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航空母舰动载状态确定...
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嗜极菌作为农业小麦的生物肥料
传统上，农作物种植依赖于化学方法，这意味着严重的人为环境负荷和农田植物检疫条件差[6–8]。细菌植物生长促进法在俄罗斯农业中被称为生物化，是小麦种植中一个很有前途的方向，因为它充分利用了植物生长刺激细菌的潜力[9–11]。这些细菌及其代谢物提供生物肥料，增强根际生物源性，从而改善整个农业群落的生态条件。在适当的条件下，微生物会产生具有农业重要性的代谢物[12]。微生物及其代谢物分解复杂的土壤矿物质，将其转化为特定作物的生长促进剂。
EOP-012-1 – 极寒天气准备和行动
R2. 对于 [本要求生效日期] 之前投入商业运营的每台发电机组，发电机所有者应确保其发电机组根据需要添加新的防冻措施或修改现有的防冻措施，以使其能够在极端寒冷天气温度下运行至少一 (1) 小时。无法在极端寒冷天气温度下运行一 (1) 小时的发电机组应针对已发现的问题制定纠正行动计划 (CAP)，包括确定对要求 R3 要求的寒冷天气准备计划的任何必要修改。[违规风险因素：中等] [时间范围：长期规划、运营规划]
嵌入式底极V1.0草稿1规格
重音灯（彩色）：用于强调特定对象或表面特征的嵌入式定向倾斜，或吸引人们注意视场的一部分（改编自ANSI/IES LS LS-1-22：“重音照明”）。主动模式：将使用产品的能量连接到电源电源和主要产生功能的状态被激活。（改编自IEC 62301 Edition 2.0 2011-01）孔径尺寸：跌落灯逃脱跌落的点之间的最大距离。梁角度：以度为单位的角度，在两个相反的方向之间，其中平均强度为中心束强度的50％，在至少两个旋转平面中测量，彼此之间，彼此之间，围绕梁轴90°。（ANSI C78.379-2006）颜色渲染索引（CRI）：与光源照亮时颜色移位物体程度的度量相比，与被相同物体的参考源照亮的相同物体的颜色相比。（ANSI/IES LS-1-22）颜色可调节的倾斜：为了本规范的目的，颜色可调的倾斜具有功能，使最终用户可以更改倾斜生成的光的颜色外观，包括以下任何功能：
双极抑郁症患者的低剂量白介素-2
保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。（未经同行评审证明）是作者/资助者，他已授予Medrxiv的许可证，以永久显示预印本。此预印本版的版权持有人于2024年7月19日发布。 https://doi.org/10.1101/2024.07.19.24310686 doi：medrxiv preprint
单极 - 双极交叉状态的证据
域壁中的扭结（和反kinks）之间的弹性相互作用在塑造域结构及其动力学方面起着关键作用。在散装材料中，扭结作为弹性单孔相互作用，取决于壁之间的距离（d -1），通常以刚性和直域的结构为特征。在这项工作中，通过原位加热显微镜技术在独立样品上的原位加热显微镜技术研究了域结构的演变。随着样本量的减小，观察到显着转化：域壁表现出明显的曲率，并伴随着域壁和连接密度的增加。这种转换归因于扭结的明显影响，引起了样品翘曲，其中“偶极 - 偶极”相互作用是主导的（d -2）。此外，在实验上鉴定出单极和偶极方案之间描述单极和偶极方案之间的交叉的临界厚度范围，并通过原子模拟来证实。这些发现与原位研究和基于独立的铁罗薄膜和纳米材料的新设备的开发有关。
双极内存之间的可逆转换...
本文档是公认的手稿版本的已发表作品，该作品以ACS应用材料和接口的最终形式出现，版权所有©2020 American Chemical Society之后，在同行评审和发行商的技术编辑后。要访问最终编辑和发布的工作，请参见https://doi.org/10.1021/acsami.0c04872。
GaN 晶圆级 AuSn 焊料沉积
关键词：GaN、焊料、AuSn 焊料、溅射、共晶、芯片粘接摘要对于 GaN MMIC 芯片粘接，经常使用 80%Au20%Sn 共晶焊料。通常的做法是使用预制件 AuSn 将芯片粘接到 CuW 或其他一些基板上。在此过程中，操作员可能需要将预制件切割成芯片尺寸，然后对齐预制件、芯片和基板。由于操作员需要同时对齐三个微小部件（预制件、芯片和基板），因此这是一个具有挑战性的过程，可能需要返工。此外，预制件厚度为 1mil（在我们的例子中），这可能导致过量的焊料溢出，需要清理，因为它会妨碍其他片外组装。整个芯片粘接过程可能很耗时。在本文中，我们描述了一种在分离芯片之前在 GaN 晶圆上使用共晶成分溅射靶溅射沉积共晶 AuSn 的方法。它消除了预制件和芯片的对准，并且不会挤出多余的 AuSn。通过使用共晶溅射靶，它还可以简化靶材制造。下面给出了芯片粘接结果。引言宽带微波 GaN MMIC 功率放大器在国防和通信应用中具有重要意义。随着设备性能的提高，芯片粘接变得非常重要，因为它会极大地影响 MMIC 的热预算。80%Au/20%Sn 焊料已用于半导体应用超过 50 年，通常作为冲压预制件。然而，由于需要将 MMIC 芯片中的多个小块和焊料预制件对准到载体上，因此芯片粘接过程可能很繁琐且耗时。在芯片分离之前在整个晶圆上溅射沉积 AuSn 将大大简化芯片粘接过程。然而，溅射的 AuSn 成分对于正确的焊料回流至关重要。由于 Au 和 Sn 的溅射产率不同，AuSn 溅射靶材的化学性质和沉积的 AuSn 薄膜之间存在显著的成分变化 [参考文献 1]。下图 1 显示了 Au-Sn 相图。通过仔细控制溅射参数（功率、压力和氩气），我们能够从共晶成分溅射靶中沉积共晶 AuSn。制造共晶成分溅射靶要容易得多/便宜得多。