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基斯勒免疫诊所
• 我什么时候该接种疫苗？现役军人可以查看 ASIM 的 IMR。选择“工作表”。每个人都可以在 MHS GENESIS 患者门户上获取自己的记录副本。如果您需要更多信息，请向免疫接种部门发送消息。CDC 时间表链接在此手册中。• 您提供哪种 COVID 疫苗？辉瑞，6 个月以上，视供应情况而定。• 您携带哪种流感疫苗？什么时候？通常，我们会在 11 月底到 6 月底为 6 个月及以上的人群携带常规剂量的流感疫苗。• 您携带 Shingrix 带状疱疹疫苗吗？是的，50 岁及以上的人无需处方即可接种。19-49 岁需要处方。• 我需要疫苗处方吗？通常不需要。儿童和成人的常规计划疫苗不需要处方（即流感、COVID、健康就诊）。但是，旅行或特殊人群的疫苗可能需要处方。 （即无脾脏、慢性疾病、Shingrix <50yo）• 您是否进行结核病皮试？是的。周一、周二、周三、周五（除非是三天周末）；48-72 小时后，上午 7:45 - 8:15，或中午 - 下午 1 点 • 您是否提供替代的儿科疫苗接种时间表？我们遵守 CDC 推荐的疫苗接种时间表。任何替代时间表都需要您的儿科医生推荐
传记 - 基斯勒空军基地
George K. Holbert，GS-12 Holbert 先生是第 81 训练支援中队教师发展飞行训练管理课程主任。Holbert 先生出生于密西西比州比洛克西，在密西西比州格尔夫波特长大。他于 1985 年毕业于格尔夫波特高中，后来搬到了密西西比州帕斯卡克里斯蒂安。1986 年，他就读于密西西比湾岸社区学院的酒店和餐厅管理课程。1988 年，他从密西西比湾岸社区学院毕业，获得副学士学位。1988 年，他开始在基斯勒空军基地工作，为餐饮设施的食品服务承包商工作，担任机上厨房的二等厨师。1990 年，Holbert 先生加入空军，担任第 81 维修中队的自动跟踪雷达系统专家，并一直担任该职务直到 1995 年。1995 年，他被任命为第 332 训练中队的电子原理教员。1999 年，他以参谋军士的身份离开空军，开始从事公务员职业。1999 年，Holbert 先生加入公务员队伍，担任 GS-09 教员，教授电子原理，随后调至第 81 训练支援中队教师发展飞行队，担任基础教员课程教员。他教授基础教员、教学系统开发、CDC 作家和技术作家原理课程。2014 年，他晋升为基础教练课程的教练主管。2018 年，他完成了特殊教育跨学科学士学位，并晋升为培训管理课程主任。2020 年，他升任培训经理/TDE 教职发展主管。自 2008 年以来，Holbert 先生一直担任凯斯勒空军基地密西西比州特殊奥林匹克运动会神经中枢委员会负责人。教育背景 1988 年，密西西比湾岸社区学院，酒店/餐厅管理副学士 1995 年，空军社区学院，电子系统技术副学士 1996 年，空军社区学院，技术与军事科学讲师副学士 2018 年，自由大学，特殊教育跨学科学士 任务 1.2020 年 1 月 - 至今，GS 12 培训经理/TDE 主管，第 81 培训支援中队，密西西比州基斯勒空军基地。2.2018 年 10 月 - 2020 年 1 月，GS 12 培训管理课程主任，第 81 培训支援中队，密西西比州基斯勒空军基地。3.2004 年 11 月 - 2018 年 10 月，GS 11教员主管教职发展，第 81 训练支援中队，密西西比州基斯勒空军基地。4.2000 年 5 月 – 2004 年 11 月，GS 9 教员教职发展，第 81 训练支援中队，密西西比州基斯勒空军基地。5.1999 年 4 月 – 2000 年 5 月，GS 9 教员电子原理，第 332 训练中队，密西西比州基斯勒空军基地。6.1995 年 11 月 – 1999 年 4 月，SSgt 教员电子原理，第 332 训练中队，密西西比州基斯勒空军基地。7.1990 年 4 月 – 1995 年 11 月，SrA 自动跟踪雷达专家，第 81 维护中队，密西西比州基斯勒空军基地。
氧化铈基复合电解质材料研究进展
单相电解质的低离子电导率已不能满足600 ˚C以下的使用要求，制备高离子电导率的复合电解质成为发展方向。本文综述了掺杂CeO 2 无机盐(碳酸盐、硫酸盐)、掺杂CeO 2 金属氧化物以及掺杂CeO 2 钙钛矿复合电解质，分析了第二相对CeO 2 基电解质性能的影响。由于独特的H + /O 2−共导电性，无机盐的加入可以提高掺杂CeO 2 无机盐复合电解质的电导率。掺杂CeO 2 钙钛矿体系总电导率的提高可能是由于晶界电导率提高引起的。在掺杂CeO 2 金属氧化物体系中加入氧化物可以降低烧结温度，提高晶界电导率。以期为制备性能优异的二氧化铈复合电解质提供理论指导。
用于元件抛光的CeO2基复合材料的研究进展
Figure 7. Morphologies and surface roughness values of (a) the initial surface and the polished surface under conditions of (b) without UV-light, (c) TiO 2 film electrode with UV-light, (d) TiO 2 film electrode with UV-light and anodic bias, (e) CeO 2 -TiO 2 composite-film electrode with UV-light and (f) CeO 2 -TiO 2 composite-film elec- trode with UV-light and anodic bias [31] 图 7. (a) 初始表面； (b) 无紫外光条件下抛光表面； (c) 有紫外光并使用用 TiO 2 薄膜电极抛光下表 面； (d) 在有紫外光和阳极偏压的 TiO 2 薄膜电极下抛光表面； (e) 有紫外光并使用 CeO 2 -TiO 2 复合 膜电极下抛光表面； (f) 有紫外光和阳极偏压的 CeO 2 -TiO 2 复合膜电极抛光表面的形貌和表面粗糙 度值 [31]