摘要 — 由于器件尺寸不断缩小,标准单元变得越来越小,而电源线占据了可用空间的很大一部分。埋入式电源线 (BPR) 和背面电源 (BSP) 越来越受到关注,因为它们能够将标准单元高度从传统正面电源线 (FS-PR) 中的 6 轨分别降低到 5 轨和 4 轨。在本文中,我们从功率、性能和面积 (PPA) 的角度对器件、标准单元和全芯片设计级别的电源线拓扑进行了全面的比较。我们的实验表明,BPR 和 BSP 的纳米片宽度缩放分别使器件栅极电容降低了 26% 和 40%,从而在标准单元级分别将内部功率提高了 33% 和 40% 以上,在全芯片级分别将总功率下降了 24% 和 30% 以上。此外,与 FSPR 相比,BPR 可将布局缩小 7%,而 BSP 甚至可以再缩小 17%。这项研究还证明了 BPR 和 BSP 拓扑中背面供电网络 (BS-PDN) 在 IR 压降方面的优势。
摘要 本研究开发了用于三维集成电路 (3D-IC) 的背面埋入金属 (BBM) 层技术。该技术在每个芯片背面的大片空白区域引入用于全局电源布线的 BBM 层,并与芯片正面布线并联。电源 (V DD ) 和地 (V SS ) 线的电阻因此而降低。此外,由于 BBM 结构埋入 Si 衬底中并具有金属-绝缘体-硅结构,因此可充当去耦电容。因此,引入 BBM 层可以降低电源传输网络的阻抗。3D-IC 的 BBM 层制造工艺简单,并且与后通孔硅通孔 (TSV) 工艺兼容。利用该工艺可以在 CMOS 芯片(厚度:43 µm)背面埋入由电镀 Cu(厚度:约 10 µm)组成的 BBM 层,并通过直径 9 µm 的 TSV 将 BBM 与芯片正面布线相连。 关键词 三维集成电路(3D-IC),背面埋入金属(BBM)层,硅通孔(TSV),供电网络 I. 引言 采用硅通孔(TSV)的三维集成电路(3D-IC)技术[1]–[5]是生产先进、高速、紧凑和高功能电子系统的有效方法。然而,堆叠多个芯片会导致电路设计的电源完整性问题。例如,由于可用于电源和地线的 TSV 数量有限,3D-IC 中的 IR 压降会增加。此外,在 3D-IC 中同时切换堆叠芯片时,会产生很大的同时切换噪声(di/dt 噪声)。这种同步开关噪声会在电源输送网络 (PDN) 中产生不可预测的电压变化,从而导致系统故障。为了解决这一电源完整性问题,不仅必须在电路板/中介层级降低 PDN 的阻抗,还必须在芯片级降低 PDN 的阻抗,并提高电源输送的可靠性。先前的研究提出了一些降低芯片级 PDN 阻抗的方法。第一种方法是加宽电源线/地线。这种方法非常简单,但由于线路资源有限,难以应用。
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EDF Renewables 与包括纽约州农业和市场部 (NYSDAM) 在内的利益相关者密切合作,以尽量减少项目各个阶段对农业用地的影响。我们在选址项目时必须遵守 NYSDAM 指南,并在项目建设期间聘请独立的农业和环境监测员以确保合规。为了尽量减少与挖掘、平整或修建道路、混凝土垫块或地下管线相关的影响,我们将表土与底土分开,避免混合,并将表土返回到地表。在太阳能电池板区域以外的农田上,电缆将埋入地下四英尺深。在农田中埋入 4 英尺或更深的电缆在退役后可以保留在原处,以避免进一步扰动土壤。以下是 2019 年农业和市场部太阳能指南的链接:https://agriculture.ny.gov/system/files/documents/2019/10/solar_energy_guidelines.pdf
- 理想情况下,我们将在现有地产之间签署更多的太阳能租约,以降低所需的地役权数量 - 几乎所有的集电线路都将埋入地下至少 42 英寸(或穿过活跃的农业用地 48 英寸) - 仅在绝对必要时才会使用架空线路(在视觉影响较小的情况下)。
1. 重建和恢复——为恢复、加强和/或更换现有设备和变电站的项目提供资金。这包括升级或更换现有电线杆;重建或升级输电和配电线路;将电气设备和电力线埋入地下;以及使用新设备升级变电站,以降低停电风险,同时满足不断变化的社区当前和未来的需求。
从地球开采原油,用于制造塑料、硅和其他用于制造电路板的材料。 从地球开采铜、金、铅、镍、锌、铍、钽等金属,用于制造电路板的组件。 用于制造电路板的许多原材料含有可能对环境造成危害的物质,如果将其埋入垃圾填埋场,则可能对环境造成危害。
当许可证持有者从设施现场拆除所有设备和桩基(或切割至地面以下 1 米并埋入地下)时,他们必须提交意向通知 (NOI)。必须向监管机构提交项目描述和证明文件,其中应清楚地标明所有被拆除的设施设备和管道。证明文件可以包括显示设备已被拆除的位置图片或承包商完成拆除的签字确认书。监管机构的《石油和天然气活动操作手册》提供了有关意向通知提交的更多信息。