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晚期基底细胞癌和鳞状细胞癌的新兴治疗方案
非黑色素瘤皮肤癌又称角质形成细胞肿瘤，在世界范围内发病率不断上升，其中最常见的是基底细胞癌和鳞状细胞癌。尽管手术是这两种肿瘤的金标准治疗方法，但有些病例可能会进展到晚期或转移性状态，需要进行靶向治疗。Hedgehog信号通路在基底细胞癌的发展中起着重要作用，抑制该通路是治疗局部晚期和转移性基底细胞癌的新治疗方案的关键。皮肤鳞状细胞癌是第二大最常见的恶性皮肤癌；当病情发展到晚期或转移性时，需要采用替代疗法；cemiplimab是一种针对程序性细胞死亡-1受体的人类单克隆抗体，通过阻断T细胞失活起作用，是首个获批用于治疗转移性或局部晚期成年患者的药物
小鼠外侧杏仁核和基底杏仁核中 GABA 能神经元类型的总数和比例
GABA 能神经元是皮质网络中的关键回路元素。尽管越来越多的证据表明抑制细胞在外侧 (LA) 和基底 (BA) 杏仁核功能中发挥着关键作用，但这些杏仁核中的 GABA 能神经元数量及其不同类型的比例尚未确定。使用无偏立体学，我们发现雄性和雌性小鼠的 BA (22%) 中的 GABA 能神经元比例明显高于 LA (16%)。无论性别，左右半球之间均无差异。此外，我们还评估了两个杏仁核中主要抑制细胞类型的比例。使用转基因小鼠和病毒策略可视化抑制细胞并结合免疫细胞化学，我们估计以下细胞类型共同构成了 LA 和 BA 中的绝大多数 GABA 能细胞：轴突-轴突细胞（5.5%-6%）、表达小清蛋白（17%-20%）或胆囊收缩素（7%-9%）的篮状细胞、表达生长抑素的树突靶向抑制细胞（10%-16%）、含有 NPY 的神经胶质细胞（14%-15%）、表达 VIP 和/或钙网膜蛋白的中间神经元选择性中间神经元（29%-38%）以及表达生长抑素和神经元一氧化氮合酶的 GABA 能投射神经元（5.5%-8%）。我们的结果表明，这些杏仁核包含在其他皮质区域发现的所有主要 GABA 能神经元类型。此外，我们的数据为未来的研究提供了重要的参考，旨在揭示在不同病理条件下通常观察到的 GABA 能细胞数量和抑制细胞类型的变化，并模拟健康和疾病状态下杏仁核网络的功能。
超分子纳米基底介导的CRISPR/CAS9基因破坏和缺失的递送
crispr/cas9是一种有效且精确的基因编辑技术，它提供了一种用途解决方案，用于建立针对遗传疾病的治疗方法。当前的CRISPR/CAS9向细胞传递，主要依赖于病毒载体，这些病毒载体受到包装容量和安全问题的限制。为了解决这些问题，我们报告了一个非病毒输送，其中CAS9•SGRNA核糖核蛋白（RNP）可以封装到超分子纳米颗粒（SMNP）向量中以形成RNP smnps，然后可以通过超级分子nanosubsubsubsibed-Midied-MiDied-MiDied-MiDied-MiDied-MiDied-MiDied-MiDied-MiDied（Snmd）将其递送到靶向细胞中。利用U87胶质母细胞瘤细胞系作为模型系统，我们检查了多种含RNP纳米颗粒的细胞摄取参数。我们进一步研究了绿色荧光蛋白（GFP）表达U87细胞系（GFP-U87）中剂量依赖性和时间依赖性CRISPR/CAS9介导的基因破坏。最后，我们证明了这种优化的SMNP公式在共递送的Cas9蛋白和两个靶向外显子45-55（708 kb）的SGRNA中的实用性。该区域的突变导致Duchenne肌肉营养不良（DMD），这是一种严重的遗传肌肉浪费疾病。我们观察到这些基因缺失货物在人心肌细胞系（AC16），诱导多能干细胞（IPSC）和间质干细胞（MSC）中有效递送。
基底细胞癌患者的Vismodegib的药代动力学 - 症状分析（Optivismo研究）
Pierre Mora (1), Sabrina Ayadi (2), Benjamin Sourisseau (2), Fabien Xuereb (1), Marie Beylot-Barry (3), Sarah Djabarouti (3) (1) University Hospital Bordeaux and INSERM U1034 (2) University Hospital Bordeaux (3) University Hospital Bordeaux and Bordeaux Institute of Oncology (BRIC) Abstract WHAT是已知和客观的：
采用蒸发滴法合成 C70 富勒烯纳米晶须
摘要：半导体纳米晶须，特别是基于零维 (0D) C 70 富勒烯的纳米结构晶须，由于其在现代电子学中的巨大应用潜力而受到积极讨论。我们首次提出并实现了一种基于 C 70 分子在基底表面热蒸发过程中自组织的纳米结构 C 70 富勒烯晶须的合成方法。我们发现，在基底表面的甲苯中 C 70 溶液滴蒸发后，C 70 纳米晶须的合成开始取决于基底温度。我们已提供实验证据表明，初始液滴中 C 70 浓度的增加和基底温度的增加都会导致 C 70 纳米晶须的几何尺寸增加。所获得的结果为溶质浓度和基底温度在一维材料合成中的作用提供了有用的见解。
在基底外侧杏仁核中释放，以响应奖励的预测并增强提示奖励意外的学习
1美国纽黑文耶鲁大学精神病学系； 2美国纽黑文市耶鲁大学跨部门神经科学计划； 3美国纽约市纽约市城市大学； 4在美国纽约的Stony Brook University的神经科学计划； 5美国贝塞斯达国家神经系统疾病与中风研究所（NINDS）； 6美国贝塞斯达国家心理健康研究所（NIMH）； 7中国北京的中国大脑研究所（CIBR）； 8中国北京北京大学生命科学学院膜生物学国家主要实验室； 9 PKU-IDG/MCGOVERN脑研究所，中国北京； 10北京北京北京大学高级跨学科研究学院生命科学中心Peking-Tsinghua中心； 11美国纽黑文耶鲁大学医学学院比较医学1美国纽黑文耶鲁大学精神病学系； 2美国纽黑文市耶鲁大学跨部门神经科学计划； 3美国纽约市纽约市城市大学； 4在美国纽约的Stony Brook University的神经科学计划； 5美国贝塞斯达国家神经系统疾病与中风研究所（NINDS）； 6美国贝塞斯达国家心理健康研究所（NIMH）； 7中国北京的中国大脑研究所（CIBR）； 8中国北京北京大学生命科学学院膜生物学国家主要实验室； 9 PKU-IDG/MCGOVERN脑研究所，中国北京； 10北京北京北京大学高级跨学科研究学院生命科学中心Peking-Tsinghua中心； 11美国纽黑文耶鲁大学医学学院比较医学
使用多药加固学习（RL）方法论的1型糖尿病（T1D）患者的基底核糖顾问
本文引入了一种新型的多代理增强学习（RL）方法，用于1型糖尿病患者（T1D）的个性化葡萄糖控制。所提出的方法利用了由血糖（BG）代谢模型和多代理角色批评的RL模型组成的闭环系统，该模型充当基底核糖顾问。在三种不同的情况下，评估RL药物的性能并与常规疗法进行了比较。评估指标包括最低，最大和平均葡萄糖水平，以及在二型BG范围内所花费的时间百分比。此外，分析了平均每日推注和基底胰岛素剂量。结果表明，基于RL的基底支柱顾问可通过降低血糖变异性并增加目标范围内70-180 mg / dl的时间的比例来显着改善葡萄糖的控制。具体来说，在方案A，B和C中，目标范围内花费的时间从66个增加。66±34。97％至92。55±4。05％，64。13±33。84％至93。91±6。03％和58。85±34。67％至78。 34±13。 分别为28％。 基于RL的方法还可以防止严重的高血糖事件（P≤0。 05）并减少低血糖的发生。 对于场景A和B，降血糖事件从14个下降。 2％±32。 27％至3.77％±4.01％和16。 59％±32。 分别为42％至2.63％±4.09％。 05）。67％至78。34±13。分别为28％。基于RL的方法还可以防止严重的高血糖事件（P≤0。05）并减少低血糖的发生。对于场景A和B，降血糖事件从14个下降。2％±32。27％至3.77％±4.01％和16。59％±32。分别为42％至2.63％±4.09％。05）。值得注意的是，在情况C中，由于胰岛素敏感性的降低，在任何一种方法中均未经历降血糖事件。此外，该研究表明，与常规治疗相比总的来说，这些发现表明多代理RL方法在获得更好的葡萄糖控制方面具有EFF的性质，并减轻T1D患者严重高血糖的风险。
人类单神经元活性受基底外侧杏仁核的颅内theta爆发刺激调节
。cc-by 4.0国际许可（未经Peer Review尚未获得认证）是作者/资助者，他已授予Biorxiv的许可证，以永久显示预印本。这是该版本的版权持有人，该版本发布于2025年2月15日。 https://doi.org/10.1101/2024.11.11.622161 doi：Biorxiv Preprint
磁场方向和温度的影响
实际上手性分子充当了轨道角动量滤波器。[10,11] 通过改变基底，进行了多项实验来探测基底 SOC 的作用。[12] 但所得结果不足以确定 SOC 的作用，因为基底可能有其他影响，如费米能级相对于最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道之间间隙的位置，以及极化率，这些可以决定界面处的电导率和势垒，从而影响观察到的自旋极化。在自旋电子学中，自旋从铁磁基底注入，人们研究了自旋极化对铁磁体磁化和用于驱动电流的电场之间的角度 𝜃 的依赖关系。角度依赖性源于磁阻的各向异性。 [ 13 ] 通常，研究发现自旋极化取决于 cos2𝜃。[ 14,15 ]
磁场方向和温度的影响
实际上手性分子充当了轨道角动量滤波器。[10,11] 通过改变基底，进行了多项实验来探测基底 SOC 的作用。[12] 但所得结果不足以确定 SOC 的作用，因为基底可能有其他影响，如费米能级相对于最高占据分子轨道和最低未占据分子轨道之间间隙的位置，以及极化率，这些可以决定界面处的电导率和势垒，从而影响观察到的自旋极化。在自旋电子学中，自旋从铁磁基底注入，人们进行了研究，探测自旋极化对铁磁体磁化和用于驱动电流的电场之间的角度 𝜃 的依赖关系。角度依赖性源于磁阻的各向异性。 [ 13 ] 通常，研究发现自旋极化取决于 cos2𝜃。[ 14,15 ]