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World File Search System垂直区域
夏普提升从大厅到礼堂的电影观众体验案例研究
因此，夏普总部在其简报中心内设置了一个数字影院小插图——一个 6,000 平方英尺的空间，分为 10 个专用舞台区域，用于每个主要垂直区域——向影院所有者和运营商展示如何采用最新的数字技术来帮助人们离开沙发，走进电影院。
DNA G-四链体是一种转录控制设备，可调节存储器
取决于基因表达的协调变化，特别是在内侧前额叶皮层的垂直区域（ILPFC； Martin等，2000； Bruel-Jungerman等，2007； Alberini，2009）。近年来，我们和其他人表明，此过程涉及转录机械和表观基因组机制之间的严格控制相互作用（Campbell和Wood，2019年）。DNA在细胞中比RNA，蛋白质或脂质更为持久，因此其调节的机制是理解行为适应的关键（Marshall和Bredy，2016年）。尽管长期以来与神经元的可塑性和记忆长期以来一直与DNA和组蛋白的修饰有关（Vanyushin，2006; Bredy等，2007; Vecsey等，2007; Wei等，2012;Grä虫，2014; li et al。这是因为DNA结构和功能之间的关系主要归因于右手双螺旋，
可伸缩2D纳米电子的结晶绝缘子-IUE
在半个多世纪的时间里，微电子学是由摩尔定律驱动的，摩尔的定律预测每18个月的整合密度将增加一倍，从而指数增长，这对于经济和绩效原因非常有益。根据IRDS [1]的规模，尽管摩尔法律已经结束，但在未来十年中，尽管摩尔的法律已经结束。然而，必须克服许多挑战，其中许多与材料缩放达到原子维度的事实有关，尤其是在垂直区域中。例如，硅的迁移率开始恶化在5 nm以下[2]，这对于其他3D材料可以预期。因此，IRDS将分层的2D半导体列为2028年以后超级FET和内存设备的有前途的选择。符合这些要求，有几个组报告了石墨烯[3]，硅[4]，黑磷[5]和过渡金属二北卡尔科氏菌[6,7]表现出极好的晶体管特征。研究工作主要集中在寻找具有最高迁移率和体面的带镜头的最佳渠道材料上。此外，已经进行了MOS 2 FET的电路集成尝试[8]。然而，2D FET还需要合适的绝缘体来将控制门与通道分开，该通道应该是可扩展的，并且理想地与2D半导体一起搭配，就像SIO 2一样，与Sio 2一起使用。缺乏这些绝缘子使得完全利用2D电子设备的预先定价性能潜力是复杂的，尽管