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World File Search System场效应
使用实验室（HAXPE）和飞行次级离子质谱（TOF-SIMS）
如今，“更多的摩尔”和“超过摩尔”设备体系结构已大大提高了新型材料的重要性，从而需要提供适当的表征和计量，以实现可靠的过程控制。 例如，在多通道场效应设备或升高来源中使用的SIGE或SIP化合物的引入导致需要确定所得膜的精确组成。 在这项工作中，已经使用主要无损haxpes和TOF-SIMS研究了二进制材料（例如SIP和SIGE）的定量。 的确，虽然使用RB的主要障碍是薄膜的表征，但具有适当定量功能（例如Atom探针断层扫描和传输电子显微镜）的技术既耗时又耗时，并且由于其高度局部的分析量而缺乏灵敏度。 对于定量表征，常规的X射线光电子光谱（XPS）是一个强大的工具。 然而，其低分析深度仍然是研究掩埋界面的主要限制因素，尤其是在本研究中，因为所获得的基于SI的层在环境条件下被氧化（或者应该受到一些纳米计的金属层保护）。 ，由于电子在二元材料表面的化学组成和SIO 2在层中的深入分布，因此使用了一种基于实验室的硬X射线源（HAXPE），这既要归功于层次的SIO 2的深度分布，这要归功于电子的非弹性平均自由路径随光子能量增加的增加（铬Kα，Hν= 5414.7 ev）[1] [1]。如今，“更多的摩尔”和“超过摩尔”设备体系结构已大大提高了新型材料的重要性，从而需要提供适当的表征和计量，以实现可靠的过程控制。例如，在多通道场效应设备或升高来源中使用的SIGE或SIP化合物的引入导致需要确定所得膜的精确组成。在这项工作中，已经使用主要无损haxpes和TOF-SIMS研究了二进制材料（例如SIP和SIGE）的定量。的确，虽然使用RB的主要障碍是薄膜的表征，但具有适当定量功能（例如Atom探针断层扫描和传输电子显微镜）的技术既耗时又耗时，并且由于其高度局部的分析量而缺乏灵敏度。对于定量表征，常规的X射线光电子光谱（XPS）是一个强大的工具。然而，其低分析深度仍然是研究掩埋界面的主要限制因素，尤其是在本研究中，因为所获得的基于SI的层在环境条件下被氧化（或者应该受到一些纳米计的金属层保护）。，由于电子在二元材料表面的化学组成和SIO 2在层中的深入分布，因此使用了一种基于实验室的硬X射线源（HAXPE），这既要归功于层次的SIO 2的深度分布，这要归功于电子的非弹性平均自由路径随光子能量增加的增加（铬Kα，Hν= 5414.7 ev）[1] [1]。确认通过HAXPES测量获得的感兴趣材料的组成并计算出适当的相对灵敏因子（RSF），相同的膜以TOF-SIMS为特征。但是，例如Haxpes，SIP/SIGE层的次级离子质谱法（SIMS）表征通常由于p/ge含量的电离产量的非线性变化而受到基质效应。通过分析参考样本，遵循MCS 2+辅助离子或使用完整的光谱协议[2]，可以通过分析参考样品来超越此限制。最后，计算了次级离子束的P和GE（Si）组成，并将其与X射线衍射确定的参考组成进行比较。还研究了测量值的可重复性和层氧化的影响。得出结论，通过将haxpes结果与TOF-SIM耦合，准确评估了层的深入组成和表面氧化物的厚度。
波浪能发电场的优化
要使波浪能实现商业可行性，大多数概念都要求将波浪能转换器部署在阵列、公园或农场中，如图 9.1 至 9.3 所示。这将降低电力子系统（例如电缆和带有变压器和其他电力电子设备的变电站）、系泊和地基、波浪测量仪器、维护和维修（船舶、起重机和更换部件）以及聘用具备所需专业知识的人员所需的基础设施成本。当波浪能转换器作为大型装置的一部分建造时，每个波浪能转换器的成本将会降低，而当设备安装在农场中时，单位海洋面积产生的能量将会增加。此外，可以在大多数波浪能转换器仍在运行的同时对少数波浪能转换器进行维护，这种冗余提高了所发电量的可靠性。根据波浪能转换器技术的不同，农场可以由几台设备到几百个部件组成。每个波浪能发电厂都会改变发电厂内外的波浪场，而产生的波浪场将是所有设备发出的所有散射波和辐射波的复杂叠加，这又会影响每个波浪能发电厂的动态。由于波浪会散射并沿所有水平方向传播，发电厂后方（入射波方向）的波浪能发电厂会影响背风区域的波浪能发电厂，使波浪发电厂的相互作用比风力发电厂的类似情况更为复杂。因此，要了解波浪发电厂的动态和性能以及发电厂外产生的波浪条件，必须充分了解流体动力学相互作用。由于这些将取决于许多参数，例如发电厂的布局、波浪能发电厂之间的间隔距离、系泊和 PTO 配置、波浪能发电厂的尺寸和特性、波浪条件和方向、水深测量等，因此问题的复杂性非常大，并且会随着相互作用设备的数量而增加。由于波浪发电厂的远场效应可能会影响波高和沉积物输送，对发电厂所在地的当地环境产生积极或消极的影响
NASA建议编号-TBD上的提交
晨星应用物理，有限责任公司提议研究一种生成潜在的胚胎电磁推进技术的方案。这是对：NASA创新的高级概念（NIAC），I阶段 - 附录编号：NNH15ZOA0001N-15NIAC-A1。Morningstar Energy Box是基于Godin和Roschin的Searl和俄罗斯装置的革命衍生物。改变游戏规则的技术能量盒与俄罗斯人的机械笼子相似，每个searl使用层压辊和带有铁磁液体储层的独特主环来增强电气和磁性性能。在早期实验测试中，该电磁设备在稳态旋转时损失了2至5磅的190磅。通过瞬态运动，重量变化下降了多达20至40磅。在最终的测试系列中，该设备意外地显示了14磅重量的减轻或稳态期间7.3％的损失；在短暂情况下发生了12％的损失。确定了一些可能的解释，其中一些解释可能属于可支持的技术证据或投机。这些努力包括：将角动量转换为线性动量，po的场效应，智障的E-M电势，cogravitation，物质波，重力波效应和通过“ N”维轴的猜测。随着可行性的额外范围，严重的需求需要进一步确定诱导重量变化的变化，这可能会影响未来的空间推进概念的综合。提出的活动将执行实验以重现此数据。一旦实现了我们的目标，就是使用设备的更改版本进行另外三个实验，我们认为这将更大程度地影响可能减轻重量的磁性涡度。执行此实验数据后，我们想识别或验证设备为什么减肥的原因。该活动的工作时间为90美元。
M.Tech学位课程和VLSI设计的课程和教学大纲
主题代码主题名称L-T-P CRORC 22101设备建模3-0-0 3模块1（13小时）半导体表面，理想的MOS结构，MOS设备，热平衡中的MOS设备，非理想的MOS：工作函数差异，氧化物中的电荷，氧化物，界面状态，界面状态，非理想的MOS，flate traptage thatbage，flattage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage coldection a MOS，电荷计算（计算），计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算电压，MOS作为电容器（2个端子设备），三个端子MOS，对阈值电压的影响。模块2（10小时）MOSFET（增强和耗尽的MOSFET），活动性，对当前特征，当前特征，亚刺孔摇摆，界面状态对子阈值的影响对子阈值的影响，排水电导和跨导电，源偏置的影响，源偏置和身体偏置对阈值电压和设备操作。模块3（6小时）缩放，短通道和狭窄的通道效应 - 高场效应。模块4（5小时）MOS晶体管在动态操作中，大信号建模，低频率和高频的小信号模型。模块5（8小时）SOI概念，PD SOI，FD SOI及其特征，SOI MOSFET，多门SOI MOSFET的阈值电压，替代MOS结构。参考：1。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。 2。 Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3. Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。 4。 Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。2。Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3.Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。4。Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。5。M.S.Tyagi，《半导体材料和设备简介》，John Wiley＆Sons，ISBN：9971-51-316-1。
电气工程选修课程
选修课程 必修课程安排* EEEE-221 清洁及可再生能源系统与能源 秋季 EEEE-321 能量转换 秋季 EEEE-485 机器人系统 秋季 EEEE-447 人工智能概论 秋季 应用选修课-UGRD/GRAD 交叉列出 EEEE-505/605 工程师现代光学 春季 EEEE-510/610 模拟电子设计 秋季 EEEE-517/617 微波电路设计 春季 EEEE-520/620 数字系统设计 秋季/春季 EEEE-521/621 计算机系统设计 秋季 EEEE-522/622 电力传输与配电 春季 EEEE-524-624 电力系统进展 春季 EEEE-529/629 天线理论 秋季 EEEE-530-630 生物医学仪器 春季 EEEE-531/631 生物医学传感器与换能器 I 秋季EEEE-532/632 基础电生理学 春季 EEEE-533/633 生物医学信号处理 春季 EEEE-536/636 生物机器人 / 控制论 春季 EEEE-546/646 电力电子学 春季 EEEE-547/647 人工智能探索 秋季 EEEE-579/679 模拟滤波器设计 秋季 EEEE-583/683 机电一体化 秋季 EEEE-585/685 机器人原理 秋季 EEEE-587/787 MEM 评估 春季 EEEE-592/692 通信网络 春季 EEEE-593/693 数字数据通信 春季 EEEE-594/694 无线通信的传感器阵列处理秋季 EEEE-595/695 工程师优化方法 秋季 研究生选修课 EEEE-661 现代控制理论 秋季 EEEE-663 实时嵌入式系统 秋季/春季 EEEE-664 实时与嵌入式系统性能工程 秋季/春季 EEEE-670 模式识别 春季 EEEE-678 数字信号处理 秋季 EEEE-710 高级电磁理论 春季 EEEE-711 高级载流子注入装置 春季 EEEE-712 高级场效应装置 春季 EEEE-713 固体物理 秋季 EEEE-715 光子集成电路 春季 EEEE-718 微波系统设计与特性 秋季 EEEE-720 数字系统设计高级课题 春季 EEEE-721 计算机系统设计高级课题 春季 EEEE-722 复杂数字系统 Veri.秋季 EEEE-726 混合信号 IC 设计 春季 EEEE-765 最优控制 春季 EEEE-779 数字图像处理 秋季 EEEE-781 图像和视频压缩 春季 EEEE-784 高级机器人技术 春季 EEEE-794 信息理论 春季 EEEE-797 无线通信 春季 EEEE-798 软件定义数字无线电通信 春季 * 可能会有变化
通过离子传输减缓实现室温卤化物钙钛矿场效应晶体管
该通道是通过电容耦合和在栅极电极上施加适当的偏压来实现的。然而，在传统 FET 架构中，卤化物钙钛矿在室温和低频（尤其是直流操作）下的电流调制具有挑战性，这主要是由于钙钛矿层的混合离子-电子特性。[2] 溶液处理的 FET 通常以累积模式工作，而传统的 Si 基晶体管则以反转模式工作，其中耗尽层将导电通道与半导体块体隔离。为了实现电流的栅极调制和累积模式下的大开关电流比，需要具有低离子浓度的钙钛矿层。在高离子浓度下，如图 1a 所示，无法形成累积通道，因为栅极场被移动离子屏蔽，如图 1b 所示。只有当栅极偏压足够大以至于离子无法完全屏蔽栅极场时，才能观察到场效应电流。因此，形成一个积累层，如图 1c 所示。溶液处理的钙钛矿中可移动离子的浓度估计为 10 25 m − 3 的数量级，[3,4] 导致表面电荷密度为几个 μ C cm − 2，例如甲基铵卤化铅的表面离子密度为 5 μ C cm − 2。[3] 当使用厚度为 200 nm 的典型 SiO 2 栅极电介质（相对介电常数，k = 3.9）时，如此大的密度需要施加大于 300 V 的栅极电压才能感应积累通道，但这是不切实际的，因为它会导致电介质击穿。因此，钙钛矿 FET 中的电流调制主要在低温下实现，此时离子电导率显著降低，或者在高频下使用脉冲模式操作，此时离子无法响应电场的快速变化。[5] 低温或高频操作严重限制了钙钛矿 FET 的实际应用。为了解决这些问题，人们尝试了材料改性，例如合成单晶微板、[6] 准二维纳米片 [7] 或多组分钙钛矿 [8,9]。然而，这些方法可能会损害高通量制造、可重复性或高效电荷传输。因此，减轻或补偿离子迁移率对于实现实用的钙钛矿基 FET 至关重要。在这里，我们建议使用能够诱导大表面电荷密度的介电材料，例如
德里大学网站的教职人员详细信息表格
• 2020-2021 财年 DUCC 技术咨询委员会成员，2020 年 9 月 24 日至 2021 年 9 月 23 日 • 德里大学南校区电话咨询委员会主席，2020 年 6 月 22 日至今 • 德里大学 Mata Sundri 学院管理委员会成员，2020 年 8 月 17 日至今 • 德里大学 Acharya Narendra Dev 学院管理委员会成员，2020 年 8 月 17 日至今 • 查谟大学电子学研究委员会成员，2018-2021 年 • 德里大学 DUCC 技术咨询委员会成员，2019 年至今 • 德里大学 B.Sc. (H) 电子学项目协调员，2006 年至今。 • 自 2006 年至今担任德里大学电子科学系 DRC 成员 • 自 2006 年至今担任德里大学电子科学系 BRS 成员 • 德里大学 B.Sc. (H) 仪器项目协调员，2006-2020。 • 教务长 - 德里大学南校区 Geetanjali 宿舍，2014 年 7 月 - 2020 年 1 月。 • 成员 - IEEE EDS 德里分会奖项和院士提名常务委员会，2015 年 2 月 - 2017 年 2 月。 • 采购委员会主席 - 德里大学南校区电子科学系，2013 年 2 月 - 2017 年 2 月。 • VC 提名人 - DRC，NSIT，Dwarka，新德里，2015 年 8 月 - 2016 年 7 月。 • VC 提名人 - DRC，IIC，UDSC，新德里-21，2014 年 1 月2016. • 德瓦尔卡 Netaji Subhas 理工学院 (NSIT) 总理事会成员，2014 年 2 月 - 2016 年。 • Rajkumari Amrit Kaur 护理学院管理委员会成员，2014 年 4 月 - 2016 年 4 月。 • 希萨尔 Guru Jambheshwar 科技大学电子与通信工程系研究委员会外部专家，2014 年 4 月 - 2016 年 4 月。 • 索尼帕特 Bhagat Phool Singh Mahila Vishvidyalaya 电子与通信工程系研究委员会外部专家，2014 年 1 月 - 2016 年 1 月。 • 新德里 Kalkaji Deshbandhu 学院管理委员会成员兼财务主管，2013 年 9 月 - 2016。 • 就业协调员，德里大学电子科学系，南校区，2003-2014。 • 学术和就业协调员，信息学与通信学院（信息学部），UDSC，印度，1999 年 3 月 - 2002 年 9 月。 兴趣/专业领域 亚微米和深亚微米场效应器件的建模和特性。这包括 Si MOSFET、隧道 FET、MESFET、GaAs MESFET、无结晶体管和 AlGaN/GaN 和 GaAs/InP HEMT
![arxiv：2501.13026v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年1月22日](/simg/g:\will\search\icon\source\b\bed151e8b46660dc4b0af7aa755c9f95e7d9698e.webp)
arxiv：2501.13026v1 [cond-mat.mtrl-sci] 2025年1月22日
自2005年发现石墨烯以来，相互作用的2D电子系统中特殊地面的形成引起了人们的关注[1]。除了磁有序外，还报告了有关最近实验中的电荷顺序和与Mott阶段配对的报道[2-4]。在WSE 2 /WS 2层[5，6]和α -rucl 3 [3，4]中的最新实验中，我们分析了在双层激子中存在莫特相的条件，并且在量子和热波动方面的稳定性及其稳定性。氯化氯化物α-相（α -rucl 3）是一种具有强旋轨耦合的分层化合物，以其有趣的电子特性而闻名，尤其是其在量子材料中的潜在使用和自旋液体相[7-12]。其电子结构受RU 4 d轨道和晶体场效应的影响。α相具有强旋轨耦合的特征，该耦合表现出多轨蜂窝状莫特绝缘阶段[3，7，13-19]。对于相关电子系统的研究，此阶段特别有趣。已经对α -rucl 3的蜂窝晶格的电子结构的作用进行了广泛研究，使用光发光表格[14]，拉曼散射[20-22]，光发射光谱[23]，THZ光谱[24，25]，x-雷雷镜[26] intrastry sptription [26] intrastry Sptiptrys [26] [27]。尽管Mott Gap的大小正在争论中，但在实验研究中已经证明了Mott绝缘子在α -RUCL 3中的存在[13，17，21，23]。Qiu等。 参考文献中报告。 1。Qiu等。参考文献中报告。1。调查Mott绝缘子的核心任务之一应解决带电颗粒分布的刚度。这在很大程度上取决于间隙的大小相对于跳跃速率以及材料的化学掺杂。通过化学掺杂Mott绝缘子来调整材料特性是非常具有挑战性的。具有示例性莫特绝缘子的有前途的候选者是α -rucl 3，顶层的石墨烯是α -rucl 3。而α -rucl 3带有孔，而额外的石墨烯片充当电子储层。[3]如何量身定制由石墨烯和α -rucl 3组成的范德华异构结构等电子结构。该材料的示意图如图然后，石墨烯层的电子和α -rucl 3层中的孔会受到有吸引力的层间相互作用，从而导致激子的形成[28]。在此设置中，激子的密度通过电子的密度控制，后者通过连接到石墨烯片的电栅极调节[3]。栅极电压诱导激子气体的有效化学电位µ。与化学掺杂相反，来自石墨烯的掺杂提供了连续的可调节性，并且不会引入不希望的晶格失真。分别对电子和孔的内部排斥可以产生电荷密度波或广义的Wigner晶体[29]。电荷顺序也可能是由电子 - 波相互作用引起的[30]。基于自一致的Hartree-fock或连贯的电位近似[31]的最新计算表明，如果对材料的特定细节计算自我能量，则复杂的自我能量可以描述实验结果的合理近似来描述实验结果。不参考特定的显微镜机制，这是对双重
克里斯蒂娜·切尔托阿杰
6 Barseghyan, MG；Mughnetsyan, VN；Perez,；Kirakosyan, AA；Laroze, D 杂质对强 THz 激光场下 GaAs/Ga1-xAlxAs 量子环中 Aharonov-Bohm 振荡和带内吸收的影响 PHYSICA E-低维系统与纳米结构 卷：111 页：91-97 出版日期：2019 年 7 月，DOI：10.1016/j.physe.2019.03.003 WOS：000465001500012 7 Chakraborty, Tapash；Manaselyan, Aram； Barseghyan, Manuk，在 ZnO 界面处点环纳米结构中电子电荷和自旋分布的有效调整，PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES 卷：99 页数：63-66 出版日期：2018 年 5 月，DOI：10.1016/j.physe.2018.01.013，WOS：000428346500009 8 Baghramyan, Henrikh M.；Barseghyan, Manuk G.；Kirakosyan, Albert A.； Ojeda, Judith H., (Bragard, Jean, Laroze, David 通过太赫兹激光场对双量子环各向异性特性的建模，SCIENTIFIC REPORTS 卷：8 文章编号：6145 出版日期：2018 年 4 月 18 日，DOI：10.1038/s41598-018-24494-w，WOS：000430279300003 9 Chakraborty, Tapash；Manaselyan, Aram；Barseghyan, Manuk；Laroze, David 单量子环中电子态的可控连续演化 PHYSICAL REVIEW B 卷：97 期：4 文章编号：041304 出版日期：2018 年 1 月 31 日，DOI：10.1103/PhysRevB.97.041304， WOS:000423656600001 10 Baghramyan, Henrikh M.; Barseghyan, Manuk G.; Laroze, David 强太赫兹辐射下横向耦合量子环的分子光谱 SCIENTIFIC REPORTS 卷：7 文章编号：10485 出版日期：2017 年 9 月 5 日，DOI：10.1038/s41598-017-10877-y，WOS:000409309300073 11 Chakraborty, Tapash；Manaselyan, Aram；Barseghyan, Manuk ZnO 界面处人造原子的相互作用驱动的独特电子态 JOURNAL OF PHYSICS-Condensed MATTER 卷：29 期：21 文章编号：215301 出版日期：2017 年 6 月 1 日，DOI： 10.1088/1361-648X/aa6b97，WOS：000400092400001 12 查克拉博蒂，塔帕什；马纳塞良，阿兰； Barseghyan，Manuk，ZnO 量子环中相互作用电子的不规则阿哈罗诺夫-玻姆效应《凝聚态物理学杂志》卷：29 期：7 文章编号：075605 发布时间：2 月 22 日，DOI：10.1088/1361-648X/aa5168， WOS：000391964700003 13 Barseghyan，MG；基拉科相，AA； Laroze, D., 激光驱动的二维量子点和量子环中的带内光学跃迁光通信卷：383 页：571-576 出版日期：2017 年 1 月 15 日，DOI：10.1016/j.optcom.2016.09.037，WOS：000386870700088 14 Laroze, D.; Barseghyan, M.; Radu, A.; (Kirakosyan, AA 二维量子点和量子环中的激光驱动杂质态 PHYSICA B-CONDENSED MATTER 卷：501 页：1-4 出版日期：2016 年 11 月 15 日，DOI：10.1016/j.physb.2016.08.008，WOS：000386815500001 15 Barseghyan, MG，单个量子环中的带内光吸收：静水压力和强激光场效应 OPTICS COMMUNICATIONS 卷：379 页：41-44 出版日期: 2016年11月15日 DOI: 10.1016/j.optcom.2016.05.065, WOS:000378770600008 7 Manaila-Maximean, D.; Cirtoaje，C.；达尼拉，O.； Donescu，D.新型胶体系统：磁铁矿-
Flash 架构
以及信息科学与应用国际会议 (ICISA) ⋅ 工程学院模拟与混合信号设计与测试中心委员会成员 ⋅ IEEE 微波理论与技术学报、IEEE 电子器件学报和 IEEE 固态电路杂志的技术审稿人 精选出版物 ⋅ S. Hamedi-Hagh、MY Siddiqui、M. Singh 和 S. Ardalan，“具有恒定回波损耗的低压数字控制 4GHz 可变增益放大器，”微电子选定领域杂志，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh 和 D.-H. Park，“纳米线晶体管在驱动纳米线 LED 中的应用，”电气电子材料学报，第 13 卷，第 2 期，第 73-77 页，2012 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、M. Tabesh、S. Oh、NJ Park 和 D.-H. Park，“用于近场通信的 UHF CMOS 前端设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 6 卷，第 6 期，第 817-823 页，2011 年。⋅ Bindal, D. Wickramaratne 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术实现直接序列扩频基带发射器”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。⋅ Bindal, T. Ogura、N. Ogura 和 S. Hamedi-Hagh，“用于实现带扫描链的现场可编程门阵列架构的硅纳米线晶体管”，纳米电子学和光电子学杂志，第 5 卷，第 1 期，第 1-12 页，2010 年。 4，第 342-352 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh、JC Chung、S. Oh、NJ Park 和 DH Park，“用于 GPS 通信系统的高性能贴片天线的设计”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 342-352 卷。 4，第 2 期，282-286 页，2009 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“下一代纳米线放大器的设计和特性”，《VLSI 设计杂志》，文章 ID 190315，2008 年。⋅ JC Chung 和 S. Hamedi-Hagh，“单芯片通信系统的 PCB 匹配电感器和天线的设计”，《国际微波科学与技术杂志》，文章 ID 287627，2008 年。⋅ Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“使用完全耗尽周围栅极晶体管的纳米线 CMOS 放大器的特性”，《纳米电子学与光电子学杂志》，第 4 卷，第 2 期，第 282-286 页，2009 年。 ⋅ S. Hamedi-Hagh、S. Oh、A. Bindal 和 DH Park，“使用纳米线 FET 设计下一代放大器”，电气工程与技术杂志，KIEE，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。⋅ S. Hamedi-Hagh 和 A. Bindal，“用于高速模拟集成电路的硅纳米线场效应晶体管的 SPICE 建模”，IEEE Transactions on Sotoudeh Hamedi-Hagh 第 3/6 页纳米技术，第 7 卷，第 766-775 页，2008 年。⋅ Bindal、S. Hamedi-Hagh 和 T. Ogura，“用于现场可编程门阵列架构应用的硅纳米线技术”，纳米电子学与光电子学杂志，第 3 卷，第 4 期，第 566-570 页，2008 年。 3，第 2 期，第 1-9 页，2008 年。 ⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线晶体管及其在未来 VLSI 中的应用：16×16 SRAM 的探索性设计研究”，纳米电子学和光电子学杂志，第 2 卷，第 294-303 页，2007 年。⋅ Bindal、A. Naresh、P. Yuan、KK Nguyen 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计双功函数 CMOS 晶体管和电路”，IEEE 纳米技术学报，第 6 卷，第 291-302 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“利用硅纳米线技术设计新型脉冲神经元”，纳米技术杂志（物理研究所），第 2 卷，第 301-302 页，2007 年。 18，第 1-12 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“关于节能硅纳米线动态 NMOSFET/PMESFET 逻辑的探索性研究”，IEE 科学、测量和技术会议录，第 1 卷，第 121-130 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“使用硅纳米线技术实现交叉开关架构的静态 NMOS 电路”，半导体、科学和技术杂志（物理研究所），第 22 卷，第 54-64 页，2007 年。⋅ Bindal 和 S. Hamedi-Hagh，“硅纳米线技术对单功函数 CMOS 晶体管和电路设计的影响”，纳米技术杂志（物理研究所），第 17 卷，第 4340-4351 页，2006 年。