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“五月”，“应该”，“预期”，“意志”，“目标”，“潜在”，“继续”，“ IS/可能是/可能”和类似的陈述
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垂直的经济原理
背景当前的监管计划，尤其是与新兴的数字市场/服务法案相关联，其中1似乎是基于以下前提：由于一些充当看门人的大型在线平台，数字市场是不平衡的。数字平台上的政策对话通常围绕着垂直集成并充当“参考和玩家”的关注。政策制定者正在仔细检查与垂直整合较少集成的公司在竞争中运行的平台形式相关的激励措施和行为，这些公司购买了输入（例如，中介服务）来自平台。垂直整合是整个经济体相对广泛的实践，无论是在“数字”和“传统”领域。随着数字化转型的出现，各个行业的许多公司都不明白其规模或市场的突出性，试图在其产品中添加软件和/或服务或开发合作伙伴关系，以确保采用协调的方法来提供最佳的最终用户体验。当公司选择投资和进入其供应商服务的市场时（向上，即背面集成）或在其产出/客户市场中（向下，即向前集成），它正在为经济带来额外的竞争，这是一种明显的竞争力。不同的公司和价值连锁店对竞争分析具有不同的影响。正如竞争经济学理论和实践所证明的那样，垂直整合策略不仅与竞争的伤害有关，而且与效率和消费者的利益有关。实际上，在涉及市场和监管设计的案件中，竞争和监管机构通常会考虑和评估这些积极方面。事前评估发现，由于这些效率，对垂直合并和收购的支持在其市场和消费者结果方面都很有利。尽管如此，在竞争执行中，必须在案例评估中考虑事实和影响的优点。总而言之，不能减少垂直整合以选择插条或理论问题 - 在实践中研究它是有价值的。这对于当今自由市场经济体中价值和消费者福利成果具有重要意义的广泛现象。这项研究的目的是阐明垂直整合的经济原理。这是定义某些数字玩家的业务模型的关键方面。反过来，这与有关与垂直集成业务的运营相关的各个方面的案件的重要政策对话有关。垂直集成是效率公司的来源，可以垂直地集成其价值链的不同方向，即向后和/或for。他们可以通过（有机地）建立自己的新资产或通过收购来做到这一点，从而跨越价值链的不同长度。我们观察到活跃于数字部门的公司采取的垂直策略的异质组合。既集成式，又是非集成的玩家共存，并且在价值链的各个级别上都激烈竞争。垂直整合不仅仅是黑白决策，因为它可以涉及许多涉及各种整合程度的中间安排，例如垂直整合的混合形式，包括平台 /生态系统策略。悠久的经济理论线发现，企业可以追求垂直整合。在这样做的过程中，它们促进了多种经济效率和消费者的福利，例如降低价格和以相同价格的产品和产品质量和经验。我们有
绝缘亚铁磁性和垂直的出现......
图 1(a) 显示了使用脉冲激光沉积 (PLD) 的 LSMIO 薄膜顺序双靶沉积过程的示意图。在生长过程中，LSMO 和 SIO 靶材会周期性地反复旋转。在每次重复中，都会沉积亚单层 0.3 晶胞 (uc) LSMO 和 0.2 uc SIO，确保两个陶瓷靶材在原子尺度上均匀混合。LSMIO 薄膜的标称化学计量为 La 0.4 Sr 0.6 Mn 0.6 Ir 0.4 O 3 。LSMIO 薄膜的晶体取向可以通过改变基底取向来控制。如图 1(b) 所示，通过 X 射线衍射 (XRD) 2 θ-θ 扫描表征晶体结构。LSMIO 薄膜的峰已被标记，位于 SrTiO 3 (STO) 基底的左侧。该结果表明薄膜被轻微压缩（<0.1%）并且为不含杂质相的高质量单晶。为了进一步表征界面质量和结构均匀性，对 (001) 取向的 LSMIO 薄膜进行了扫描透射电子显微镜 (STEM) 测量，如图 1（c）-1（h）所示。图 1（c）中 LSMIO 和 STO 基板之间的鲜明对比，结合图 1（d）中 LSMIO 薄膜的高角度环形暗场 (HAADF) STEM 图像，表明薄膜具有较高的结晶质量。图 1（e）-（h）显示了 La、Sr、Mn 和 Ir 元素相应的能量色散 X 射线谱 (EDS) 映射。所有测量的元素在复合薄膜中都以原子级均匀分布，没有可观察到的聚集区域。
电池操作垂直的设计和开发...
Nikhlesh Kumar Verma和VM Victor Doi博士：https：//doi.org/10.33545/2618060x.2024.v7.i9b.1456在印度，帕迪和小麦摘要是主要的作物，是该国的主要作物，在耕种中排名第一，在Paddy和Wheat中排名第一。减少的农业劳动力从2011-12的54.6％下降到2021 - 22年的45.5％，构成了巨大的挑战，尤其是在劳动收获季节。收获农作物是需要大量劳动的重要农业运作，在收获季节，劳动力的可用性和成本构成了严重的挑战。劳动力短缺和不可预测的天气条件可能会给农民带来巨大损失。因此，采用机械方法来确保及时收获操作至关重要。近年来，机械收集设备的使用增加了。但是，诸如联合收割机之类的机器非常昂贵，这对于大多数小型和边缘农民来说都是无法承受的。尽管已经开发了一些手动操作的收割机，但由于手动功率的局限性，它们尚未获得流行，例如在运输机器运输机器方面的切割和运送农作物和困难。组合收割机也用于此目的，但这些机器消耗柴油燃料。化石燃料的价格每天都在远足。因此，为了确保开发出高效且及时的收获操作行走，在类型的电池供电式收割机后面行走，这在构造，低维护且易于维护方面非常简单。电池带有电池的收割机的重量为121千克。本研究涉及针对小型和边缘农民量身定制的经济高效且环保收获解决方案的需求。开发了一个自旋转的电池供电的收割机，以弥合手动镰刀和昂贵的机械收割机之间的缝隙。这个收割机由900 W DC电动机和四个55 AH，12V电池供电，旨在有效地切割和传达稻田和小麦作物。收割机的主组件包括切割机刀片，电池，直流电机，链条传送带，地面轮，手柄和变速箱系统。它能够将四排稻谷和小麦作物相距22.5厘米。关键字：直流电动机，电池，锯齿状类型切割器刀片，在类型后面步行和收获引言农业是食物的主要来源，是印度广大人口的唯一职业。它确保粮食安全并满足预计到2050年的人口的饮食需求。农业对印度的经济至关重要，占劳动力的54.6％，占2021 - 22年印度GVA的18.6％（匿名，2021年）。印度是全球最大的粮食生产商之一，由多样化的农业部门和有利的气候支持。主要食品谷物包括大米，小麦，玉米，小米（高粱和珍珠小米）和豆类（鹰嘴豆，小扁豆和豆类）。大米和小麦约占全球卡路里摄入量的30％，这对于全球数十亿美元至关重要。这些主食从远古时代开始耕种，在许多饮食中至关重要。印度仅在中国之后才在大米生产中占据第二名。大米主要在亚洲，非洲和拉丁美洲生长，而小麦主要种植在北美，南欧和澳大利亚。小麦对不同气候的适应性使其成为最通用的谷物谷物，而大米是许多发展中国家的主要和最便宜的碳水化合物来源。由于人口增长，全球大米和小麦的消费量正在增加，因此需要增加生产和技术进步。印度也是小麦的第二大生产国，占2020年全球总产量的14.14％。
朝着高性能完全垂直的硅硅销二极管
在过去的二十年中，Gan Hemts（高电子迁移率晶体管）已证明其超过硅电源器件限制的高潜力。然而，基于GAN的侧向下摆遭受了几个突出的问题，例如电子捕获和相关的设备可靠性，这是由于闸门边缘处的尖峰电场以及没有雪崩效应。此外，较高的击穿电压需要增加门才能排出距离，从而导致不需要的大设备尺寸。这就是为什么垂直GAN Power设备越来越引起人们的兴趣和社区的强烈努力的原因。的确，高击穿电压，雪崩能力，具有高电流扩展的电场管理和小型设备足迹是垂直电源设备的一些主要优势。如果在硅底物上生长，则可以大大降低整体成本。在这项工作中，我们演示了具有高性能和线性击穿电压缩放的准垂直gan-on-si销钉二极管，并具有漂移层的厚度。完全垂直销钉二极管也被制造出了相似的崩溃场，甚至可能降低了反抗性的罗恩。
在拓扑上绝缘的MOS2的纳米带中的子带中的1 t - 相位
连续的小型化将硅技术的特征大小降低到纳米尺度，在此尺寸不太尺寸的降低不足以提高性能。使用具有先进特性的新材料已成为必须满足降低功率以提高性能的需求。拓扑绝缘子具有高电导性拓扑保护的边缘状态，对散射不敏感，因此适用于节能的高速设备。在这里，我们通过采用有效的kbh phamiltonian来评估1T'钼二硫化物的狭窄纳米带中的子带结构。高电导性拓扑保护的边缘模式，其能量位于散装带隙内的在与传统电子和孔子带相等的基础上进行了研究。 由于边缘模式在相对侧之间的相互作用，线性光谱中的一个小间隙在狭窄的纳米孔中打开。 与垂直的平面电场相比，该差距与垂直的纳米替宾的行为相比，与垂直的平面电场急剧增加。 传统电子和孔子带之间的间隙也随垂直电场而增加。 两个间隙的增加导致弹道纳米托电导和电流的迅速减少，该电场可用于设计二硫化钼纳米吡啶基的电流开关。在与传统电子和孔子带相等的基础上进行了研究。由于边缘模式在相对侧之间的相互作用，线性光谱中的一个小间隙在狭窄的纳米孔中打开。与垂直的平面电场相比，该差距与垂直的纳米替宾的行为相比，与垂直的平面电场急剧增加。传统电子和孔子带之间的间隙也随垂直电场而增加。两个间隙的增加导致弹道纳米托电导和电流的迅速减少，该电场可用于设计二硫化钼纳米吡啶基的电流开关。
资助机会通知公共无线供应链创新基金（PWSCIF）赠款计划NOFO 3 - 行业垂直的软件解决方案
1.2。计划概述创新基金旨在促进全球电信生态系统的竞争和创新，消费者和网络运营商的成本较低，并加强5G和连续无线技术供应链。该计划的目标包括为创新公司，尤其是中小企业的创新公司解锁机会，以在历史上以少数供应商为主的市场竞争，其中一些供应商具有很高的安全风险。开放和可互操作的无线网络比传统的，封闭的网络提供了许多好处，并将降低新兴公司和新兴公司的入境障碍。使用开放和可互操作的无线网络允许操作员通过混合和匹配网络组件来为其特定需求采购最佳解决方案，而不是从单个供应商那里采购专有的端到端解决方案。开放和可互操作的网络还可以通过增加5G和继任无线电访问网络（RAN）供应商之间的竞争来降低消费者和网络运营商的成本，从而导致快速创新和/或潜在的降低资本支出和运营支出。这种增加的竞争也将推动创新，从而导致新的和改进的运行功能的发展。最终，转向开放网络刺激的竞争增加将增强全球电信设备市场的韧性，并增强5G和连续无线技术供应链安全性。根据FY21 NDAA，创新基金促进通过以下法定目标采用开放和可互操作的无线网络：1
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。