底外科临床和研究奖学金，在那里，他还获得了伽玛刀放射外科方面的进一步经验，并继续在加拿大安大略省最大的创伤中心之一进行急诊神经外科手术。他的多学科经验使他能够领导出版“颅底外科手册”（Thieme，纽约，2015 年），这是全球该领域使用最多的书籍之一。2015 年，Di Ieva 博士搬到悉尼，在那里他进一步从事普通神经外科和复杂脊柱外科工作（主要在麦考瑞大学医院、北岸私立医院和皇家北岸医院以及悉尼基督复临安息日会医院），并于 2017 年获得澳大利亚皇家外科学院的奖学金。他是麦考瑞神经外科和麦考瑞大学医院的全职顾问神经外科医师，也是麦考瑞大学的神经外科教授。临床专长 神经肿瘤学（中枢和周围神经系统肿瘤和癌症的外科和多学科治疗）；垂体和颅底手术（包括治疗影响脑神经和颅颈交界处的复杂肿瘤和疾病）；疼痛治疗（包括显微血管减压和经皮治疗颅面疼痛和面肌痉挛、周围神经减压、脊柱手术、神经调节）；显微神经外科、内窥镜和微创（“锁孔”）神经外科；清醒手术和神经监测；脑积水；神经创伤学，包括脑外伤和脊柱损伤以及脑震荡后患者的多学科管理。 学历
ETCS2020-Brochure.pdf - 瓦朗加尔
SREC 成立于 2002 年，提供各种工程和管理本科和研究生课程，其核心价值是创新、创造力和创业思维。为了在校园内建立创业产品开发文化，该学院将其他核心价值确定为跨学科学习、行业相关性和信息技术。它一直走在前列，每年为 3000 多名学生提供优质教育。该学院被 UGC 授予自治权，经 NAAC 认证，所有课程均经 NBA 认证。该学院已与多所国内外大学/学院合作，以提高教育标准并开展应用研究。为了在其核心价值观的基础上培育创新教育生态系统，该学院成立了创造性认知中心、科学技术创业巢、设计中心和社会创新合作实验室。该学院通过基础研究到技术演示等各个领域的大量项目获得了大量研究资金，这些项目由 DST、AICTE、UGC 和其他组织赞助，其中 20 个项目已完成，13 个项目正在进行中。该校拥有教育思想领袖、工程和管理学生、执业设计师和企业家，推动了创新生态系统。
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二维材料范德华异质结光电探测器研究进展
图 3 掺杂调控 vdW 异质结理论研究典型成果（ a ）结构优化后的 C 、 N 空位及 B 、 C 、 P 、 S 原子掺杂 g-C 3 N 4 /WSe 2 异质结 的俯视图 [56] ；（ b ）图（ a ）中六种结构的能带结构图 [56] ；（ c ）掺杂的异质结模型图、本征 graphene/MoS 2 异质结的能带结 构及 F 掺杂 graphene/ MoS 2 异质结的能带结构 [57] ；（ d ） Nb 掺杂 MoS 2 原子结构的俯视图和侧视图以及 MoS 2 和 Nb 掺杂
氮化镓高电子迁移率晶体管的物理失效分析技术研究进展
Figure 12.1540-MeV 209Bi ion irradiation 1.7 × 10 11 ions/cm 2 TEM images of AlGaN/GaN HEMT devices: (a) Gate region cross-section; (b) The orbital image of the heterojunction region shown in Figure (a); (c) The image shown in Figure (a) has a depth of approximately 500 nm; (d) Traces formed at the drain; (e) As shown in Figure (d), the trajectory appears at a depth of ap- proximately 500 nm [48] 图 12.1540-MeV 209Bi 离子辐照 1.7 × 10 11 ions/cm 2 的 AlGaN/GaN HEMT 器件的 TEM 图像： (a) 栅极区域截面； (b) 图 (a) 所示异质结区域轨道图 像； (c) 图 (a) 所示深度约 500 nm 图像； (d) 在漏极形成的痕迹； (e) 如图 (d) 所示，轨迹出现在深度约 500 nm 处 [48]
人工智能报告之机器学习Artificial Intelligence ...
图 2-2 GAN 发展脉络 ...................................................................................................................... 3