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半导体晶圆传输解决方案
Mar 11, 2024 — 沉阳新松半导体设备有限公司成立于2023年,是一家专注于半导体晶圆传输专用设备的研. 发、生产、销售与技术服务的高新技术企业。公司前身为新松机器人自动化股份有限 ...
平顶飞秒激光开槽硅晶圆工艺仿真与实验研究
[25] Shi K W，Yow K Y，LoC。单束和多光束激光槽过程参数开发和40 nm节点的模具特性 - k/ulk Wafer [C]∥2014IEEE 16th 16th Electronics包装技术会议（EPTC），2014年12月3日至5日，2014年12月3日，新加坡。纽约：IEEE出版社，2015：752-759。
信头
ALSEA 宣布首席执行官继任计划 墨西哥城，2025 年 1 月 13 日 — Alsea, SAB de CV (BMV: ALSEA*)“Alsea”是拉丁美洲和欧洲领先的快餐店 (QSR)、咖啡店和全方位服务餐厅运营商，该公司通知，Alsea 董事会已任命 Christian Gurría Dubernard 为公司下一任首席执行官。这一决定符合长期继任战略，该战略是经过全面有效的内部和外部选拔流程制定的。 Christian 将从 2025 年 7 月 1 日起接替 Armando Torrado Martínez 担任该职位，后者将在过渡期内协助他，之后再承担新的职责。管理机构将在整个过渡过程中为 Armando 和 Christian 提供支持。 Alsea 真诚感谢 Armando 在担任首席执行官近三年期间的奉献和辛勤工作，他以热情和承诺领导着公司。在他任职期间，公司在其运营区域实现了盈利性有机增长，并发展成为一个更加敏捷和充满活力的组织，推动了长期发展。 Christian Gurría Dubernard 为 Alsea 带来了超过 25 年的丰富而成功的专业经验。 1991 年，他在 Domino's Pizza 担任店内运营商，从此开始在公司工作，后来晋升为区域总监。 此后，他担任过公司各个部门的各种领导职务，包括墨西哥休闲餐饮总监、墨西哥星巴克总监，以及最近六年来法国和比荷卢三国地区的星巴克总监。 他的主要成就包括星巴克在墨西哥的发展，从 Av. Paseo de la Reforma 的第一家店开始，并在法国实施 Alsea 为星巴克的成功运营模式，重振该品牌在法国的增长。 Christian 将提供领导力、国际经验、管理跨学科团队的专业知识以及跨多个部门、品牌和市场的运营知识。他将带领 Alsea 进入盈利、增长、创新和共享价值创造的新阶段，专注于公司的核心业务支柱。在新的领导团队和市场领导战略愿景的支持下，Alsea 致力于保持盈利和效率。这种方法使公司能够成功应对未来挑战，并持续为股东、客户和员工创造价值。责任限制本新闻稿包含某些预测或预计，这些预测或预计反映了 Alsea 及其管理层对其业绩、业务和未来事件的当前看法或期望。Alsea 使用了诸如“相信”、“预期”、“计划”、“期望”、“打算”、“目标”、“估计”等词语，
数字转换圆
»内部研发活动。»购买被视为业务标准办公技术的设备或技术。»订阅的成本超过12个月。»技术的租赁/租赁。»一般咨询/咨询服务的费用。»组织培训，没有适当的专业知识和经验。»高等教育（包括TAFE或私立大学的证书级课程）。»顾问在没有适当专业知识的情况下进行的工作。»由该部门认为的第三方所做的工作不属于业务。»对任何法律诉讼的支持。»任何被视为“往常业务”或运营支出的费用（例如，工资，广告，办公费，会计，法律，IT维护服务，现有资产的维修和维护）。»交付项目或活动的内部费用（例如项目成本不能包括员工工资）。»实物贡献。»回顾性活动（已经签订了服务协议的活动，或者在提交申请之前发生了某些或全部支出）。»由其他联邦，州或地方政府资金资助或可能由其他联邦，州或地方政府资助的活动。»在西澳大利亚以外实施的活动。
晶圆粘结后的晶圆边缘平面化
使用Tencor的HRP-250来测量轮廓。使用了来自Cabot的SS12和来自AGC的CES-333F-2.5。在将晶片粘合到粘合之前（氧化物到氧化物和面对面），将顶部晶圆的边缘修剪（10毫米），并同时抛光新的斜角。这可以防止晶片边缘在磨/变薄后突破[1]。将晶圆粘合后，将散装硅研磨到大约。20 µm。之后，通过反应性离子蚀刻（RIE）将粘合晶片的剩余硅移到硅硅基（SOI） - 底物的掩埋氧化物层（盒子）上。另一个RIE过程卸下了2 µm的盒子。之后，粘合晶片的晶圆边缘处的台阶高为3 µm。随后沉积了200 nm的氮化物层，并使用光刻和RIE步骤来构建层。此外，罪被用作固定晶片的si层的固定。必须将设备晶圆边缘的剩余步骤平面化以进行进一步的标准处理。为此，将剩余的罪硬面膜（约180 nm）用作抛光止损层。在平面化之前，将4500 nm的Pe-Teos层沉积在罪恶上。这有助于填充晶圆的边缘。在第一种抛光方法中，将氧化物抛光至残留厚度约为。用SS12泥浆在罪过的500 nm。在这里，抛光是在晶片边缘没有压力的情况下进行的。然后将晶圆用CEO 2泥浆抛光到罪。用CEO 2浆料去除氧化物对罪有很高的选择性，并且抛光在罪恶层上停止。第一种抛光方法花费的时间太长，将氧化物层抛光至500 nm的目标厚度。此外，在抛光SIO 2直到停止层后，用SS12稍微抛光了罪。最后，高度选择性的首席执行官2 -lurry用于抛光罪。结果表明，步进高度很好，但是弹药范围很高（Wafer＃1）。第二种方法的抛光时间较小，并在500 nm上停在SIO 2上，而最终的抛光和首席执行官2 -slurry直至罪显示出良好的步进高度，并具有更好的罪恶晶圆范围（Wafer＃2）。
信头空白
AMIM-MLG-ZA 2024 年 5 月 15 日 备案备忘录 – 政策信函 #13 附录 主题：将 REAL ID 注册到 AIE 以进入西点军校 1.根据陆军“自动安装入口”(AIE) 计划，系统现在将授权使用 REAL ID 访问陆军设施。2.出示 REAL ID 的访客可将其 AIE 凭证直接放在其 REAL ID 中。3.这样就无需颁发 AIE 凭证。在门口扫描时，信息将返回，因为它们已注册，并且有效，就像它们出示实际的 AIE 凭证一样。4.本备忘录的联系人是访客控制中心出入控制官，电话：(845) 938-9691，或紧急服务局局长，电话：(845) 938-8131。TRAVIS E. ROBISON COL，FA 指挥官
