XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System场效应
通过原子级厚度 MoS 2 场效应晶体管的电测量进行尿酸检测的微流体方法
完整作者列表： Nasiruddin, Md；东北大学，化学 Waizumi, Hiroki；东北大学，化学系 Takaoka, Tsuyoshi；东北大学，先进材料多学科研究中心 Wang, Zhipeng；东北大学，化学 Sainoo, Yasuyuki；东北大学 - Katahira 校区，先进材料多学科研究中心 Mamun, Muhammad Shamim Al；库尔纳大学，化学 Ando, Atsushi；国家先进工业科学技术研究所，纳米电子研究所 FUKUYAMA, MAO；东北大学，先进材料多学科研究中心；Hibara, Akihide；东北大学，先进材料多学科研究中心 Komeda, Tadahiro；东北大学，先进材料多学科研究中心
基于单壁碳纳米管场效应晶体管的超灵敏 NO2 气体传感器：从 ppm 到 ppb 级的监测
这是一篇在接受后经过改进的文章的 PDF 文件，例如添加了封面和元数据，以及格式化以提高可读性，但它还不是最终的记录版本。此版本在以最终形式发布之前将经过额外的文字编辑、排版和审查，但我们提供此版本是为了让文章尽早可见。请注意，在制作过程中，可能会发现可能影响内容的错误，并且适用于期刊的所有法律免责声明均适用。
自由掺杂 La 的 HfO2 铁电体用于负电容
用于负电容场效应晶体管的缺氧无唤醒 La 掺杂 HfO2 铁电体的水性制备方法 / Pujar, Pavan；Cho, Haewon；Kim, Young-Hoon；Zagni, Nicolo；Oh, Jeonghyeon；Lee, Eunha；Gandla, Srinivas；Nukala, Pavan；Kim, Young-Min；Alam, Muhammad Ashraful；Kim, Sunkook。- 收录于：ACS NANO。- ISSN 1936-0851。- 17:19(2023)，第 19076-19086 页。[10.1021/acsnano.3c04983]
通过聚（2-乙基-2-恶唑啉）纳米纳米诱导的C60：C70共晶的N通道有机场效应晶体管的显着改善
在新兴互联网（IoT）设备生态系统中使用的巨大潜力，其中多个设备节点与云网络系统共享信息。[1-4]印刷有机电子可以使用新型的构造来实现电子功能的质量产生和整合。[5-10]特别是，有机场效应晶体管（OFET）被视为在物联网中心发现的综合逻辑电路中的关键电子元件。[11,12]具有低压操作（<5 V）的高性能OFET和电荷迁移率超出了无定形硅（0.5-1 cm 2 V –1 S –1）。[13–21]成功的商业化还需要在基板上的许多设备上进行空间均匀的设备性能，包括特征和环境稳定性的可重复性。通常，设备性能在很大程度上取决于材料正常和电极，介电和半导体之间的界面。已经报道了各种改善绩效的策略，例如通过有理分子设计开发新材料，通过热/溶剂退火和添加剂控制形态，形态学控制，用p-/n-掺杂剂和互面剂掺杂分子掺杂，以及界面
铝的电性能与厚度的关系
此外，铝还可用于制造薄膜晶体管 (TFT)、光电探测器、太阳能电池和许多其他设备 [3]。由于铝易于沉积、表面电阻低，并且能够引入背面场效应 (BSF)，从而最大限度地降低设备背面的载流子复合率，因此在太阳能电池制造中被广泛用作背接触 [4,5]。在太阳能电池中，铝触点的高反射特性可用作光捕获解决方案，其中低能光子将被倾斜反射回吸收层。这增加了设备中光（光子）的光路长度，从而提高了薄膜太阳能电池的吸收效率、光电流产生和量子效率，特别是在长波长区域 [6]。
用于柔性器件的具有阳极氧化和氟化 Al2O3 栅极绝缘体的氢化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管
金属半导体场效应晶体管，10 – 15 ) 等等。特别是 In – Ga – Zn – O (IGZO) 是柔性 TFT 有源通道的有希望的候选者，因为即使在室温下沉积，IGZO 也表现出超过 10 cm 2 V − 1 s − 1 的电子迁移率。16、17) 然而，IGZO TFT 通常需要在 300°C 左右进行热退火，以减少因各种类型的加工损坏而形成的缺陷。18 – 22) 我们小组报告说，通过 Ar + O 2 + H 2 溅射沉积的氢化 IGZO 薄膜非常有希望用于制造低于塑料基板软化温度的氧化物 TFT，以用于未来的柔性设备应用。通过低温（150°C）退火可以减少沉积态IGZO薄膜中产生的缺陷。15、23、24)场效应迁移率（μFE）为13.423)
聚合物混合离子 - ...
导电聚合物是混合的离子 - 电导导体，它们是新兴的神经形态计算，生物电子和热电学的候选者。然而，其多体相关的电子运输物理学的基本方面仍然很少理解。在这里我们表明，在P型有机电化学晶体管中，可以从价带中删除所有电子，甚至可以访问更深的频带而不会降解。通过添加第二个场效应的门电极，可以在集合掺杂状态下注入其他电子或孔。在反应响应现场诱导的电子载体密度变化的情况下，我们观察到令人惊讶的，非平衡的传输特征，这些特征可为相互作用驱动的驱动驱动的驱动式驱动的，柔软的coulomb间隙的形成提供独特的见解。我们的工作确定了通过利用电子电荷和柜台耦合系统中的非平衡状态来实质上增强导电性聚合物的运输特性的新策略。
通过氢等离子体辅助原子层沉积超薄氧化铝实现空间调制硅界面能量学
原子层沉积 (ALD) 已迅速成为半导体行业的重要工具，因为它可以在低温下提供高度保形、可精确调节的涂层，厚度控制在亚纳米级。因此，ALD 是一种将电介质集成到先进光电子器件中的强大方法，并且对于实现新兴的非平面电子设备至关重要。[1] 特别是，可以通过 ALD 在结构化表面上保形生长的非晶态氧化铝 (AlO x ) 广泛用于半导体技术的电介质和化学钝化、[2] 跨硅 (Si) 太阳能电池界面的载流子选择性电荷转移、[3] 非平面场效应晶体管中的栅极电介质、[4] 以及扩散屏障和保护涂层。[5] 当用作 Si 场效应钝化的表面涂层时，ALD AlO x 会引入