本文概述了规划作为一种认知功能的工程和神经科学模型。目的是呈现工程和神经科学中现有的规划模型,作为实现类脑人工智能规划功能的参考。根据调查结果,我们还将从挑战和架构的角度提出类脑人工智能下一步的研究和开发应该做的事情。 预计将来会根据本文提出具体的研究要求。 规划是通用智能的一项重要认知功能,因为它允许系统在未知情况下无需新学习即可(现场)解决问题。在一般智力的讨论中,计划被认为是流体智力的典型功能。 自人工智能诞生以来,工程界一直在研究规划,符号化问题也有解决方案。然而,目前解决非公式化现实问题仍然很困难。除了人类之外,苏格兰乌鸦等动物也以能够解决复杂的规划问题而闻名,其他动物也必须进行某种形式的规划才能在野外生存。在哺乳动物的大脑中,前额叶皮层已知参与计划。 下面,我们首先概述规划,介绍工程模型,然后展示神经科学模型调查的结果。最后,我们考虑创建规划大脑模型的策略。具体来说,问题和评估基准
为布局未来的竞争优势, 纺织标竿企业纷纷成立AI 小组,开发多项AI 管理技 术,如个人助理、企业平台、智能客服等,一方面提升营运效能,二来也发挥跨 国协同合作的综效,更可因应产业缺工、缺才的长期趋势,减少人力负荷、改善 生产效率与品质、研发及设计新产品或协助客户控管库存、创造服务价值最大化 等,取得品牌客户认同,获得了更多订单。
预防和治疗糖尿病肾脏疾病:评论。 Am J肾脏DIS 2018; 72:267-277。 5。 Barnett AH,Mithal A,Manassie J等。 :在2型糖尿病和慢性肾脏疾病的患者中,empagliflozin添加到现有抗糖尿病治疗中的功效和安全性:一项随机,双盲,安慰剂对照试验。 柳叶刀糖尿病Endocrinol 2014; 2:369-384。 6。 Heerspink HJL,Kosiborod M,Inzucchi SE等。 :钠葡萄糖共转运蛋白-2抑制剂的肾脏保护作用。 肾脏INT 2018; 94:26-39。 7。 McGuire DK,Shih WJ,Cosentino F等。 :2型糖尿病患者的SGLT2抑制剂与心血管和肾脏结局的关联:荟萃分析。 JAMA Cardiol 2021; 6:148-158。 8。DeBoer IH,Khunti K,Sadusky T等。 :慢性肾脏疾病中的糖尿病管理:美国糖尿病协会(ADA)和肾脏疾病的共识报告:改善全球结果(KDIGO)。 糖尿病护理2022; 45:3075-3090。 9。 Vaduganathan M,Docherty KF,Claggett BL等。 :SGLT-2 INE心力衰竭:对五个随机对照试验的全面元分析。 柳叶刀2022; 400:757-767。 10。 Heerspink HJL,StefánssonBV,Corea-Rotter R等。 :慢性肾脏疾病患者的Dapagliflozin。 n Engl J Med 2020; 383:1436-1446。 11。 empa-kidney合作小组; Herrington WG,Staplin N,Wanner C等。 n Engl J Med 2023; 388:117-127。 12。预防和治疗糖尿病肾脏疾病:评论。Am J肾脏DIS 2018; 72:267-277。5。Barnett AH,Mithal A,Manassie J等。:在2型糖尿病和慢性肾脏疾病的患者中,empagliflozin添加到现有抗糖尿病治疗中的功效和安全性:一项随机,双盲,安慰剂对照试验。柳叶刀糖尿病Endocrinol 2014; 2:369-384。6。Heerspink HJL,Kosiborod M,Inzucchi SE等。:钠葡萄糖共转运蛋白-2抑制剂的肾脏保护作用。肾脏INT 2018; 94:26-39。 7。 McGuire DK,Shih WJ,Cosentino F等。 :2型糖尿病患者的SGLT2抑制剂与心血管和肾脏结局的关联:荟萃分析。 JAMA Cardiol 2021; 6:148-158。 8。DeBoer IH,Khunti K,Sadusky T等。 :慢性肾脏疾病中的糖尿病管理:美国糖尿病协会(ADA)和肾脏疾病的共识报告:改善全球结果(KDIGO)。 糖尿病护理2022; 45:3075-3090。 9。 Vaduganathan M,Docherty KF,Claggett BL等。 :SGLT-2 INE心力衰竭:对五个随机对照试验的全面元分析。 柳叶刀2022; 400:757-767。 10。 Heerspink HJL,StefánssonBV,Corea-Rotter R等。 :慢性肾脏疾病患者的Dapagliflozin。 n Engl J Med 2020; 383:1436-1446。 11。 empa-kidney合作小组; Herrington WG,Staplin N,Wanner C等。 n Engl J Med 2023; 388:117-127。 12。肾脏INT 2018; 94:26-39。7。McGuire DK,Shih WJ,Cosentino F等。:2型糖尿病患者的SGLT2抑制剂与心血管和肾脏结局的关联:荟萃分析。JAMA Cardiol 2021; 6:148-158。8。DeBoer IH,Khunti K,Sadusky T等。:慢性肾脏疾病中的糖尿病管理:美国糖尿病协会(ADA)和肾脏疾病的共识报告:改善全球结果(KDIGO)。糖尿病护理2022; 45:3075-3090。9。Vaduganathan M,Docherty KF,Claggett BL等。:SGLT-2 INE心力衰竭:对五个随机对照试验的全面元分析。柳叶刀2022; 400:757-767。10。Heerspink HJL,StefánssonBV,Corea-Rotter R等。:慢性肾脏疾病患者的Dapagliflozin。n Engl J Med 2020; 383:1436-1446。11。empa-kidney合作小组; Herrington WG,Staplin N,Wanner C等。n Engl J Med 2023; 388:117-127。12。:慢性肾脏疾病患者的雌性杂志。Perkovic V,Jardine MJ,Neal B等。:2型糖尿病和肾病中的Canagliflozin和肾脏结局。n Engl J Med 2019; 380:2295-2306。13。Cherney Dzi,Charbonnel B,Cosentino F等。:厄特曲霉素对2型糖尿病患者肾脏复合结果,肾功能和蛋白尿的影响:随机VERTIS CV试验的分析。糖尿病学2021; 64:1256-1267。
醋。 (我做了一些修改。)我对技术的进步感到惊讶,但与此同时,我也意识到,教育早已被认为是一个
图表 9 : SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 : 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 : 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 : WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 : SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 : PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 : 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 : CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 : CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 : SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 : SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 : SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 : SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 : SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 : SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 : SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 : N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 : SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 : SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 : 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 : 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 : 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 : 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 : 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 : 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 : 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 : 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 : 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 : 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 : 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 : 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 : 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 : 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 : 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 : 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 : 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 : 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 : 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 : 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 : 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 : 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 : 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 : 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 : 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 : 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 : 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30
图 1 有机光电突触器件 . (a) 人类视网膜和大脑系统示意图 ; (b) 储池计算结构 ; (c) 提拉法制备有机薄膜示意图 ; (d) C 8 -BTBT 薄膜的光学显微镜图像 ( 标尺 : 100 μm); (e) PDIF-CN 2 薄膜的光学显微镜图像 ( 标尺 : 100 μm); (f) C 8 -BTBT 薄膜的 AFM 图像 ( 标 尺 : 1.6 μm); (g) PDIF-CN 2 薄膜的 AFM 图像 ( 标尺 : 1.6 μm); (h) 具有非对称金属电极的有机光电突触晶体管器件结构 ; (i) 器件 配置为光感知型突触 ; (j) 器件配置为计算型晶体管 ( 网络版彩图 ) Figure 1 Organic optoelectronic synaptic devices. (a) The schematic diagram of human retina and brain system. (b) The architecture of a reservoir computing. (c) The preparation of organic thin films by dip coating method. (d) The optical microscope image of C 8 -BTBT film. Scale bar: 100 μm. (e) The optical microscope image of PDIF-CN 2 film. Scale bar: 100 μm. (f) The AFM image of C 8 -BTBT film. Scale bar: 1.6 μm. (g) The AFM image of PDIF-CN 2 film. Scale bar: 1.6 μm. (h) The schematic diagram of organic optoelectronic synaptic transistor with asymmetric metal electrodes. (i) The device is configured as a light-aware synapse. (j) The device is configured as a computational transistor (color online).
如您希望以同等产品进行投标,则必须在11月21日(星期四)中午之前提交《同等产品确定申请表》,并提前确认您的投标是否被接受(批准)。 合同条款依照日本陆上自卫队物资购销标准合同为准。 中标人确定方式:在我单位确定的评估价格范围内,按单项总金额,以最低投标价格中标。如果有两名或两名以上最低投标人有资格中标,则通过抽签方式确定中标人。 (f) 合同的成立:合同或其他文件成立是指双方当事人签署、盖章后形成的合同或其他文件。其他情况,应当在中标时作出决定。 其他:参照《招标投标及合同指南》。 (3)无效投标 a) 不具备参加竞争所需资格的人员进行的投标或违反投标条件的投标; b) 违反“投标和签约指南”的投标; c) 投标金额、投标人名称和投标人印章难以区分的投标; d) 投标人的排除有组织犯罪的承诺是虚假的,或者违反了承诺; e) 投标迟于投标日期和时间提交,或者投标文件以邮寄等方式提交并在交付期限之后到达; f) 通过电报、电话或传真提交的投标 (4)合同等。如果中标金额加上消费税金额为 150 万日元或以上,则将准备这些。但是,金额在50万日元以上150万日元以下时,将开具发票,金额不足50万日元时,则无需开具发票。 (5)其他 a.如您希望参加投标,您必须提前通过传真或其他方式提交2022至2024财年资格审查结果通知副本,或者,如果您目前正在申请资格,则必须提交一份表明您已经申请的文件。 (一)委托代理投标的,应当在投标开始前提交委托代理委托书。 C)投标文件中必须注明不含税金额。 E. 允许通过邮寄等方式进行投标。但是,申请书必须于 2024 年 11 月 26 日星期二下午 5 点之前送达日本陆上自卫队航空学校宇都宫校会计部。 若省略印章,须填写负责人及承办人的姓名及联系方式。 (c)如初次投标已有邮寄投标人,则重新投标的时间安排如下: 日期和时间:2024 年 12 月 2 日星期一,下午 1:30 宇都宫校园总部大楼 2 楼投标室 如果您通过邮寄方式参与重新投标,您的申请必须在 2024 年 12 月 2 日星期一凌晨 12:00 之前到达日本陆上自卫队宇都宫校园航空学校会计部。 进货检验应当在检验人员指定的地点进行。 (k)如果在验收前需要任何设备进行交付和运输,则费用应由承包商承担。 (6)咨询处 〒321-0106 栃木县宇都宫市上横田町1360 有关投标、合同事宜,请联系航空学校宇都宫校区会计科。 电话:028-658-2151(内线535) 负责人:四本田 有关采购事项,请联系总务科供应组(内线274) 负责人:冈本 (7)发布地点 A. 航空学校宇都宫校区会计科公告栏 B. 北宇都宫营地网站 → 采购信息(URL:https://www.mod.go.jp/gsdf/kitautunomiya/index.html) C. 陆上自卫队采购信息 →“直接单位合同信息”航空学校宇都宫校区(URL:https://www.mod.go.jp/gsdf/chotatsu/index.html)
(注意)相关属性分类以阴影形式显示。 ◇资产合并资产分配固定类型(其他资产(股票,房地产投资信托,其他资产,其他资产,股票价格指数指数期货交易,政府债券期货交易)))))该基金通过股票投资贸易股票或投资信托提供了固定的股票股票信托,对股票投资贸易库或固定股票的投资信托公司“固定股票交易”。投资并固定了固定的比率。 ETC。”。 ◇没有外汇套期保值是指招股说明书或投资信托协议,该协议指出外汇将不会受到套期保值,否则将对外汇进行对冲。 *属性类别中列出的“交换对冲”表明是否有对日元交换风险的风险。